本实用新型专利技术公开了能降低EMI辐射的背光升压电路和LED背光驱动电路，背光升压电路包括：DC-DC芯片和用于抑制DC-DC芯片产生的EMI辐射的RC吸收模块，所述RC吸收模块的一端连接DC-DC芯片的输出端，RC吸收模块的另一端接地。本实用新型专利技术通过在DC-DC芯片的输出端设置一RC吸收模块，使DC-DC芯片内部的寄生参数形成的振荡在最短的时间内衰减，降低了振铃的幅度，大幅降低了背光升压电路的EMI辐射。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了能降低EMI辐射的背光升压电路和LED背光驱动电路，背光升压电路包括：DC-DC芯片和用于抑制DC-DC芯片产生的EMI辐射的RC吸收模块，所述RC吸收模块的一端连接DC-DC芯片的输出端，RC吸收模块的另一端接地。本技术通过在DC-DC芯片的输出端设置一RC吸收模块，使DC-DC芯片内部的寄生参数形成的振荡在最短的时间内衰减，降低了振铃的幅度，大幅降低了背光升压电路的EMI辐射。【专利说明】能降低EMI辐射的背光升压电路和LED背光驱动电路
本技术涉及LED背光控制技术，特别涉及一种能降低EMI辐射的背光升压电路和LED背光驱动电路。
技术介绍
目前，转载设备一般使用7寸或8寸的TFT显示屏，显示屏的背光驱动电路通常使用DC-DC (直流-直流)升压电路。在DC-DC升压电路中均使用了 DC-DC升压芯片，而DC-DC升压芯片工作在开关状态，因此会产生很大的噪声和较强的EMI (ElectromagneticInterference,电磁干扰)福射。请参阅图1和图2，其中，图1为DC-DC升压芯片内部电路的原理图，图2为DC-DC升压芯片内部电路的等效电路图。升压芯片内部包括第一电容Cl、第二电容C2、电感L1、二极管Dl和MOS管Q1。图2中的第二电感L2、第三电感L3、第四电感L4、第五电感L5均为DC-DC升压芯片内部PCB (Printed Circuit Board,印刷电路板)走线的寄生电感。第三电容C3和第四电容C4分别为MOS管Ql和二极管Dl的结电容。DC-DC升压芯片的工作频率一般在100KHZ?2MHZ，因此在DC-DC升压电路中的dV/dt和di/dt变化大。而且从图2的电路可知，PCB走线存在寄生参数，因此很容易在芯片内部的开关器件(如MOS管)，以及DC-DC升压芯片的输出端产生较大的冲击电压、冲击电流、杂散噪声、以及振铃，由此产生很强的EMI辐射。以下结合图2，对DC-DC升压芯片产生EMI辐射的原因作详细描述:如图2所示，MOS管Ql在快速导通和截止的过程中会产生尖峰噪声和高频纹波，这将产生很强的辐射。MOS管Ql导通的瞬间，由于MOS管Ql的电压瞬间突变，会出现较大的浪涌电流造成尖峰噪声。当MOS管Ql由导通瞬间截止时，由于MOS管Ql的电流瞬间突变，PCB走线存在寄生电感(如第三电感L3、第四电感L4)，会产生反向电动势E=L*di/dt，其值与MOS管Ql的漏极电流的变化率成正比、也与寄生电感成正比，这两个信号共同叠加在关断电压上，形成了 MOS管Ql的关断尖峰电压，从而形成辐射干扰。由图2可知，在MOS管Ql的附近存在LC回路，L为第三电感L3和第四电感L4之和，C为MOS管Ql的结电容(即第三电容C3)，当MOS管Ql关断(即截止)时，就形成LC回路产生LC振荡，这个振荡电压叠加到MOS管Ql的漏极电压上，并在几十兆到几百兆范围内进行衰减振荡，产生了较强的EMI辐射，这体现在车载设备上就是电磁辐射和显示屏出现较大的纹波干扰。众所周知EMI辐射对人体有害，因此有必要将其影响尽可能降低。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足之处，本技术的目的在于提供一种能降低EMI辐射的背光升压电路和LED背光驱动电路，能降低背光升压电路的EMI辐射。为了达到上述目的，本技术采取了以下技术方案:一种能降低EMI辐射的背光升压电路，其包括=DC-DC芯片和用于抑制DC-DC芯片产生的EMI辐射的RC吸收模块，所述RC吸收模块的一端连接DC-DC芯片的输出端，RC吸收模块的另一端接地。所述的能降低EMI辐射的背光升压电路中，所述RC吸收模块包括第一电阻和第一电容，所述第一电阻的一端连接DC-DC芯片的输出端,第一电阻的另一端通过第一电容接地。所述的能降低EMI辐射的背光升压电路中，所述DC-DC芯片包括:电感、第二电容、第三电容、二极管和MOS管；所述电感的一端连接DC-DC芯片的输入端、还通过第二电容接地，所述电感的另一端连接MOS管的漏极和二极管的正极，所述MOS管的源极接地，MOS管的栅极连接DC-DC芯片的控制端，所述二极管的负极连接DC-DC芯片的输出端、还通过第三电容接地。所述的能降低EMI辐射的背光升压电路中，所述DC-DC芯片还包括:第一寄生电感、第二寄生电感、第三寄生电感、第四寄生电感、第一结电容和第二结电容；所述第一寄生电感串联在所述电感的另一端和二极管的正极之间，第二寄生电感串联在所述电感的另一端和MOS管的漏极之间，第三寄生电感的一端连接MOS管的源极，第三寄生电感的另一端接地，所述第四寄生电感串联在二极管的负极和DC-DC芯片的输出端之间；所述第一结电容的一端连接MOS管的漏极，第一结电容的另一端连接MOS管的源极；所述第二结电容与所述二极管并联。所述的能降低EMI辐射的背光升压电路中，所述第一电阻的阻值小于100欧姆。所述的能降低EMI辐射的背光升压电路中，所述第一电容为PF级电容。一种LED背光驱动电路，用于驱动LED，其包括储能电感、整流二极管和上述的背光升压电路，所述储能电感的一端连接VCC_IN供电端和背光升压电路的输入端，所述储能电感的另一端连接背光升压电路的输出端和整流二极管的正极，所述整流二极管的负极连接LED的正极，所述背光升压电路的反馈端连接LED的负极。相较于现有技术，本技术提供的能降低EMI辐射的背光升压电路和LED背光驱动电路，通过在DC-DC芯片的输出端设置一 RC吸收模块，使DC-DC芯片内部的寄生参数形成的振荡在最短的时间内衰减，降低了振铃的幅度，大幅降低了背光升压电路的EMI辐射。【专利附图】【附图说明】图1为DC-DC升压芯片内部电路的原理图。图2为DC-DC升压芯片内部电路的等效电路图。图3为本技术背光升压电路的电路原理图。图4为本技术背光升压电路的等效电路图。图5为图4的等效变换电路图。图6为现有背光升压电路中DC-DC芯片的MOS管漏极振铃波形示意图。图7为本技术的背光升压电路中DC-DC芯片的MOS管漏极振铃波形示意图。图8为现有背光升压电路的EMI辐射波形示意图。图9为本技术背光升压电路的EMI辐射波形示意图。图10为本技术LED背光驱动电路的结构框图。图11为本技术LED背光驱动电路的电路图。【具体实施方式】本技术提供一种能降低EMI辐射的背光升压电路和LED背光驱动电路，为使本技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。EMI辐射一般通过抑制干扰源、控制辐射路径、对设备屏蔽这三方面来降低EMI辐射，本实用提供的能降低EMI辐射的背光升压电路，通过在DC-DC芯片的输出端连接一个RC吸收模块，使DC-DC芯片内的寄生参数形成的振荡在最短的时间内衰减，通过抑制干扰源的方式降低了 EMI的幅度。请参阅图3，其为本技术背光升压电路的电路原理图。如图3所示，本技术提供的能降低EMI辐射的背光升压电路，包括=DC-DC芯片Ul和RC吸收模块101，所述RC吸收模块101的一端连接DC-D本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种能降低EMI辐射的背光升压电路，其特征在于，包括：DC‑DC芯片和用于抑制DC‑DC芯片产生的EMI辐射的RC吸收模块，所述RC吸收模块的一端连接DC‑DC芯片的输出端，RC吸收模块的另一端接地。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：胡利，
申请(专利权)人：TCL康钛汽车信息服务深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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