发光芯片组合及其制造方法技术

一种发光芯片组合，包括发光芯片及支撑芯片的基座，芯片包括基板、形成于基板上的第一半导体层、第二半导体层及位于第一半导体层及第二半导体层之间的发光层，基板朝向基座的表面形成第一定位结构，基座朝向基板的表面形成第二定位结构，第一定位结构与第二定位结构配合而将芯片定位在基座上。此发光芯片组合可使芯片被精准地安装在基座上，从而防止芯片出现位置不良的情况。本发明专利技术还提供一种发光芯片组合的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种发光芯片组合，包括发光芯片及支撑芯片的基座，芯片包括基板、形成于基板上的第一半导体层、第二半导体层及位于第一半导体层及第二半导体层之间的发光层，基板朝向基座的表面形成第一定位结构，基座朝向基板的表面形成第二定位结构，第一定位结构与第二定位结构配合而将芯片定位在基座上。此发光芯片组合可使芯片被精准地安装在基座上，从而防止芯片出现位置不良的情况。本专利技术还提供一种发光芯片组合的制造方法。【专利说明】
本专利技术涉及一种芯片组合，特别是指一种。
技术介绍
发光二极管作为新兴的光源，已被广泛地应用于各种用途当中。发光二极管通常包括发光芯片、承载芯片的基座及覆盖芯片的封装体。当前，由于高亮度的需求，发光二极管内往往会集成多个芯片。这些芯片密集排列于基座表面，以共同组成较大的发光区域。然而，由于芯片之间排列地较为密集，如若芯片的贴片精度不佳，将容易导致各芯片出现歪斜甚至于重叠的不良现象，影响到整个发光二极管的制造过程。
技术实现思路
因此，有必要提供一种能避免芯片出现位置不良的。—种发光芯片组合，包括发光芯片及支撑芯片的基座，芯片包括基板、形成于基板上的第一半导体层、第二半导体层及位于第一半导体层及第二半导体层之间的发光层，基板朝向基座的表面形成第一定位结构，基座朝向基板的表面形成第二定位结构，第一定位结构与第二定位结构配合而将芯片定位在基座上。一种制造发光芯片组合的方法，包括步骤:提供芯片及基座，芯片包括暂时基板及依次形成于暂时基板上的第二半导体层、发光层及第一半导体层，基座表面形成定位结构；在第一半导体层上形成基板，基板表面形成定位结构；将暂时基板移除；将基板的定位结构对准基座的定位结构，使芯片安装于基座上。由于通过芯片的基板上的第一定位结构与基座上的第二定位结构配合定位，因而在贴片过程中芯片不易发生歪 斜或者重叠而导致位置不良的现象，从而确保芯片能够正确地安装于基座上，使制造过程中的良品率得到提升。下面参照附图，结合具体实施例对本专利技术作进一步的描述。【专利附图】【附图说明】图1不出本专利技术一实施例的发光芯片组合。图2为图1的发光芯片组合的分解图。图3示出制造图1的发光芯片组合的方法的第一个步骤。图4示出制造图1的发光芯片组合的方法的第二个步骤。图5示出制造图1的发光芯片组合的方法的第三个步骤。图6示出制造图1的发光芯片组合的方法的第四个步骤。图7示出制造图1的发光芯片组合的方法的第五个步骤。图8示出制造图1的发光芯片组合的方法的第六个步骤。主要元件符号说明歪光芯片组合|ι【权利要求】1.一种发光芯片组合，包括基座及芯片，芯片包括基板、位于基板上的第一半导体层、第二半导体层及位于第一半导体层及第二半导体层之间的发光层，其特征在于:芯片的基板朝向基座的表面形成第一定位结构，基座朝向基板的表面形成第二定位结构，第一定位结构与第二定位结构配合而将芯片定位在基座上。2.如权利要求1所述的发光芯片组合，其特征在于:第一定位结构包括朝向基座表面的凸起，第二定位结构包括收容凸起的凹槽。3.如权利要求1所述的发光芯片组合，其特征在于:第一半导体层为P型半导体层，第二半导体层为N型半导体层，基板直接与第一半导体层连接。4.一种发光芯片组合的制造方法，包括步骤: 提供芯片及基座，芯片包括暂时基板及依次形成于暂时基板上的第二半导体层、发光层及第一半导体层，基座表面形成定位结构； 在第一半导体层上形成基板，基板表面形成定位结构； 将暂时基板从第二半导体层上移除； 将基板的定位结构对准基座的定位结构，使芯片安装于基座上。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于:在第一半导体层上形成基板的步骤进一步包括: 在第一半导体层上形成接合层； 在接合层上形成光阻层，光阻层部分覆盖接合层表面而使部分接合层暴露在外； 在暴露在外的接合层表面进一步形成填充层； 移除光阻层，填充层与接合层共同形成基板。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于:接合层是通过电镀形成于第一半导体层上，填充层是通过电镀形成于接合层上。7.如权利要求6所述的方法，其特征在于:接合层及填充层均采用镍制成。8.如权利要求5所述的方法，其特征在于:在移除光阻层之前填充层与光阻层齐平。9.如权利要求4所述的方法，其特征在于:第一半导体层为P型半导体层，第二半导体层为N型半导体层。10.如权利要求4所述的方法，其特征在于:基座为电路板。【文档编号】H01L25/075GK103887295SQ201210561891【公开日】2014年6月25日 申请日期:2012年12月22日 优先权日:2012年12月22日 【专利技术者】赖志成 申请人:鸿富锦精密工业（深圳）有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光芯片组合，包括基座及芯片，芯片包括基板、位于基板上的第一半导体层、第二半导体层及位于第一半导体层及第二半导体层之间的发光层，其特征在于：芯片的基板朝向基座的表面形成第一定位结构，基座朝向基板的表面形成第二定位结构，第一定位结构与第二定位结构配合而将芯片定位在基座上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赖志成，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44