一种光屏障基板的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种光屏障基板的制备方法，包括如下步骤：通过第一次构图工艺，在衬底上形成金属电极图形；在衬底及金属电极图形上方形成绝缘层薄膜；使用半色调掩膜技术，通过第二次构图工艺，在绝缘层上形成金属电极过孔，以及在绝缘层上形成金属电极与外部IC连线所需的沟道图形；在形成所述金属电极过孔和沟道图形的衬底上，形成透明电极层图形。本发明专利技术借助于半色调掩膜版和灰化工艺，使得绝缘层和透明电极层的形成由现有技术中的两道掩膜工艺减少为一道掩膜工艺，工艺得到了简化，制备效率得到提高，并且减少了一块掩膜版的使用，降低了光屏障基板的制备成本。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了，包括如下步骤：通过第一次构图工艺，在衬底上形成金属电极图形；在衬底及金属电极图形上方形成绝缘层薄膜；使用半色调掩膜技术，通过第二次构图工艺，在绝缘层上形成金属电极过孔，以及在绝缘层上形成金属电极与外部IC连线所需的沟道图形；在形成所述金属电极过孔和沟道图形的衬底上，形成透明电极层图形。本专利技术借助于半色调掩膜版和灰化工艺，使得绝缘层和透明电极层的形成由现有技术中的两道掩膜工艺减少为一道掩膜工艺，工艺得到了简化，制备效率得到提高，并且减少了一块掩膜版的使用，降低了光屏障基板的制备成本。【专利说明】
本专利技术涉及视差屏障
，特别涉及。
技术介绍
光屏障式3D技术也被称为视差屏障或视差障栅技术，其原理和偏振式3D较为类似。光屏障式3D技术的实现方法是使用一个开关液晶屏、偏振膜和高分子液晶层，利用液晶层和偏振膜制造出一系列方向为90°的垂直条纹，这些条纹宽几十微米，通过条纹的光就形成了垂直的细条栅模式，称之为“视差障壁”。该技术正是利用了安置在背光模块及LCD面板间的视差障壁，在立体显示模式下，应该由左眼看到的图像显示在液晶屏上时，不透明的条纹会遮挡右眼；同理，应该由右眼看到的图像显示在液晶屏上时，不透明的条纹会遮挡左眼，通过将左眼和右眼的可视画面分开，使观者看到3D影像。视察屏障通过光屏障基板来实现，光屏障基板包括玻璃基板、金属层、绝缘层和透明像素电极层，目前3D光屏障基板的制作一般采用道掩膜工艺完成，使用三个不同的掩膜版，通过三次光刻工艺，以分别对应形成金属层、绝缘层、透明像素电极的图形。因此，现有的光屏障基板制备工艺繁琐，制备效率较低，制备成本较高。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本专利技术要解决的技术问题是如何降低光屏障基板制备工艺中工序的繁琐性和高成本，以提闻光屏障基板的制备效率。(二)技术方案为了解决上述技术问题，本专利技术提供，其中，该制备方法包括如下步骤:通过第一次构图工艺，在衬底上形成金属电极图形；在衬底及金属电极图形上方形成绝缘层薄膜；使用半色调掩膜技术，通过第二次构图工艺，在绝缘层上形成金属电极过孔，以及在绝缘层上形成金属电极与外部IC连线所需的沟道图形；在形成所述金属电极过孔和沟道图形的衬底上，形成透明电极层图形。(三)有益效果上述技术方案所提供的光屏障基板制备方法，借助于半色调掩膜版和灰化工艺，使得绝缘层和透明电极层的形成由现有技术中的两道掩膜工艺减少为一道掩膜工艺，工艺得到了简化，制备效率得到提高，并且减少了一块掩膜版的使用，降低了光屏障基板的制备成本。【专利附图】【附图说明】图1至图8是本专利技术实施例光屏障基板的制备方法中各个步骤所制得的光屏障基板的平面图示；其中，图1至图8中，(a)图为通过金属电极的过孔处平面图示，(b)图为金属电极与外部IC的连线处平面图示。其中，1:衬底；2:金属层薄膜；3:绝缘层薄膜；4_1:第一光刻胶；4_2:第二光刻胶；5:透明电极层；6:过孔；7:沟道图形。【具体实施方式】下面结合附图和实施例，对本专利技术的【具体实施方式】作进一步详细描述。以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。为了解决现有技术中通过三道掩膜工艺制备光屏障基板时工艺繁琐、效率低、成本高等问题，本专利技术提供了一种制备光屏障基板的两道掩膜工艺，以简化制备工艺，提高制备效率，降低制备成本。本实施例中所提供的光屏障基板制备方法包括以下步骤:S1:形成金属电极图形参照图1至图2所示，通过第一次构图工艺，在衬底I上形成金属电极图形。其中，衬底I可以为玻璃或塑料等，构图工艺包括曝光、灰化、显影、刻蚀等操作。具体地，首先在所述衬底I上形成一层连续的金属层薄膜2，在所述金属层薄膜2上涂覆一层第一光刻胶4-1，通过常规掩膜版对金属层薄膜2上方的第一光刻胶4-1进行曝光、显影处理，保留金属电极图形区域上方对应的光刻胶，去除其他区域的光刻胶；然后采用第一次刻蚀工艺，刻蚀掉未被光刻胶保护的金属层薄膜，保留光刻胶所保护的金属层区域，即金属电极图形，此时，金属电极过孔区域对应的图形如图1中(a)所示，金属电极与外部IC连线处对应的图形如图1中(b)所示；最后去除金属电极图形上方的光刻胶，形成金属电极图形，此时，金属电极过孔区域对应的图形如图2中(a)所示，金属电极与外部IC连线处对应的图形如图2中(b)所示。S2:形成金属电极过孔和金属电极与外部IC连线所需的沟道图形参照图3和图4所示，在衬底I及金属电极图形上方形成绝缘层3，通过第二次构图工艺在绝缘层3上形成金属电极过孔和金属电极与外部IC连线所需的沟道图形。具体地，首先在衬底I及步骤SI中形成的金属电极图形上方形成一层绝缘层薄膜3，在绝缘层薄膜3上方形成一层第二光刻胶4-2，利用半色调掩膜版对第二光刻胶4-2曝光，半色调掩膜版即其上部分区域为遮光区域，部分区域为半透光区域，剩余部分区域为全透光区域，半色调掩膜版曝光之后的第二光刻胶4-2在显影之后，金属电极过孔区域对应的第二光刻胶完全去除，金属电极与外部IC连线区域对应的第二光刻胶部分去除，即去掉了一定厚度，保留了一定厚度，剩余区域的第二光刻胶全部保留，此时，金属电极过孔区域对应的图形如图3中(a)所示，金属电极与外部IC连线处对应的图形如图3中(b)所示；然后通过第二次刻蚀工艺，在第二光刻胶完全去除区域刻蚀掉绝缘层，形成金属电极过孔6，此时，金属电极过孔区域对应的图形如图4中(a)所示，金属电极与外部IC连线处对应的图形如图4中(b)所示。参照图5和图6所示，在金属电极过孔6形成之后，进行灰化工艺和第三次刻蚀工艺，在绝缘层3上形成金属电极与外部IC连线的沟道图像7。具体地，通过灰化工艺，将剩余的第二光刻胶4-2的部分厚度和部分区域去除，因为灰化工艺是利用氧和光刻胶反应，以去除光刻胶，所以各个区域的光刻胶去除厚度是一致的，该步骤中，以暴露出金属电极与外部IC连线区域对应的绝缘层为基准，将金属电极与外部IC连线区域对应的绝缘层上方的第二光刻胶去除，同时去除掉过孔处的第二光刻胶的部分区域以及其他区域第二光刻胶的部分厚度，此时，金属电极过孔区域对应的图形如图5中(a)所示，金属电极与外部IC连线处对应的图形如图5中(b)所示；接下来，通过第三次刻蚀工艺，刻蚀掉金属电极与外部IC连线区域对应的绝缘层，形成沟道图形7，然后去除剩余的第二光刻胶；其中，形成沟道图形7之后，金属电极过孔区域对应的图形如图6中(a)所示,金属电极与外部IC连线处对应的图形如图6中(b)所示。S3:形成透明电极层参照图7和图8所示，在步骤S2之后，在形成所述金属电极过孔和沟道图形的衬底形成透明电极层5。具体地，透明电极层5用于形成像素电极，其材质可以为ITO (氧化铟锡)或IZO(氧化铟锌)，此时，金属电极过孔区域对应的图形如图7中(a)所示，金属电极与外部IC连线处对应的图形如图7中(b)所示。透明电极层5形成之后，通过研磨工艺使光屏障基板表面平整。在研磨工艺中，使用化学机械的研磨方式，将非过孔和非沟道图形区域的绝缘层上方的透明电极层去除，同时研磨掉部分绝缘层和透明电极层，以减小光屏障基板的厚度。化学机械研磨是一个移除制程，它借着结合化学反应和机械研磨达到其目的。化学机械研磨的原理是将本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光屏障基板的制备方法，其特征在于，该制备方法包括如下步骤：通过第一次构图工艺，在衬底上形成金属电极图形；在衬底及金属电极图形上方形成绝缘层薄膜；使用半色调掩膜技术，通过第二次构图工艺，在绝缘层上形成金属电极过孔，以及在绝缘层上形成金属电极与外部IC连线所需的沟道图形；在形成所述金属电极过孔和沟道图形的衬底上，形成透明电极层图形。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张小祥，刘正，郭总杰，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11