钼合金膜及铟氧化膜的蚀刻液组合物制造技术

本发明专利技术涉及一种钼合金膜及铟氧化膜的蚀刻液组合物，尤其是一种用于钼合金膜、铟氧化膜或钼合金膜和铟氧化膜的多重膜的蚀刻液组合物，基于整体组合物总重量，其包含：5%至25%重量百分比的过氧化氢，0.1%至2重量百分比%的腐蚀抑制剂，0.1%至2%重量百分比的全氟化合物，0.1%至2%重量百分比的全氯化合物，0.1%至5%重量百分比的双氧水稳定剂及使整体组合物的重量百分比达到100%的水。本发明专利技术的目的在于，对用于TFT-LCD像素电极上的钼合金膜、铟氧化膜或钼合金膜与铟氧化膜的多重膜进行蚀刻时，控制析出物的生成，提高蚀刻设备的耐久性，可最大程度地减小对用于TFT源极和漏极的铜的腐蚀。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术涉及一种钼合金膜及铟氧化膜的蚀刻液组合物，尤其是一种用于钼合金膜、铟氧化膜或钼合金膜和铟氧化膜的多重膜的蚀刻液组合物，基于整体组合物总重量，其包含：5%至25%重量百分比的过氧化氢，0.1%至2重量百分比%的腐蚀抑制剂，0.1%至2%重量百分比的全氟化合物，0.1%至2%重量百分比的全氯化合物，0.1%至5%重量百分比的双氧水稳定剂及使整体组合物的重量百分比达到100%的水。本专利技术的目的在于，对用于TFT-LCD像素电极上的钼合金膜、铟氧化膜或钼合金膜与铟氧化膜的多重膜进行蚀刻时，控制析出物的生成，提高蚀刻设备的耐久性，可最大程度地减小对用于TFT源极和漏极的铜的腐蚀。【专利说明】钼合金膜及铟氧化膜的蚀刻液组合物
本专利技术涉及一种对用于TFT-1XD像素电极上的钥合金膜及铟氧化膜进行蚀刻时，在蚀刻工程中，控制析出物的生成，提高铜腐蚀抑制性能的用于钥合金膜、铟氧化膜或钥合金膜和铟氧化膜的多重膜的蚀刻液组合物。
技术介绍
在半导体装置及TFT-1XD等液晶显示器的像素电极上，使用钥合金膜、铟氧化膜等单一膜或是钥合金膜与铟氧化膜的多重膜。所述像素电极一般是通过以溅射等方法在基板上积层，在其上均匀地涂抹光刻胶，然后通过刻有图案的薄膜，进行光照射后成像，使所需的图案光刻胶成像，采用干式蚀刻或湿式蚀刻，在光刻胶下部的金属膜上显示图案后，剥离去除不需要的光刻胶等一系列的光刻工程而完成的。使用相同的蚀刻液对上述钥合金膜及铟氧化膜进行蚀刻时，虽然可以简化制造工程，但是一般来说钥合金膜的耐化学性良好，存在不易湿式蚀刻的问题；另外，为了蚀刻铟氧化膜所使用的乙二酸系列的蚀刻液，是无法蚀刻钥合金膜的。在以往技术中，韩国专利公开公报第2008-0045853号、专利公开公报第2008-0045854号、专利公开公报第2008-0107502号中公开了一种蚀刻液，但是在使用以往技术的蚀刻液对钥合金膜和铟氧化膜进行蚀刻时，蚀刻液和金属膜之间发生化学反应，会生成析出物，导致像素不良等问题。另外，在持续使用时，还存在蚀刻设备工程时间及耐久性低下等问题。此外，用于下部TFT源极及漏极的铜膜的腐蚀抑制性能也并不完全，从而使一部分铜模被腐蚀，出现整体部件的收率较低等问题。为了最大程度地减少，甚至是杜绝蚀刻液与钥合金膜及铟氧化膜之间可产生析出物的化学反应，则需要开发出一种可改善下部铜膜的腐蚀抑制性能，并用于钥合金膜、铟氧化膜及钥合金膜和铟氧化膜的多重膜的蚀刻液。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术的目的在于提供一种对用于TFT-1XD像素电极上的钥合金膜、铟氧化膜及钥合金膜和铟氧化膜的多重膜进行蚀刻时，在蚀刻工程中，控制析出物的生成，提高蚀刻设备的耐久性，可最大程度地减小对用于TFT源极和漏极的铜的腐蚀的蚀刻液组合物。为了实现上述专利技术目的，本专利技术的用于钥合金膜、铟氧化膜或钥合金膜和铟氧化膜的多重膜的蚀刻液组合物，基于整体组合物总重量，包含:5%至25%重量百分比的过氧化氢，0.1%至2%重量百分比的腐蚀抑制剂，0.1%至2%重量百分比的全氟化合物，0.1%至2%重量百分比的全氯化合物，0.1%至5%重量百分比的双氧水稳定剂及使整体组合物的重量百分比达到100%的水。本专利技术的有益效果是，本专利技术提供了一种对用于TFT-1XD像素电极上的钥合金膜、铟氧化膜及钥合金膜和铟氧化膜的多重膜进行蚀刻的蚀刻液组合物，在蚀刻钥合金膜、铟氧化膜及钥合金膜和铟氧化膜的多重膜时，可控制析出物的生成，提高像素电极的蚀刻工程的信赖性及蚀刻设备的耐久性，从而稳定地进行蚀刻工程。另外，少量的腐蚀抑制剂组合可以提高下部源极及漏极的铜腐蚀抑制性能。【专利附图】【附图说明】图1是使用本专利技术实施例11的蚀刻液组合物对钥钛合金膜进行蚀刻后，使用扫描电子显微镜观察到的基板表面的照片；图2是使用本专利技术实施例11的蚀刻液组合物对铟锡氧化膜进行蚀刻后，使用扫描电子显微镜观察到的基板表面的照片；图3是使用本专利技术实施例11的蚀刻液组合物对铜/钥合金膜进行处理后，使用扫描电子显微镜观察到的基板表面的照片；图4是使用本专利技术对比例I的蚀刻液组合物对铜/钥合金膜进行处理后，使用扫描电子显微镜观察到的基板表面的照片；图5是在本专利技术实施例11的蚀刻液组合物中，分别放入1000ppm的钥钛合金及铟锡氧化物进行搅拌后的药液的照片；图6是在本专利技术对比例I的蚀刻液组合物中，分别放入1000ppm的钥钛合金及铟锡氧化物进行搅拌后，生成析出物的药液的照片。【具体实施方式】在TFT-1XD像素电极上，使用钥合金膜及铟氧化膜等单一膜或钥合金膜和铟氧化膜的多重膜，本专利技术的蚀刻液组合物可以蚀刻钥合金膜、铟氧化膜及钥合金膜与铟氧化膜构成的多重膜，采用相同的蚀刻液组合物可以蚀刻钥合金膜、铟氧化膜及钥合金膜与铟氧化膜构成的多重膜，可使蚀刻设备等简`易化，另外还具有使TFT-LCD制造工程简易化的优点。所述钥合金膜可以是和多种金属的合金，优选为钛合金；所述铟氧化膜可优选为铟锡氧化膜(ΙΤ0)或铟锌氧化膜(ΙΖ0)。本专利技术的用于钥合金膜、铟氧化膜或钥合金膜和铟氧化膜的多重膜的蚀刻液组合物，基于整体组合物总重量，其包含:5%至25%重量百分比的过氧化氢，0.1%至2%重量百分比的腐蚀抑制剂，0.1%至2%重量百分比的全氟化合物，0.1%至2%重量百分比的全氯化合物，0.1%至5%重量百分比的双氧水稳定剂及使整体组合物的重量百分比达到100%的水。在本专利技术的蚀刻液组合物中，所述过氧化氢为钥合金的主要酸化剂。基于组合物的总重量，优选为含5%至25%重量百分比的过氧化氢。过氧化氢不足5%重量百分比时，对钥合金的酸化不够充分，无法实现蚀刻；超出25%重量百分比时，会导致对像素电极的下部膜等发生过度蚀刻。所述腐蚀抑制剂在像素电极蚀刻工程中，可以防止由于像素电极和源极漏极的连接孔及绝缘膜的断裂等而导致铜膜被蚀刻。所述腐蚀抑制剂，基于组合物的总重量，其含量优选为0.1%至2%重量百分比。不足0.1%重量百分比时，铜膜的腐蚀抑制性能不充分，难以防止被用于源极和漏极的铜膜被腐蚀；超出2%重量百分比时，虽然具有卓越的腐蚀抑制性能，但是对于组成像素电极的钥合金膜、铟氧化膜或钥合金膜和铟氧化膜的多重膜的蚀刻，其蚀刻速度则会低下。所述腐蚀抑制剂可以使用杂环芳香族化合物、杂环脂肪族化合物或多羟基醇类等。具体来说，所述杂环芳香族化合物可以是呋喃、噻吩、吡咯、恶唑、噻唑、咪唑、吡唑、1，2，4-三氮唑、四唑、氧茚、苯并噻吩、吲哚、苯并噻唑、苯并咪唑、苯并吡唑、氨基四唑、甲基四唑、甲基苯并三唑、氧甲基苯并三唑(hydro-tolutriazole)或轻甲基苯并三唑(hydroxye-tolutriazole);所述杂环脂肪族化合物可以是哌嗪、甲基哌嗪、轻乙基哌嗪、批咯烷及四氧嘧啶；所述多羟基醇是五倍子酸、五倍子酸甲酯、五倍子酸乙酯、五倍子酸丙酯、五倍子酸丁酯等芳香族多羟基醇，或是丙三醇、赤藻糖醇、山梨糖醇、甘露糖醇及木糖醇等线性多羟基醇。所述杂环芳香族化合物、杂环脂肪族化合物或多羟基醇类可以同时使用一种或是两种以上的化合物。本专利技术的全氟化合物对于所述钥合金膜及铟氧化膜，起到主蚀刻剂的作用，可提高蚀刻速度，去除残渣。所述全氟化合物本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于钼合金膜、铟氧化膜或钼合金膜和铟氧化膜的多重膜的蚀刻液组合物，其特征在于，基于整体组合物总重量，包含：5%至25%重量百分比的过氧化氢，0.1%至2%重量百分比的腐蚀抑制剂，0.1%至2%重量百分比的全氟化合物，0.1%至2%重量百分比的全氯化合物，0.1%至5%重量百分比的双氧水稳定剂及使整体组合物的重量百分比达到100%的水。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：申孝燮，金世训，李恩庆，柳炫圭，
申请(专利权)人：易安爱富科技有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR