结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物及织构蚀刻方法技术

本发明专利技术涉及一种结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物以及织构蚀刻方法，更详细涉及如下结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物以及织构蚀刻方法：通过包含由具有氮原子的碳数为4～10的环状化合物进行取代后的单体聚合而成的高分子，在结晶性硅晶片的表面形成微细金字塔结构时，能够形成使不同位置的织构的质量偏差变得最小以增加光效率并降低反射率的、特定结构的金字塔。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术涉及一种结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物以及织构蚀刻方法，更详细涉及如下结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物以及织构蚀刻方法：通过包含由具有氮原子的碳数为4～10的环状化合物进行取代后的单体聚合而成的高分子，在结晶性硅晶片的表面形成微细金字塔结构时，能够形成使不同位置的织构的质量偏差变得最小以增加光效率并降低反射率的、特定结构的金字塔。【专利说明】
本专利技术涉及一种能够使结晶性硅晶片表面不同位置的织构的质量偏差变得最小并提高光效率的、。
技术介绍
近几年，迅速普及的作为下一代能源的太阳能电池，是一种将清洁能源的太阳能直接转换为电能的电子元件，并且由PN结半导体基板构成，所述PN结半导体基板是将硼添加于娃中的P型娃半导体作为基板，并使磷扩散于其表面从而形成了 N型娃半导体层。当对由PN结形成电场的基板照射如太阳光这样的光时，半导体内的电子(_)与空穴(+ )受到激发，并成为在半导体内部自由移动的状态，当进入由PN结形成的电场时，电子(-)会到达N型半导体，空穴(+ )会到达P型半导体。如果在P型半导体以及N型半导体的表面形成电极而使电子向外部电路流动，则会生成电流，通过这样的原理，将太阳能转换为电能。因此，为了提高太阳能的转换率，必须使PN结半导体基板的每单位面积的电力输出变得最大，为此，必须使反射率降低，并使光吸收量变得最大。考虑到这些观点，在构成PN结半导体基板的太阳能电池用硅晶片的表面形成微细金字塔结构，并实施防反射膜的处理。对于被织构化为微细金字塔结构的硅晶片表面，通过使具有较宽波长段的入射光的反射率降低，并使预先吸收的光强度增加，从而能够提高太阳能电池的性能即效率。作为将硅晶片表面织构化为微细金字塔结构的方法，在美国专利第4，137，123号中，公开了在各向异性蚀刻液中溶解了 0.5~10重量％娃的娃织构蚀刻液,所述各向异性蚀刻液包含O~75体积％的乙二醇、0.05~50重量％的氢氧化钾以及余量水。然而，这种蚀刻液可能会导致金字塔形成不良而使光反射率增加，并带来效率的降低。另外，在欧洲专利第047`7424号中，公开了向织构蚀刻液供给氧气、即伴随通气工序的织构蚀刻方法，所述织构蚀刻液是使硅溶解于乙二醇、氢氧化钾以及余量水中。然而，这种蚀刻方法具有如下缺点:不仅导致金字塔形成不良，引起光反射率的增加以及效率的降低，还需要另外设置通气装置。另外，在韩国注册专利第10-0180621号中，公开了以0.5~5%的氢氧化钾溶液、3~20体积％的异丙醇、75~96.5体积％的去离子水的配比进行混合的织构蚀刻溶液，在美国专利第6，451，218号中，公开了包含碱化合物、异丙醇、水溶性碱性乙二醇以及水的织构蚀刻溶液。然而，在这些蚀刻溶液中都包含沸点较低的异丙醇，由于在织构工序中必须补充投入该异丙醇，因此在生产率以及成本方面很不经济，而且因补充投入的异丙醇而发生蚀刻液的温度梯度，导致硅晶片表面的不同位置的织构的质量偏差变大，可能会影响均匀性。现有技术文献专利文献专利文献1:美国专利公报第4，137，123号专利文献2:欧洲专利公报第0477424号专利文献3:韩国注册专利公报第10-0180621号
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题本专利技术的目的是提供一种如下的结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物:其是在结晶性硅晶片的表面形成微细金字塔结构时，能够形成使不同位置的织构的质量偏差变得最小以增加光效率并降低反射率的、特定结构的金字塔。另外，本专利技术的目的是提供一种在蚀刻工序中不需要另外投入蚀刻液成分、以及应用通气工序的结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物。另外，本专利技术的另一目的是提供一种利用所述结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物的织构蚀刻方法。为解决技术问题的方法1.一种结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物，所述组合物包含:由至少具有一个氮原子的碳数4~10的环状化合物进行取代后的单体聚合而成的高分子。2.在所述项目I的结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物中，在所述单体的环结构中，还具有氧原子以及硫原子中的至少一个原子。3.在所述项目I的结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物中，所述单体是从N-乙烯吡咯烷酮、N-丙烯酰吗啉、N-乙烯基琥珀酰亚胺、N-丙烯酰氧基琥珀酰亚胺、N-乙烯基己内酰胺、N-乙烯基咔唑以及N-丙烯酰基吡咯烷中选出的一种以上单体。4.在所述项目I的结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物中，所述高分子的重均分子量为 1，000 ~1，000，000。`5.在所述项目I的结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物中，所述高分子的沸点为100°C以上。6.在所述项目I的结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物中，包含:相对于蚀刻液组合物总重量的、10_12~I重量％的所述高分子。7.在所述项目I的结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物中，还包含碱性化合物。8.在所述项目I的结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物中，还包含多糖类。9.在所述项目7的结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物中，所述碱性化合物是从氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化铵、四羟基甲胺以及四羟基乙胺中选出的一种以上碱性化合物。10.在所述项目8的结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物中，所述多糖类是从葡聚糖类化合物、果聚糖类化合物、甘露聚糖类化合物、半乳聚糖类化合物以及它们的金属盐中选出的一种以上多糖。11.在所述项目8的结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物中，所述多糖类是从纤维素、二甲氨基乙基纤维素、二乙氨基乙基纤维素、乙基羟乙基纤维素、甲基羟乙基纤维素、4-氨基苄基纤维素、三乙基氨基乙基纤维素、氰乙基纤维素、乙基纤维素、甲基纤维素、羧甲基纤维素、羧乙基纤维素、羟乙基纤维素、羟丙基纤维素、藻酸、直链淀粉、支链淀粉、果胶、淀粉、糊精、α -环糊精、β -环糊精、Y -环糊精、羟丙基-β -环糊精、甲基-β -环糊精、右旋糖酐、右旋糖酐硫酸钠、皂甙、糖原、酵母聚糖、香菇多糖、西佐糖以及它们的金属盐中选出的一种以上葡聚糖类化合物。12.在所述项目I的结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物中，还包含磺酸盐类阴离子表面活性剂。13.在所述项目12的结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物中，所述磺酸盐类阴离子表面活性剂是从PEG-12聚二甲基硅氧烷磺基琥珀酸二钠、二辛基磺基琥珀酸钠、十二烷基苯磺酸钠、月桂基磺基琥珀酸二钠、PEG-12聚二甲基硅氧烷磺基琥珀酸二钾、二己基磺基琥珀酸钠、二月桂基磺基琥珀酸钠、二辛基磺基琥珀酸钾、二己基磺基琥珀酸钾、二月桂基磺基琥珀酸钾以及月桂基磺基琥珀酸二钾中选出的一种以上磺酸盐类阴离子表面活性剂。14.在所述项目I的结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物中，还包含二氧化硅化合物。15.在所述项目14的结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物中，所述二氧化硅化合物是从如下化合物中选出的一种以上化合物:微粉末二氧化硅；使Na2O稳定的二氧化硅胶体分散液；使K2O稳定的二氧化硅胶体分散液；使酸性液体稳定的二氧化硅胶体分散液；使NH3稳定的二氧化硅胶体分散液；使选自乙醇、丙醇、乙二醇、丁酮以及甲基异丁基酮中的一种以上有机溶剂稳定的二氧化硅胶体分散液；液态硅酸钠；液态硅酸钾；以及液态硅酸锂。16.在所述项目14的结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物中，包含:相对于蚀刻液组合物总重量的、10_5~10重量％的所述二氧化硅化合物。17.一种结晶性硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物，所述组合物包含：由至少具有一个氮原子的碳数为4～10的环状化合物进行取代后的单体聚合而成的高分子。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪亨杓，李在连，朴勉奎，林大成，
申请(专利权)人：东友精细化工有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR