本实用新型专利技术公开了一种降低光刻基片吸附翘曲度的辅助装置，包括基体，所述基体的形状与光刻基片的形状一致，该基体为硬质片状结构，在基体上开设有若干通孔；其中，所述通孔包括一位于基体中部的中心通孔和至少一圈呈环形分布于中心通孔周围的外围通孔；所述中心通孔和外围通孔均与光刻基片上的镂空结构错位设置。本实用新型专利技术适用于多种光刻基片，并且能够保证光刻基片在光刻过程中的平整度，从而提高光刻基片的光刻精度，同时降低生产成本。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种降低光刻基片吸附翘曲度的辅助装置，包括基体，所述基体的形状与光刻基片的形状一致，该基体为硬质片状结构，在基体上开设有若干通孔；其中，所述通孔包括一位于基体中部的中心通孔和至少一圈呈环形分布于中心通孔周围的外围通孔；所述中心通孔和外围通孔均与光刻基片上的镂空结构错位设置。本技术适用于多种光刻基片，并且能够保证光刻基片在光刻过程中的平整度，从而提高光刻基片的光刻精度，同时降低生产成本。【专利说明】一种降低光刻基片吸附翘曲度的辅助装置
本技术涉及微机械加工的光刻工艺
，尤其涉及一种降低光刻基片吸附翘曲度的辅助装置。
技术介绍
在微机械工艺中，光刻基片经湿法腐蚀或干法刻蚀后制作有镂空结构，进一步进行图形制作时，多采用喷涂胶和光刻的方式实现。现有光刻机的吸盘有边缘吸附和整片吸附两种，整片吸附适合于表面完整的光刻基片，边缘吸附适合于制作有镂空结构的光刻基片。而制作镂空结构的光刻基片光刻时若只有边缘吸附，易造成基片内部的翘曲，降低光刻的精度；若参照吸盘的吸附结构对光刻基片上的器件进行布局，将导致光刻基片面积利用率和布局灵活性下降；若参照光刻基片布局对吸盘吸附结构重新设计，成本高且操作麻烦；并且由于吸盘的精度要求较高，因此根据每一种基片分别制作一个吸盘，就会大大增加生产成本。
技术实现思路
针对现有技术存在的上述不足，本技术的目的就在于提供一种降低光刻基片吸附翘曲度的辅助装置，适用于多种光刻基片，并且能够保证光刻基片在光刻过程中的平整度，从而提高光刻基片的光刻精度，同时降低生产成本。为了实现上述目的，本技术采用的技术方案是这样的:一种降低光刻基片吸附翘曲度的辅助装置，包括基体，所述基体的形状与光刻基片的形状一致，其特征在于:该基体为硬质片状结构，在基体上开设有若干通孔；其中，所述通孔包括一位于基体中部的中心通孔和至少一圈呈环形分布于中心通孔周围的外围通孔；所述中心通孔和外围通孔均与光刻基片上的镂空结构错位设置。进一步地，所述外围通孔为两圈:外环通孔和内环通孔，所述外环通孔靠近基体的边缘，所述内环通孔位于中心通孔与外环通孔之间。采用外环通孔与内环通孔的结合，从而使光刻基片与基体的贴附效果更好，从而确保光刻基片的平整度，进而提高光刻精度。进一步地，所述外环通孔与内环通孔分别均匀分布在所在圆周上。这样能够使光刻基片收到的吸附力更加均衡，从而进一步提闻光刻基片的平整度。进一步地，所述通孔呈圆形、矩形或三角形。使结构简单，加工方便。进一步地，所述基体的材质为硅或者石英。加工方便,成本低廉,并使基体表面平整度更高，从而使光刻基片能更好地与基体贴附。与现有技术相比，本技术具有如下优点:结构简单，使用方便，只要基体上的通孔与光刻基片上的镂空位置错开，即可使用，从而使本装置能够适用于多种光刻基片，使用范围更广；并且能够保证光刻基片在光刻过程中的平整度，从而提高光刻基片的光刻精度；同时，只需根据需要更换本辅助装置，而无需更换吸盘，不仅使用方便，并且能有效降低生产成本。【专利附图】【附图说明】图1为本技术实施例1的结构示意图；图2为本技术实施例2的结构示意图。图中:I一基体，21—中心通孔，22—外环通孔，23—内环通孔。【具体实施方式】下面将结合附图及实施例对本技术作进一步说明。实施例:一种降低光刻基片吸附翘曲度的辅助装置，包括基体，所述基体的形状与光刻基片的形状一致，即:基体整体呈圆盘结构，在基体的边缘具有一切边(其一侧形成一直边)。该基体为硬质片状结构，制作时，所述基体的材质为硅或者石英；成本低廉，且加工方便，并使基体表面平整度更高，从而使光刻基片能更好地与基体贴附。在基体上开设有若干通孔，其中，所述通孔包括一位于基体中部的中心通孔和至少一圈呈环形分布于中心通孔周围的外围通孔；具体实施时，所述外围通孔可以为一圈，也可以为多圈，根据实际的光刻基片的结构进行加工；且位于最外侧的一圈外围通孔靠近基体的边缘。所述中心通孔和外围通孔均与光刻基片上的镂空结构错位设置。所述外围通孔均匀分布在所在圆周上；这样能够使光刻基片收到的吸附力更加均衡，从而进一步提闻光刻基片的平整度。具体加工时，所述通孔呈圆形、矩形或三角形；使结构简单，加工方便。所述通孔的加工可采用微机械工艺加工、激光加工、超声加工、传统机械加工；从而使加工更方便、快捷，且减少基体本身所受到的损伤。在光刻工艺环节，将本辅助装置安放到光刻机吸盘上，而后将待光刻且制作有镂空结构的光刻基片与该辅助装置对齐并放置到该辅助装置上；然后从内到外依次开启中心通孔和外围通孔所连接的真空吸附通道，完成基片吸附；从而有效地将光刻基片进行吸附，且能够有效降低光刻基片吸附时的翘曲度。由此可见，通过在光刻机吸盘和待光刻的基片之间安放过本辅助装置，缩短了基片上各个吸附点之间的间距，可有效降低光刻基片的翘曲度，提高光刻精度。此外，本辅助装置基于硅或者石英材料制作，加工方法包括微机械工艺加工、激光加工、超声加工、传统机械加工等多种方法，加工方便且成本低；只需将其安放到光刻机吸盘上即可进行光刻操作，使用简单方便。实施例1，参见图1，所述外围通孔为一圈，且靠近基体I的边缘，即外环通孔22 ；在光刻的基片尺寸较小时，只设置中心通孔21和一圈外围通孔即可满足光刻时的翘曲度要求，且有利于提高光刻基片的面积利用率。实施例2,参见图2 ;所述外围通孔为两圈:外环通孔22和内环通孔23,所述外环通孔22靠近基体I的边缘，所述内环通孔23位于中心通孔与外环通孔22之间。采用外环通孔22与内环通孔23的结合，从而使光刻基片与基体I的贴附效果更好，从而确保光刻基片的平整度，进而提高光刻精度。所述外环通孔22、内环通孔23分别均匀分布在所在圆周上；这样能够使光刻基片收到的吸附力更加均衡。最后需要说明的是，以上实施例仅用以说明本技术的技术方案而非限制技术方案，本领域的普通技术人员应当理解，那些对本技术的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本技术方案的宗旨和范围，均应涵盖在本技术的权利要求范围当中。【权利要求】1.一种降低光刻基片吸附翘曲度的辅助装置，包括基体，所述基体的形状与光刻基片的形状一致，其特征在于:该基体为硬质片状结构，在基体上开设有若干通孔；其中，所述通孔包括一位于基体中部的中心通孔和至少一圈呈环形分布于中心通孔周围的外围通孔；所述中心通孔和外围通孔均与光刻基片上的镂空结构错位设置。2.根据权利要求1所述的一种降低光刻基片吸附翘曲度的辅助装置，其特征在于:所述外围通孔为两圈:外环通孔和内环通孔，所述外环通孔靠近基体的边缘，所述内环通孔位于中心通孔与外环通孔之间。3.根据权利要求2所述的一种降低光刻基片吸附翘曲度的辅助装置，其特征在于:所述外环通孔与内环通孔分别均匀分布在所在圆周上。4.根据权利要求1所述的一种降低光刻基片吸附翘曲度的辅助装置，其特征在于:所述通孔呈圆形、矩形或三角形。5.根据权利要求1所述的一种降低光刻基片吸附翘曲度的辅助装置，其特征在于:所述基体的材质为硅或者石英。【文档编号】C23F1/08GK203668516SQ201420026636【公开日】2014年6月25日 申请日期:2014年1月16日 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种降低光刻基片吸附翘曲度的辅助装置，包括基体，所述基体的形状与光刻基片的形状一致，其特征在于：该基体为硬质片状结构，在基体上开设有若干通孔；其中，所述通孔包括一位于基体中部的中心通孔和至少一圈呈环形分布于中心通孔周围的外围通孔；所述中心通孔和外围通孔均与光刻基片上的镂空结构错位设置。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：林丙涛，赵建华，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二十六研究所，
类型：新型
国别省市：重庆;85
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