双体双面真空镀膜设备制造技术

本实用新型专利技术涉及真空镀膜设备，具体是一种双体双面真空镀膜设备。包括镀膜室、真空系统、控制真空系统的电控系统，镀膜室为两个，镀膜室均包括外筒体与置于外筒体内部的内筒体，内筒体与外筒体之间的密闭空间为镀膜区，内筒体、外筒体相对的侧面上均设有离子发射装置。本设备两个独立的镀膜室可对待镀工件同时实现双面镀膜，大大提高生产效率；采用内外筒体结构的镀膜室有效减小镀膜室的空闲容积，降低真空泵的功耗；用一套共用电源和控制系统，可降低生产成本；低真空系统和高真空系统通过转换阀门交替为两个镀膜室抽真空，大大提高了真空系统的利用率。本设备不仅适用于多弧离子镀，也适用于磁控溅射镀、蒸发镀膜。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术涉及真空镀膜设备，具体是一种双体双面真空镀膜设备。包括镀膜室、真空系统、控制真空系统的电控系统，镀膜室为两个，镀膜室均包括外筒体与置于外筒体内部的内筒体，内筒体与外筒体之间的密闭空间为镀膜区，内筒体、外筒体相对的侧面上均设有离子发射装置。本设备两个独立的镀膜室可对待镀工件同时实现双面镀膜，大大提高生产效率；采用内外筒体结构的镀膜室有效减小镀膜室的空闲容积，降低真空泵的功耗；用一套共用电源和控制系统，可降低生产成本；低真空系统和高真空系统通过转换阀门交替为两个镀膜室抽真空，大大提高了真空系统的利用率。本设备不仅适用于多弧离子镀，也适用于磁控溅射镀、蒸发镀膜。【专利说明】双体双面真空镀膜设备
本技术涉及真空镀膜设备，具体是一种双体双面真空镀膜设备。
技术介绍
镀膜机镀膜室和真空系统及电控系统设计直接关系到镀膜机的生产效率、能耗和成本。目前的真空离子镀膜机由一个单筒体镀膜室、一套真空系统和一套电控系统组成，采用单筒体镀膜室，受真空镀膜离子发射距离的限制，由一部分镀膜室空间不能得到有效利用，同时增大了镀膜室的抽气容积，导致增大了抽气时间和真空系统的能耗和设备磨损，一套真空系统，在镀膜机装卸工件时，真空系统中的扩散泵、维持泵不能停机，导致利用率低下和不必要的能耗；电源和控制系统停机时处于闲置状态，电控系统不能充分利用，致使降低生产效率，增大能耗，设备价格高。
技术实现思路
本技术旨在解决
技术介绍
所述问题，而提供一种双体双面真空镀膜设备，该设备能最大限度地降低对能源的消耗，提高设备的利用率，提高生产的效率。为解决上述技术问题，本技术采用的技术方案是:一种双体双面真空镀膜设备，包括镀膜室、真空系统、控制真空系统的电控系统，镀膜室为两个，镀膜室均包括外筒体与置于外筒体内部的内筒体，内筒体与外筒体之间的密闭空间为镀膜区，内筒体、外筒体相对的侧面上均设有离子发射装置。作为对本技术方案的进一步改进，真空系统包括低真空系统、高真空系统，任一镀膜室分别通过低真空转换阀门、高真空转换阀门与低真空系统、高真空系统相连通。作为对本技术方案的进一步改进，电控系统包括，电源、转换开关、控制系统，转换开关控制电源，控制系统控制低真空转换阀门、高真空转换阀门顺次为不同的镀膜室抽真空。作为对本技术方案的进一步改进，内筒体与外筒体为组合体，内筒体可拆卸。本技术采用的技术方案的核心点在于:一套真空镀膜设备，由两个独立的镀膜室，A室和B室，每个镀膜室分为内外筒体，内外筒体上均设有离子发射装置，实现双面镀膜，同时，两个镀膜室共用一套电源和控制系统、低真空系统和高真空系统，两个镀膜室交替镀膜工作，共用电源采用转换开关供电；低真空系统和高真空系统分别用转换阀门控制的新型双体双面真空镀膜设备。采用本技术双体双面真空镀膜设备能降低制造成本40-50%,提高用电效率30-40%，提高生产效率50%以上。本技术所述双体双面真空镀膜设备的关键组成部分为:组合型内外筒体镀膜室A，组合型内外筒体镀膜室B，共用低真空系统，共用高真空系统，共用电控系统，电控转换开关，低真空转换阀门，高真空转换阀门组成。本技术方案的一种双体双面真空镀膜设备工作过程如下:将被镀工件装入A镀膜室上盖的挂架上,将上盖盖在A室上,使A室内部形成密闭的镀膜区。将电控系统转换开关转换到A室，关闭B室高真空系统阀门和低真空系统阀门。开启低真空系统和高真空系统，打开A室低真空系统阀门，对A室进行低真空抽气，当A室达到低真空状态后，关闭A室低真空阀门，打开A室高真空阀门，对A室进行高真空抽气，当A室达到镀膜工艺要求的真空度时，开启蒸发源电源，镀膜室内外筒上的离化源同时对工件进行镀膜作业，实现双面镀膜，当完成镀膜作业后，关闭高真空系统阀门，开启A室放气阀门，吊起A室上盖，卸下镀好的工件，完成镀膜作业，再次安装被镀工件，等待下一次镀膜。在A室镀膜作业的同时，将工件装在B室上盖的挂架上，之后，将上盖盖在B室上，使B室内部形成密闭的镀膜区，当A室完成镀膜作业后，立即将电控系统转换开关转换到B室，开启B室低真空系统阀门，对B室进行低真空抽气，当B室达到低真空状态后，关闭B室低真空阀门，打开B室高真空阀门，对B室进行高真空抽气，当B室达到镀膜工艺要求的真空度时，开启蒸发源电源，镀膜室内外筒上的离化源同时对工件进行镀膜作业，当完成镀膜工作后，关闭高真空系统阀门，开启B室放气阀门，将转换开关转到A室，A室进行镀膜作业。采用转换开关控制共用供电电源，用转换阀门控制共用低真空系统和高真空系统，实现两个镀膜室交替镀膜工作。与现有技术相比，本技术方案的技术效果体现在:(I)本实用双体双面真空镀膜设备具有两个独立工作的镀膜室，每个镀膜室分为内外筒体，内外筒体上均设有离子发射装置，可对待镀工件同时实现双面镀膜，大大提高生产效率；(2)同时由于采用内外筒体的结构，能有效减小镀膜室的空闲的容积，减少工作时抽真空时间，降低了真空泵的功耗，还可以延长真空泵和真空阀门的使用寿命；(3)用一套共用电源和控制系统，可降低生产成本，提高电源盒控制系统使用效率；共用低真空系统和高真空系统可用一套真空系统通过转换阀门交替为两个镀膜室抽真空，大大提闻了真空系统的利用率；(4)新型双体双面真空镀膜设备不仅适用于多弧离子镀，也适用于磁控溅射镀、蒸发镀膜；(5)内外筒体为组合筒体，内筒体可拆卸，当拆除内筒体后，可实现超大工件的镀膜。达到降低制造成本、降低能耗、提高生产效率等目的，完全满足镀膜工艺要求，具有广阔的市场空间。【专利附图】【附图说明】图1为本技术实施例结构示意图。图2是图1的俯视图。附图标记说明:1 一闻真空系统；2—闻真空转换阀门A ;3 —外筒体A ; 4—内筒体A ；5 一上盖；6 —低真空转换阀门A ;7 —低真空系统；8 —低真空转换阀门B ;9 —外筒体B ；10 —内筒体B ；11 —蒸发源；12 —电控系统；13 —转换开关；14 —闻真空转换阀门B。【具体实施方式】以下结合实施例对本技术作进一步说明，目的仅在于更好的理解本
技术实现思路
。因此，所举之例并非限制本技术的保护范围。结合图1、图2可知，本实施例给出的一种双体双面真空镀膜设备，其镀膜室由A、B两个独立的镀膜室组成，镀膜室A由外筒体A3、设置在外筒体A3中的内筒体A4构成，夕卜筒体A3与内筒体A4之间的密闭空间为镀膜区，外筒体A3与内筒体A4相对的侧面上均设有作为离子发射装置的蒸发源11 ;镀膜室B由外筒体B9、设置在外筒体B9中的内筒体BlO构成，外筒体B9与内筒体BlO之间的密闭空间为镀膜区，外筒体B9与内筒体BlO相对的侧面上均设有作为离子发射装置的蒸发源U。上述内筒体A4、内筒体BlO分别与外筒体A3、外筒体B9为组合体结构，内筒体A4和内筒体BIO分别可从外筒体A3和外筒体B9中拆卸，将内筒体A4和内筒体BIO从外筒体A3和外筒体B9拆卸后，即可以用外筒体A3和外筒体B9作为两个大空间镀膜室对超大工件进行镀膜。真空系统包括高真空系统I和低真空系统7，镀膜室A分别通过高真空转换阀门A2和低真空转换阀门A6与高真空系统I和低真空系统7相连通；镀膜室B分别通过高真空转换阀门B14和低真空转换阀本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双体双面真空镀膜设备，包括镀膜室、真空系统、控制真空系统的电控系统，其特征在于，所述的镀膜室为两个，所述的镀膜室均包括外筒体与置于外筒体内部的内筒体，所述的内筒体与外筒体之间的密闭空间为镀膜区，所述的内筒体、外筒体相对的侧面上均设有离子发射装置。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李飞，李兰民，
申请(专利权)人：遵化市超越钛金设备有限公司，
类型：新型
国别省市：河北;13