单晶炉中轴盖制造技术

技术编号:10143956 阅读:105 留言:0更新日期:2014-06-30 14:46
本实用新型专利技术单晶炉中轴盖,包括接触板以及设置在所述接触板上、下表面的内圈及提拉环;其中所述接触板为圆形,所述接触板的直径大于单晶炉中轴管道口的内直径;所述内圈为圆形,所述内圈的直径小于单晶炉中轴管道口的内直径。所述接触板与所述内圈同轴设置。本实用新型专利技术单晶炉中轴盖使用中轴盖,在单晶炉热场清扫过程中覆盖在中轴管道之上,防止氧化物粉尘、颗粒堵塞管道。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术单晶炉中轴盖,包括接触板以及设置在所述接触板上、下表面的内圈及提拉环;其中所述接触板为圆形,所述接触板的直径大于单晶炉中轴管道口的内直径;所述内圈为圆形,所述内圈的直径小于单晶炉中轴管道口的内直径。所述接触板与所述内圈同轴设置。本技术单晶炉中轴盖使用中轴盖,在单晶炉热场清扫过程中覆盖在中轴管道之上,防止氧化物粉尘、颗粒堵塞管道。【专利说明】单晶炉中轴盖
本技术涉及一种单晶炉工具,特别是一种单晶炉中轴盖。
技术介绍
单晶炉制取单晶晶棒过程中产生灰尘、颗粒,在炉体以及热场部件中附着,需要清理,清理过程中容易进入到炉体下部管道的波纹管中。容易导致波纹管损坏,以及影响单晶制取正常进行。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种防止氧化物粉尘、颗粒堵塞管道的单晶炉中轴至JHL ο为解决上述技术问题,本技术单晶炉中轴盖,包括接触板以及设置在所述接触板上、下表面的内圈及提拉环;其中所述接触板为圆形,所述接触板的直径大于单晶炉中轴管道口的内直径;所述内圈为圆形,所述内圈的直径小于单晶炉中轴管道口的内直径。所述接触板与所述内圈同轴设置。本技术单晶炉中轴盖使用中轴盖,在单晶炉热场清扫过程中覆盖在中轴管道之上,防止氧化物粉尘、颗粒堵塞管道。【专利附图】【附图说明】图1为本技术单晶炉中轴俯视视图;图2为本技术单晶炉中轴盖正视图图3为本技术单晶炉中轴盖使用示意图。本技术单晶炉中轴盖附图中附图标记说明:1-单晶炉 2-中轴盖 3-管道口4-中轴 5-接触板 6-内圈7-提拉环【具体实施方式】下面结合附图对本技术单晶炉中轴盖作进一步详细说明。如图1?图3所示,本技术单晶炉中轴盖,包括:圆形接触板5以及设置在接触板5下表面的圆形内圈6,接触板5与内圈6同轴设置。在接触板5上表面上安装提拉环7。接触板5的直径大于单晶炉I中轴4管道口 3的内直径;内圈6的直径小于单晶炉I中轴4管道口 3的内直径。单晶炉I台制取单晶结束后,清扫炉台时,或者在其他情况需要清扫炉台时,下降中轴4至管道口 3下部,中轴4下降至平齐管道口 3之后,手拿提提拉环7,盖上中轴4盖2,使接触板5与管道口 3后接触良好,进行正常清扫,包括单晶炉I炉内热场部件,热场部件以及炉内清扫结束后,手拿提拉环7,取出中轴4盖2。本技术单晶炉中轴盖使用中轴盖,在单晶炉热场清扫过程中覆盖在中轴管道之上,防止氧化物粉尘、颗粒堵塞管道。以上已对本技术创造的较佳实施例进行了具体说明,但本技术创造并不限于实施例,熟悉本领域的技术人员在不违背本技术创造精神的前提下还可作出种种的等同的变型或替换,这些等同的变型或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。【权利要求】1.单晶炉中轴盖,其特征在于,包括接触板以及设置在所述接触板上、下表面的内圈及提拉环;其中 所述接触板为圆形,所述接触板的直径大于单晶炉中轴管道口的内直径; 所述内圈为圆形,所述内圈的直径小于单晶炉中轴管道口的内直径。2.根据权利要求1所述的单晶炉中轴盖,其特征在于,所述接触板与所述内圈同轴设置。【文档编号】C30B35/00GK203668557SQ201320690986【公开日】2014年6月25日 申请日期:2013年11月4日 优先权日:2013年11月4日 【专利技术者】陈小林, 贺贤汉 申请人:上海申和热磁电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
单晶炉中轴盖,其特征在于,包括接触板以及设置在所述接触板上、下表面的内圈及提拉环;其中所述接触板为圆形,所述接触板的直径大于单晶炉中轴管道口的内直径;所述内圈为圆形,所述内圈的直径小于单晶炉中轴管道口的内直径。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:陈小林贺贤汉
申请(专利权)人:上海申和热磁电子有限公司
类型:新型
国别省市:上海;31

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