静电电容元件和谐振电路制造技术

本发明专利技术的电容元件（可变电容元件1）包括：包括介电层的电容元件主体2，以及由插入在其间的介电层形成的至少一对内部电极10；以及外部端子3、4，形成在电容元件主体2的侧表面上，并且电连接到内部电极10。此外，该电容元件被配置为使得由于在介电层5与内部电极的线性膨胀系数之间的差异而产生的应力集中在利用介电层5和其间插入介电层5的一对内部电极10配置的电容器C的中心。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种静电电容元件，包括：介电层；电容元件主体，被配置为包括利用插入在其间的所述介电层形成的至少一对内部电极；以及外部端子，被配置为形成在所述电容元件主体的侧表面上，并且电连接到所述内部电极，其中，由于在所述介电层与所述内部电极之间的线性膨胀系数的差异而出现的应力集中在利用所述介电层和其间插入所述介电层的所述一对电极配置的电容器的中心。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤则考，管野正喜，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP