基于神经元MOS管的差分型单边沿D触发器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于神经元MOS管的差分型单边沿D触发器，包括差分结构的主触发器和差分结构的从触发器；所述主触发器由构成差分结构的两个PMOS管m3和m4，两个三输入n型浮栅MOS管m1和m2构成；所述从触发器由构成差分结构的两个PMOS管m7和m8、两个三输入n型浮栅MOS管m5和m6、两个反相器INV1和INV2构成。本实用新型专利技术的有益效果是：通过在n型浮栅MOS管中增加一个输入端就可以方便的控制电路的开关。差分结构的触发器由于具有互补输出、低功耗、简单的结构等优点。运用n型浮栅MOS管下拉网络代替了传统差分型触发器中的nMOS逻辑电路，简化了下拉网络结构，从而进一步减小了电路的功耗。通过浮栅MOS管的运用，触发器中的置位端和复位端可以很方便的实现。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种基于神经元MOS管的差分型单边沿D触发器，其特征在于：包括差分结构的主触发器和差分结构的从触发器；所述主触发器由构成差分结构的两个PMOS管m3和m4，两个三输入n型浮栅MOS管m1和m2构成；所述从触发器由构成差分结构的两个PMOS管m7和m8、两个三输入n型浮栅MOS管m5和m6、两个反相器INV1和INV2构成；所述PMOS管m3、m4、m7和m8源级接工作电压VDD，所述三输入n型浮栅MOS管m1、m2、m5和m6的源级接地；所述主触发器中构成差分结构的两个PMOS管m3和m4的漏极分别与两个三输入n型浮栅MOS管m1和m2的漏极连接，并且产生主触发器的输出和x；所述从触发器中构成差分结构的两个PMOS管m7和m8的漏极分别与两个三输入n型浮栅MOS管m5和m6的漏极连接，并通过两个反相器INV1和INV2连接到输出端Q和在clk低电平时，所述主触发器接收输入信号，决定主触发器的输出x和此时所述从触发器关闭，从触发器的输出Q和保持不变；在clk上升沿时，主触发器关闭，从触发器开启，决定主触发器的输出x和决定从触发器的输出，即整个触发器的输出Q和同时S和R分别实现触发器的异步置位和异步清零功能。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杭国强，胡晓慧，杨旸，章丹艳，周选昌，刘承成，
申请(专利权)人：浙江大学城市学院，
类型：新型
国别省市：浙江;33