一种离散量的上电自检电路制造技术

本发明专利技术提出一种离散量的自检电路，可以有效解决现有技术中由于外围器件带来的高功耗的技术问题。该离散量的自检电路和方法通过自检类型选择端口信号进行比较，并将比较后的结果与指令寄存器比较，可使每个通道均被自检一次。本发明专利技术将自检电路集成与离散量电路芯片内部，故只需外部端口提供vref_hi和vref_lo即可，外围电路少。同时该电路结构简单，不仅降低了功耗，而且减少了自检成本，可广泛应用于离散量电路中。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提出一种离散量的自检电路，可以有效解决现有技术中由于外围器件带来的高功耗的技术问题。该离散量的自检电路和方法通过自检类型选择端口信号进行比较，并将比较后的结果与指令寄存器比较，可使每个通道均被自检一次。本专利技术将自检电路集成与离散量电路芯片内部，故只需外部端口提供vref_hi和vref_lo即可，外围电路少。同时该电路结构简单，不仅降低了功耗，而且减少了自检成本，可广泛应用于离散量电路中。【专利说明】—种离散量的上电自检电路
本专利技术属于为电子电路设计技术，尤其涉及一种离散量的自检方法和电路。
技术介绍
离散量电路被普遍应用于机电等系统中，用于处理各个通道的离散量。经过离散量电路处理后的结果是否可信，成为非常重要的一个问题。传统的离散量信号处理使用外围器件和逻辑芯片搭建电路完成自检功能，但是由于外围器件占用面积较大，使得离散量的自检电路的功耗大，而且，使用外围器件也提高了自检成本。
技术实现思路
本专利技术的目的是提出一种离散量的上电自检电路，可以有效解决现有技术中由于外围器件带来的高功耗的技术问题。本专利技术的技术解决方案是:该离散量的上电自检方法包括以下步骤:I]根据首先访问的指令寄存器，确定自检类型；自检类型包括0/1自检和1/0自检；0/1自检具体是:首先由指令I寄存器发出“0”，再由指令2寄存器发出“I” ；1/0自检具体是，首先由指令2寄存器发出“1”，再由指令I寄存器发出“O” ；2]根据自检类型由指令寄存器发出sO，Si和s2信号，当sO为O时，开关打开，进入自检阶段，此时离散量信号<η-1:0&gt;被屏蔽，基准电压输入，执行自检；3]自检类型为0/1自检时,贝U控制信号首先将vref_lo与vref比较,之后将vref_hi与vref比较，每次比较完成生成η位数据，η位数据均被存储于数据寄存器中；自检类型为1/0自检时,贝U控制信号首先将vref_hi与vref比较,之后将vref_lo与vref比较,每次比较完成生成η位数据，η位数据均被存储于数据寄存器中；4]数据寄存器中的η位数据分别与标准数据进行逐位比较，完成自检。该离散量的自检电路包括控制单元、比较器组、寄存器组和数据比较单元；所述控制单元的输入端用于接收离散量电路的处理结果，控制单元的输出端与比较器的输入端连接，比较器的输出端通过寄存器组与数据比较单元连接。上述寄存器组包括至少两个指令寄存器和至少一个数据寄存器，用于产生控制单元执行动作信号及存储数据。本专利技术的优点如下:本专利技术提供的离散量的自检电路和方法，通过自检类型选择端口信号进行比较，并将比较后的结果与指令寄存器比较，可使每个通道均被自检一次。本专利技术将自检电路集成与离散量电路芯片内部，故只需外部端口提供vref_hi和vref_lo即可,外围电路少。而且，电路简单，这样不仅降低了功耗，而且减少了自检成本，广泛应用于离散量电路中。【专利附图】【附图说明】图1是本专利技术的自检电路的电路原理图；附图标记说明:sO?s2:控制信号；k0?k4:mos开关；Ι0〈η_1:0>:n个比较器；vref:基准信号；Vref_h1:高位基准信号；vref_lo:低位基准信号。【具体实施方式】下面结合附图和具体实施例，对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地表述。显然，所表述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术的保护范围。本实施例的自检方法的原理为，根据首次访问的指令寄存器确定自检类型，当首先访问指令I寄存器时，进行0/1自检时，此时发出的SO先为“0”，再为表示自检开始(kl闭合)，并屏蔽离散量端口信号(kO开启);sl先为“O”再为表示屏蔽vref_hi端口，“I”表示使用vref_hi端口且信号vref_hi与vref使用比较器比较；s2先为“I”再为“O”，“I”表示使用vref_lo端口且信号vref_lo和vref使用比较器比较，“O”表示屏蔽vref_lo端口。根据上述内容，进行0/1自检时，vref先与Vref_l0进行比较，结果存于数据寄存器中，将数据寄存器与指令2寄存器逐位比较，若数据寄存器某位不为“O”则表示该通道有错误，不可使用；vref再与vref_hi进行比较，结果存于数据寄存器中，将数据寄存器与指令I寄存器逐位比较，若数据寄存器某位不为“I”则表示该通道有错误，不可使用。根据首次访问的指令寄存器确定自检类型，当首先访问指令2寄存器时，进行1/0自检时，此时发出的sO先为“0”，再为表示自检开始(kl闭合)，并屏蔽离散量端口信号(kO开启)；sl先为“ I”再为“0”，“O”表示屏蔽vref_hi端口，“ I”表示使用vref_hi端口且信号vref_hi与vref使用比较器比较；s2先为“O”再为“I”，“O”表示屏蔽vref_1端口，“I”表示使用vref_lo端口且信号vref_lo和vref使用比较器比较。根据上述内容，进行1/0自检时，vref先与vref_hi进行比较，结果存于数据寄存器中，将数据寄存器与指令2寄存器逐位比较，若数据寄存器某位不为“ I”则表示该通道有错误，不可使用；vref再与vref_lo进行比较，结果存于数据寄存器中，将数据寄存器与指令I寄存器逐位比较，若数据寄存器某位不为“O”则表示该通道有错误，不可使用。本专利技术提供的离散量的自检方法，通过自检类型选择端口信号进行比较，并将比较后的结果与指令寄存器比较，可使每个通道均被自检一次。本专利技术将自检电路集成与离散量电路芯片内部，故只需外部端口提供vref_hi和vref_lo即可，外围电路少。而且，电路简单，这样不仅降低了功耗，而且减少了自检成本，广泛应用于离散量电路中。本专利技术提供一种离散量的自检电路，该电路包含控制单元、比较器组、寄存器组和数据比较单元，其中控制单元用于控制信号切换；控制单元包含开关组；比较器组用于产生开关切换信号且存贮数据；寄存器组包括比较器构成，寄存器组由指令I寄存器、指令2寄存器和数据寄存器，所述数据比较单元，用于比较数据寄存器与指令I寄存器和指令2寄存器的数据。图1是是本专利技术的自检电路的电路原理图，如图1所示，该自检电路，包括4个开关，η个比较器，η的个数与离散量通道个数相同，3个寄存器和一个数据比较器；4个开关由指令I寄存器和指令2寄存器发出的信号控制。实际中，VrefJii为高位基准信号，比vref高至少IOOmV ；vref_lo为低位基准信号，比vref低至少100mV。本专利技术的离散量的自检电路，通过指令I寄存器和指令2寄存器配置出的信号将基准信号与低于和高于基准的信号分别进行比较，通过比较得到有错误的通道，从而提高离散量处理后信号的可信度。本实施例的自检电路是上述方法实施例的具体实现，具有和上述方法实施例相同的实现过程和技术效果，在此不再赘述。最后应说明的是，以上实施例仅用以说明本专利技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本专利技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种离散量的上电自检方法，其特征在于，包括以下步骤：1]根据首先访问的指令寄存器，确定自检类型；所述自检类型包括0/1自检和1/0自检；所述0/1自检具体是：首先由指令1寄存器发出“0”，再由指令2寄存器发出“1”；1/0自检为，首先由指令2寄存器发出“1”，再由指令1寄存器发出“0”；2]根据自检类型由指令寄存器发出s0，s1和s2信号，当s0为0时，开关打开，进入自检阶段，此时离散量信号<n‑1:0>被屏蔽，基准电压输入，执行自检；3]自检类型为0/1自检时，则控制信号首先将vref_lo与vref比较，之后将vref_hi与vref比较，每次比较完成生成n位数据，n位数据均被存储于数据寄存器中；自检类型为1/0自检时，则控制信号首先将vref_hi与vref比较，之后将vref_lo与vref比较，每次比较完成生成n位数据，n位数据均被存储于数据寄存器中；4]数据寄存器中的n位数据分别与标准数据进行逐位比较，完成自检。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：田泽，邵刚，蔡叶芳，郎静，李世杰，杨峰，郭蒙，王泉，
申请(专利权)人：中国航空工业集团公司第六三一研究所，
类型：发明
国别省市：陕西;61