【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及纳米碳材料的合成领域,特别是涉及一种石墨烯纳米带的制备方法。
技术介绍
石墨烯纳米带是在二维石墨烯平面的基础上,经过一定的剪切而形成的带状结构。石墨烯纳米带不仅拥有石墨烯的性能,还具备一些特殊的性能,例如其长径比较大,可高达上千倍,在集成电路方面可代替铜导线,进一步提高集成度,亦可对其结构进行改性制备成开关器件。目前,石墨烯纳米带的制备方法通常采用切割碳纳米管法,这种方法首先将碳纳米管浸泡在硫酸中,加入强氧化剂后进行加热,在高温作用下利用强氧化剂使碳纳米管开环而得到石墨烯纳米带。这种方制备得到的石墨烯纳米带的通常会引入含氧官能团而对石墨烯纳米带的导电性能产生不良影响,并且尺寸的均一性难以控制,使得最终得到的石墨烯纳米带质量的较差,难以满足实际需求。
技术实现思路
基于此,有必要提供一种石墨烯纳米带的制备方法,以制备质量较好的石墨烯纳米带。一种石墨烯纳米带的制备方法,包括如下步骤:使用稀酸溶液对金属衬底进行刻蚀;在无氧和保护气体的氛围下,将所述金属衬底加热至600℃~900℃;在紫外光的照射下,向所述金属衬底表面通入甲烷、乙烷、丙烷、乙炔及乙醇中的一种,经过光催化化学气相沉积反应30分钟~300分钟,在所述金属衬底表面生成碳纳米壁;反应完成后,在所述保护气体的氛围下将附有碳纳米壁的金属衬底冷却至室温,然后将所述碳纳米壁从所述金属衬底的表面刮下,得到碳 ...
【技术保护点】
一种石墨烯纳米带的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:使用稀酸溶液对金属衬底进行刻蚀;在无氧和保护气体的氛围下,将所述金属衬底加热至600℃~900℃;在紫外光的照射下,向所述金属衬底表面通入甲烷、乙烷、丙烷、乙炔及乙醇中的一种,经过光催化化学气相沉积反应30分钟~300分钟,在所述金属衬底表面生成碳纳米壁;反应完成后,在所述保护气体的氛围下将附有碳纳米壁的金属衬底冷却至室温,然后将所述碳纳米壁从所述金属衬底的表面刮下,得到碳纳米壁粉末;将所述碳纳米壁粉末放置于集流体上并压制成碳纳米壁片层得到工作电极;将对电极、参比电极及所述工作电极共同浸泡于电解液中,在5mA/cm2~100mA/cm2的电流密度、室温下反应1小时~20小时后,将反应后的电解液进行过滤、洗涤滤渣并干燥得到插层碳纳米壁;将所述插层碳纳米壁浸泡于液氮、液氩及液氢中的一种中冷却0.5分钟~30分钟;及将冷却后的插层碳纳米壁置于温度为20℃~300℃的离子液体中浸泡10分钟~300分钟,得到石墨烯纳米带的离子液体分散液,将所述分散液进行过滤,洗涤滤渣并干燥得到石墨烯纳米带。
【技术特征摘要】
1.一种石墨烯纳米带的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
使用稀酸溶液对金属衬底进行刻蚀;
在无氧和保护气体的氛围下,将所述金属衬底加热至600℃~900℃;
在紫外光的照射下,向所述金属衬底表面通入甲烷、乙烷、丙烷、乙炔及
乙醇中的一种,经过光催化化学气相沉积反应30分钟~300分钟,在所述金属衬
底表面生成碳纳米壁;
反应完成后,在所述保护气体的氛围下将附有碳纳米壁的金属衬底冷却至
室温,然后将所述碳纳米壁从所述金属衬底的表面刮下,得到碳纳米壁粉末;
将所述碳纳米壁粉末放置于集流体上并压制成碳纳米壁片层得到工作电
极;
将对电极、参比电极及所述工作电极共同浸泡于电解液中,在
5mA/cm2~100mA/cm2的电流密度、室温下反应1小时~20小时后,将反应后的
电解液进行过滤、洗涤滤渣并干燥得到插层碳纳米壁;
将所述插层碳纳米壁浸泡于液氮、液氩及液氢中的一种中冷却0.5分钟~30
分钟;及
将冷却后的插层碳纳米壁置于温度为20℃~300℃的离子液体中浸泡10分钟
~300分钟,得到石墨烯纳米带的离子液体分散液,将所述分散液进行过滤,洗
涤滤渣并干燥得到石墨烯纳米带。
2.根据权利要求1所述的石墨烯纳米带的制备方法,其特征在于,所述使
用稀酸溶液对金属衬底进行刻蚀的步骤具体为:将所述金属衬底放入浓度为
0.01mol/L~1mol/L的稀酸溶液中刻蚀0.5分钟~10分钟。
3.根据权利要求2所述的石墨烯纳米带的制备方法,其特征在于,所述使
用稀酸溶液对金属衬底进行刻蚀步骤具体为:将所述金属衬底放入浓度为
0.1mol/L~0.5mol/L的稀酸溶液中刻蚀1分钟...
【专利技术属性】
技术研发人员:周明杰,袁新生,王要兵,刘大喜,
申请(专利权)人:海洋王照明科技股份有限公司,深圳市海洋王照明技术有限公司,深圳市海洋王照明工程有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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