MEMS器件真空封装结构制造技术

本发明专利技术提供一种MEMS器件真空封装结构，至少包括基板、结构层及盖板。本发明专利技术基板中形成填充有外延材料及绝缘层的通孔，通孔（环形隔离结构）侧壁的绝缘材料实现电学隔离，且由于通孔采用外延生长的硅材料来填充，则其填充物致密性很高，提高器件真空封装结构的可靠性，同时有效解决金属填充物与硅的热膨胀系数差异引起的可靠性降低的问题；本发明专利技术为全硅结构，具有无放气、长期稳定性好和可靠性好的优势；当MEMS器件存在需要电极对应的组件时，则形成与所述组件垂直对应的通孔，且所述通孔中的外延材料作为填充电极，由于所述填充电极是与被封装的MEMS器件垂直对应的电极，从而提高了封装密度，减小了MEMS器件的封装面积。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种MEMS器件真空封装结构，其特征在于，所述结构至少包括：基板，形成有环形隔离结构以及位于所述环形隔离结构中的第一电极，环绕所述基板周侧的结构作为边框支撑结构，其中，所述环形隔离结构为填充有外延材料的第一通孔，且所述第一通孔的内侧壁上形成有绝缘材料以电学隔离所述第一电极；结构层，位于所述基板上，至少包括结合于所述基板边缘内侧的边框、结合于所述第一电极上的所述MEMS器件的电极连接组件、及用以制作所述MEMS器件的第一区域；盖板，结合于所述结构层上，形成有与所述环形隔离结构对应的第一凹槽，所述第一凹槽的外侧部分结合于所述边框上，内侧部分结合于所述电极连接组件上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：焦继伟，王敏昌，颜培力，秦嵩，
申请(专利权)人：微机电科技香港有限公司，
类型：发明
国别省市：中国香港;81