去除金属硬掩膜的方法和组合物技术

本发明专利技术提供了一种从基板上移除膜的方法，所述方法包括将组合物施涂到所述膜上，和其中所述组合物至少包含以下物质：a)水；和b)至少一种选自以下化合物(i-v)的化合物：i)NR4HF2(式1)，其中R＝H、烷基、取代的烷基，ii)NR4F(式2)，其中R＝H、烷基、取代的烷基，iii)HF(氢氟酸)，iv)H2SiF6(六氟硅酸)，或v)其组合。本发明专利技术还提供一种至少包含以下物质的组合物：a)水；和b)至少一种选自以下化合物(i-v)的化合物：i)NR4HF2(式1)，其中R＝H、烷基、取代的烷基，ii)NR4F(式2)，其中R＝H、烷基、取代的烷基，iii)HF(氢氟酸)，iv)H2SiF6(六氟硅酸)，或v)其组合。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供了一种从基板上移除膜的方法，所述方法包括将组合物施涂到所述膜上，和其中所述组合物至少包含以下物质：a)水；和b)至少一种选自以下化合物(i-v)的化合物：i)NR4HF2(式1)，其中R＝H、烷基、取代的烷基，ii)NR4F(式2)，其中R＝H、烷基、取代的烷基，iii)HF(氢氟酸)，iv)H2SiF6(六氟硅酸)，或v)其组合。本专利技术还提供一种至少包含以下物质的组合物：a)水；和b)至少一种选自以下化合物(i-v)的化合物：i)NR4HF2(式1)，其中R＝H、烷基、取代的烷基，ii)NR4F(式2)，其中R＝H、烷基、取代的烷基，iii)HF(氢氟酸)，iv)H2SiF6(六氟硅酸)，或v)其组合。【专利说明】去除金属硬掩膜的方法和组合物相关申请的引用本申请要求2012年12月20日提交的美国临时申请N0.61/739994的权益。
本申请涉及去除金属硬掩膜的方法和组合物。
技术介绍
基于有机金属化合物的旋涂式混合金属硬掩膜(SOMMH)的配制物包含与适当的聚合物粘合剂一起的聚合物有机金属化合物材料或分子有机金属化合物材料。对于后者，聚合物粘合剂充当成膜剂，并且在固化时，该分子有机金属化合物连接成交联的网络。固化烘焙可以通过在涂覆的膜之外缩合有机基团(一般为醇)引发交联反应。在固化烘焙之后在所述膜中剩余不同量的有机材料。在电子膜的制造中，需要有效地去除SOMMH工艺的残余物。去除膜(例如无机和/或聚合物膜)的组合物公开于以下文献中:W02012/009639，W02009/073596, W02008/098034, W02008/080097, W02007/120259, W02006/110645,W02006/054996，和W02003/091376。然而，存在对可用于去除固化的有机金属化合物膜的新的工艺和组合物的需要。
技术实现思路
本专利技术提供从基板去除膜的方法，所述方法包括将组合物施涂到所述膜，并且其中所述组合物至少包含以下物质:a)水；和b)至少一种选自以下化合物(1-v)的化合物:i) NR4HF2 (式 I)，其中R = H、烷基、取代的烷基，ii) NR4F (式 2)其中R = H、烷基、取代的烷基，iii)HF (氢氟酸)i V) H2SiF6 (六氟硅酸)，或V)其组合。本专利技术还提供一种至少包含以下物质的组合物:a)水；和b)至少一种选自以下化合物(1-v)的化合物:i)NR4HF2 (式 I)，其中R = H、烷基、取代的烷基，ii)NR4F(式 2)其中R = H、烷基、取代的烷基，iii)HF (氢氟酸)iv) H2SiF6 (六氟硅酸)，或V)其组合。【具体实施方式】如上所述，本专利技术提供了一种从基板去除膜的方法，所述方法包括将组合物施涂到所述膜，并且其中所述组合物至少包含以下物质:a)水；和b)至少一种选自以下化合物(1-v)的化合物:i) NR4HF2 (式 I)，其中R = H、烷基、取代的烷基，ii)NR4F(式 2)其中R = H、烷基、取代的烷基，iii)HF (氢氟酸)iv) H2SiF6 (六氟硅酸)，或V)其组合。在一种实施方式中，所述膜包含一种或多种“金属-氧-碳”键。在一种实施方式中，所述膜为有机金属化合物膜。在进一步的实施方式中，所述有机金属化合物膜包含一种或多种“金属-氧-碳”键。在一种实施方式中，所述基板包含碳。在一种实施方式中,所述基板包含娃，和进一步包含氧化娃。在一种实施方式中，所述基板包含无机介电材料(例如，氧化娃和/或氮化娃)，有机抗反射涂层(例如，BARC材料)，或碳底层。在一种实施方式中，所述基板选自无机介电材料(例如，氧化娃和/或氮化娃)，有机抗反射涂层(例如，BARC材料)，或碳底层。在一种实施方式中，所述基板包含无机介电材料(例如，氧化硅和/或氮化硅)，或有机抗反射涂层(例如，BARC材料)。在一种实施方式中，所述基板选自无机介电材料(例如，氧化硅和/或氮化硅)，或有机抗反射涂层(例如，BARC材料)。在一种实施方式中，所述基板包含无机介电材料(例如，氧化硅和/或氮化硅)。在一种实施方式中，所述基板选自无机介电材料(例如，氧化硅和/或氮化硅)。在一种实施方式中，所述基板包含有机抗反射涂层(例如，BARC材料)。在一种实施方式中，所述基板选自有机抗反射涂层(例如，BARC材料)。在一种实施方式中，所述基板包含碳底层。在一种实施方式中，所述基板选自碳底层。本专利技术还提供了一种至少包含以下物质的组合物:a)水；和b)至少一种选自以下化合物(1-v)的化合物:i)NR4HF2 (式 I)，其中R = H、烷基、取代的烷基，ii)NR4F(式 2)其中R = H、烷基、取代的烷基，iii)HF (氢氟酸)iv)H2SiF6(六氟硅酸)，或V)其组合。本文描述的以下实施方式应用于各自如上所述的本专利技术的方法和本专利技术的组合物。本专利技术的方法可包含在此描述的两种或更多种实施方式的组合。本专利技术的组合物可包含在此描述的两种或更多种实施方式的组合。在一种实施方式中，组分b)的至少一种化合物基于所述组合物的重量以大于或等于0.3重量％的量存在。在一种实施方式中，组分b)的至少一种化合物基于所述组合物的重量以大于或等于0.5重量％的量存在。在一种实施方式中，组分b)的至少一种化合物基于所述组合物的重量以大于或等于I重量％的量存在。在一种实施方式中，组分b)的至少一种化合物基于所述组合物的重量以大于或等于3重量％的量存在。在一种实施方式中，组分b)的至少一种化合物基于所述组合物的重量以小于或等于30重量的量存在。在一种实施方式中，组分b)的至少一种化合物基于所述组合物的重量以小于或等于20重量％的量存在。在一种实施方式中，组分b)的至少一种化合物基于所述组合物的重量以小于或等于10重量％的量存在。在一种实施方式中，组分b)的至少一种化合物基于所述组合物的重量以小于或等于5重量％的量存在。在一种实施方式中，所述组合物进一步包含聚合物，所述聚合物包含聚合形式的氧化烯。在进一步的实施方式中，所述氧化烯选自环氧乙烷、环氧丙烷或其组合。在一种实施方式中，所述组合物具有例如如使用pH试纸(例如,从EMD ChemicalsInc.获得的C0L0RPHAST)测定的3-4的pH。本专利技术的方法可包含在此描述的两种或更多种实施方式的组合。本专利技术的组合物可包含在此描述的两种或更多种实施方式的组合。组分b在一种实施方式中，组分b的至少一种化合物选自以下化合物(1-v):i) NR4HF2 (式 I)，其中R为H、C1-C20烷基、或C1-C20取代的烷基；ii)NR4F(式 2)其中R为H、C1-C20烷基、或C1-C20取代的烷基；1^)册(氢氟酸)；iv) H2SiF6 (六氟硅酸)；或V)其组合。在一种实施方式中，组分b的至少一种化合物选自以下化合物(1-v):i)NR4HF2 (式 I)，其中R为H、Cl-ClO烷基、或C1-C10取代的烷基，ii)NR4F(式 2)其中R为H、Cl-ClO烷基、或C1-C10取代的烷基，iii)HF (氢氟酸)；iv) H2SiF6 (六氟硅酸)；或V)其组合。在一种实施方式中，组分b本文档来自技高网...

【技术保护点】
从基板上移除膜的方法，所述方法包括将组合物施涂到所述膜上，和其中该组合物至少包含以下物质：a)水；和b)至少一种选自以下化合物(i‑v)的化合物：i)NR4HF2(式1)，其中R＝H、烷基、取代的烷基，ii)NR4F(式2)其中R＝H、烷基、取代的烷基，iii)HF(氢氟酸)iv)H2SiF6(六氟硅酸)，或v)其组合。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：D·王，M·W·贝耶斯，P·特雷福纳斯，K·M·奥康内尔，
申请(专利权)人：罗姆哈斯电子材料有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国;US