一种方块电阻的测量方法技术

本发明专利技术公开了一种方块电阻的测量方法，该方法包括设置搭桥图形和至少一对电极，其中，所述搭桥图形的材料为待测试材料，每对电极中包括相互不连通的两块电极，所述两块电极通过所述搭桥图形连接；测量每对电极中两块电极之间的电阻，并根据测量得到的电阻以及搭桥图形的形状，确定所述待测试材料的方块电阻。本发明专利技术通过测量两块电极之间的电阻，即可确定石墨烯的方块电阻，无需使用非接触式测量设备进行方块电阻的测量，可用于图案化石墨烯的量产检测。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了，该方法包括设置搭桥图形和至少一对电极，其中，所述搭桥图形的材料为待测试材料，每对电极中包括相互不连通的两块电极，所述两块电极通过所述搭桥图形连接；测量每对电极中两块电极之间的电阻，并根据测量得到的电阻以及搭桥图形的形状，确定所述待测试材料的方块电阻。本专利技术通过测量两块电极之间的电阻，即可确定石墨烯的方块电阻，无需使用非接触式测量设备进行方块电阻的测量，可用于图案化石墨烯的量产检测。【专利说明】
本专利技术涉及方块电阻测量领域，尤其涉及。
技术介绍
碳纳米管、富勒烯和石墨烯等纳米碳材料由于具有高迁移率，高透过率等优点，被认为是下一代半导体材料和透明导电薄膜材料的首选，受到越来越多的关注。但将碳纳米管、富勒烯和石墨烯等纳米碳材料应用在量产中，需要实现简单、快速、准确的检测，以保证产品特性。由于碳纳米管、富勒烯和石墨烯等纳米碳材料形成的导电薄膜很薄，一般只有0.35nm左右，因此不能用传统的四探针法测量其方块电阻，需要使用非接触式的方块电阻测量设备测量其方块电阻，然而使用非接触式的方块电阻测量设备进行方块电阻的测量，增加了采购设备的成本，并且碳纳米管、富勒烯和石墨烯等纳米碳材料应用在量产中，一般会进行图案化处理，很有必要评价经过图案化处理后的方块电阻是否受到影响，因此，提供一种快速、准确的测量方块电阻的方法，势在必行。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供，以快速准确的测量方块电阻。一方面，提供，包括:设置搭桥图形和至少一对电极，其中，所述搭桥图形的材料为待测试材料，每对电极中包括相互不连通的两块电极，并通过所述搭桥图形连接；测量每对电极中两块电极之间的电阻，并根据测量得到的电阻以及搭桥图形的形状，确定所述待测试材料的方块电阻。本专利技术提供的方块电阻的测量方法，通过搭桥图形将相互不连通的两块电极连接，通过测量两块电极之间的电阻，确定方块电阻，无需使用非接触式测量设备进行方块电阻的测量，即可快速的测量得到例如石墨烯、纳米材料等形成的导电薄膜的方块电阻，将本专利技术实施例提供的方块电阻的测量方法导入量产，可以在工艺流程过程中快速检测每片基板中待测量薄膜的方块电阻，及时发现电阻异常甚至断线等不良情况并返工，可以提高良率，降低成本。较佳的，分别将每对电极中的两块电极通过搭桥图形进行连接之后，该方法还包括:形成覆盖所述电极与所述搭桥图形的保护层；对所述保护层在对应各电极的位置处进行过孔工艺，并分别形成暴露相应电极的过孔；所述测量每对电极中两块电极之间的电阻，具体包括:通过所述过孔测量每对电极中两块电极之间的电阻。本专利技术中形成覆盖所述电极与所述搭桥图形的保护层，能够对电极以及石墨烯形成的搭桥进行保护，防止发生氧化反应或者发生磕碰等，造成搭桥图形发生变化，影响测量结果，以提高测量精度。进一步的，本专利技术实施例中暴露各电极的过孔大小相同，且各过孔暴露的电极的位置相对电极被搭桥图形连接一侧边缘的距离相等，以将电极电阻抵消，提高测量精度。较佳的，本专利技术实施例中所述电极为金属电极，以提高测量精度。进一步的，本专利技术实施例中，所述金属电极的材料为金、钼金或银，设置的金属电极的对数为一对，以简化测量过程。较佳的，所述根据测量得到的电阻以及搭桥图形的形状，确定所述待测试材料的方块电阻，具体包括:当所述搭桥图形为具有设定长度和宽度的规则几何图形时；按照公式Rs=R*d/L，确定连接每对金属电极的搭桥图形的方块电阻；对确定得到的搭桥图形的方块电阻进行求平均运算，并将得到的平均值作为方块电阻；其中，Rs为搭桥图形的方块电阻，R为每对金属电极中两块金属电极之间测量得到的电阻，d为连接每对金属电极的搭桥图形的宽度，L为位于两块金属电极之间的搭桥图形的长度。具体的，本专利技术实施例中对确定得到的搭桥图形的方块电阻进行求平均运算，并将得到的平均值作为方块电阻，能够进一步提高方块电阻的计算精度。较佳的，本专利技术实施例中所述金属电极的材料为钥、铝、钕、铜或金属合金，设置的金属电极的对数为至少两对 ，以使电极的材料可以选用制作显示面板中用到的材料，简化工艺。进一步的，本专利技术实施例中设置的金属电极的对数为两对。较佳的，所述根据测量得到的电阻以及搭桥图形的形状，确定所述待测试材料的方块电阻，具体包括:当所述搭桥图形为具有设定长度和宽度的规则几何图形，且各搭桥图形位于两块金属电极之间的长度不等时； — ji I按照公式分别确定每两对金属电极的搭桥图形的方块电阻；对确定得到搭桥图形的方块电阻进行求平均运算，并将得到的平均值作为石墨烯的方块电阻；其中，Rs为搭桥图形的方块电阻，Rl为第一对金属电极中两块金属电极之间的电阻，dl为连接第一对金属电极的搭桥图形的宽度，11为位于第一对金属电极中两块金属电极之间的搭桥图形的长度，R2为第二对金属电极中两块金属电极之间的电阻，d2为连接第二对金属电极的搭桥图形的宽度，12为位于第二对金属电极中两块金属电极之间的搭桥图形的长度。本专利技术实施例中以两对电极之间测得的方块电阻做差，并对确定得到的搭桥图形的方块电阻进行求平均运算，将得到的平均值作为石墨烯的方块电阻，能够进一步提高方块电阻的计算精度。进一步的，本专利技术 实施例中所述待测试材料为纳米碳材料,本专利技术实施例提供的方块电阻测量方法，适用于诸如石墨烯、纳米碳材料或纳米导电材料等形成的较薄的薄膜的方块电阻的测量。【专利附图】【附图说明】图1为本专利技术实施例提供的方块电阻测量方法流程图；图2为本专利技术实施例提供的方块电阻测量方法又一流程图；图3A-图3C为本专利技术实施例提供的方块电阻测量实施过程示意图；图4为本专利技术实施例中通过过孔测量电极之间电阻的示意图；图5为本专利技术实施例提供的方块电阻测量方法再一流程图；图6A-图6B为本专利技术实施例提供的方块电阻测量又一实施过程示意图。【具体实施方式】下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，并不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例一本专利技术实施例一提供，图1所示为本专利技术实施例一提供的方块电阻的测量方法流程图，如图1所示，该方法包括:SlOl:设置搭桥图形和相互不连通的至少一对电极，搭桥图形的材料为待测试材料，每对电极中包括相互不连通的两块电极，两块电极通过搭桥图形连接。具体的，本专利技术实施例中设置搭桥图形和电极的顺序不分先后，可先设置相互不连通的至少一对电极，然后利用待测试材料形成搭桥图形，分别将每对电极中的两块电极连接，也可以预先形成搭桥图形，然后在搭桥图形上设置电极，使两块电极通过待测试材料形成的搭桥图形连接。S102:测量每对电极中通过搭桥图形连接的两块电极之间的电阻，并根据测量得到的电阻以及搭桥图形的形状，确定待测量材料的方块电阻。本专利技术提供的方块电阻的测量方法，通过搭桥图形，将相互不连通的两块电极连接，通过测量两块电极之间的电阻，确定方块电阻，无需使用非接触式测量设备直接对导电薄膜进行测量，即可测量得到导电薄膜的方块电阻，操作精度要求较低，实现简单，可用于图案化导电薄膜的量产检测，以在工艺流程过程中快速检测每片基板中待测量薄膜的方块电阻，及时本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方块电阻的测量方法，其特征在于，包括：设置搭桥图形和至少一对电极，其中，所述搭桥图形的材料为待测试材料，每对电极中包括相互不连通的两块电极，所述两块电极通过所述搭桥图形连接；测量每对电极中两块电极之间的电阻，并根据测量得到的电阻以及搭桥图形的形状，确定所述待测试材料的方块电阻。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：舒适，孙冰，张斌，卢珂鑫，石岳，吕志军，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11