以离子注入强化玻璃的方法技术

本发明专利技术公开了一种以离子注入强化玻璃的方法，包括下列步骤。首先，提供一离子注入装置。离子注入装置产生多个正离子与多个负离子。然后，利用离子注入装置将正离子与负离子注入一玻璃基底中用以强化玻璃基底。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种，包括下列步骤。首先，提供一离子注入装置。离子注入装置产生多个正离子与多个负离子。然后，利用离子注入装置将正离子与负离子注入一玻璃基底中用以强化玻璃基底。【专利说明】
本专利技术是涉及一种强化玻璃的方法，特别涉及一种以离子注入来强化玻璃的方法。
技术介绍
玻璃材料由于具有透光性高的特性，目前已广泛的应用在日常生活的用品中。对于玻璃材料应用的商品有较高的强度需求时，可通过许多种不同的方式对玻璃形成强化的效果。其中，依据玻璃强化方式的原理大体上可区分为物理强化方式与化学强化方式这两大类。对于目前显示器以及触控板领域较常会使用的薄型玻璃来说，主要是使用化学强化的方式将玻璃浸泡在高温的硝酸盐溶液中进行金属离子交换，进而形成玻璃表面的压缩应力来达到强化的效果。然而，上述的化学强化方式较不易对特定的局部区域进行强化且也有导致玻璃穿透率下降等问题。因此，目前相关领域也有发展出以离子注入的方式来进行玻璃强化。请参考图1，图1所示为传统的的示意图。如图1所示，传统的方式是利用一离子注入装置100，其包括一正离子源110以及一加速器120。正离子源110是用以将气体分子分解产生正离子IlOP例如正氢离子(H+)，并通过加速器120注入一放置在处理室130的玻璃基底140中，用以形成压缩应力来达到强化玻璃基底140的效果。通过控制正离子IlOP的注入状况即可达到局部强化的目的。然而，在上述的方式中，进行离子注入时大量的正离子IlOP所带的正电荷会在玻璃基底140的表面累积而产生排斥效应，使得后续的正离子IlOP无法顺利地被注入而影响到整体的离子注入效果。此外，大量的电荷累积也有导致静电破坏等问题产生。因此，必须在玻璃基底140的表面上先形成一层导电膜150并将其接地来将电荷带走用以避免上述的电荷累积状况发生，但也因此造成此玻璃强化方式的成本提高。
技术实现思路
本专利技术的目的在提供一种。利用将正离子与负离子一起注入玻璃基底中用以强化玻璃基底，并改善以同极性离子注入时造成的排斥效应与静电破坏等问题。本专利技术提供一种，包括下列步骤。首先，提供一离子注入装置。离子注入装置产生多个正离子与多个负离子。然后，利用离子注入装置将正离子与负离子注入一玻璃基底中用以强化玻璃基底。【专利附图】【附图说明】图1所示为传统的的示意图。图2所示为本专利技术的一优选实施例的的示意图。图3所示为本专利技术的又一优选实施例的的示意图。其中，附图标记说明如下:100离子注入装置110离子源IlOP正离子120加速器130处理室140玻璃基底150导电膜200离子注入装置211离子源211P离子212负离子源212N负离子220注入组件230处理室240玻璃基底240A表面240B边缘【具体实施方式】为使熟习本专利技术所属
的技术人员者能进一步了解本专利技术，下文特列举本专利技术的数个优选实施例，并配合所附附图，详细说明本专利技术的构成内容。请参考图2。图2所示为本专利技术的一优选实施例的的示意图。为了方便说明，本专利技术的各附图仅为示意用以容易了解本专利技术，其详细的比例可依照设计的需求进行调整。如图2所示，本实施例提供一种，此方法包括下列步骤。首先， 提供一离子注入装置200。离子注入装置200是用以产生多个正离子211P与多个负离子212N。然后，利用离子注入装置200将正离子211P与负离子212N注入一放置在处理室230的玻璃基底240中，用以强化玻璃基底240。由于注入玻璃基底240的正离子21IP与负离子212N的极性与电荷不相同，故可达到互相补偿而避免因为同一极性离子电荷累积而造成的排斥效应与静电破坏等问题。此外，由于不需在玻璃基底240上先形成导电膜用以将累积的电荷移除，故本实施例的可具有降低作业成本的效果。进一步说明，本实施例的离子注入装置200优选可包括一正离子源211以及一负离子源212分别用以产生正离子211P与负离子212N，但并不以此为限。此外，离子注入装置200可还包括一注入组件220，而注入组件220可包括加速器或质谱仪等结构，用以对正离子211P与负离子212N进行加速与检测的作用，但本专利技术并不以此为限而可视需要在离子注入装置200中设置其他所需进行离子注入的组件。在本实施例中，各正离子211P与各负离子212N优选是具有相同的电荷质量比(charge-mass ratio),使得注入组件220可通过相同电位差值的电场赋与各正离子21IP与各负离子212N相近的注入速度，进而可有效地控制各正离子211P与各负离子212N的注入状况并达到减缓排斥效应的成果，但本专利技术并不以此为限而具有接近但不同完全相同的电荷质量比的正离子211P与负离子212N也可用在本专利技术的中。换句话说，本实施例的各正离子21IP与各负离子212N可为同一分子的正负离子，例如正氢离子(H+)与负氢离子(H-)、正氧离子(0+)与负氧离子(O-)或正氦离子(He+)与负氦离子(He-)，但本专利技术并不以此为限而也可视需要使用来自不同分子的正离子211P与负离子212N来进行离子注入。此外，在本实施例中，正离子211P与负离子212N可经由玻璃基底240面朝离子注入装置200的一表面240A注入玻璃基底240中。正离子21IP与负离子212N注入玻璃基底240的深度可通过调整注入组件220对正离子21IP与负离子212N所施加的加速能量而进行控制。一般来说，可视玻璃基底240在加工时可能受到的破坏程度来决定所需的离子注入深度，用以达到有效的强化效果，但并不以此为限。此外，各正离子211P与各负离子212N注入玻璃基底240的角度以及浓度也可视需要进行调整。请参考图3。图3所示为本专利技术的又一优选实施例的的示意图。如图3所示，本实施例的是利用离子注入装置200将正离子211P与负离子212N经由玻璃基底240面朝离子注入装置200的一边缘240B注入玻璃基底240中，用以达到强化玻璃基底240的边缘240B的效果。进一步说明，本实施例的可包括下列步骤。首先，提供多个玻璃基底240。接着，将玻璃基底240互相堆栈并排，用以将各玻璃基底240的边缘240B面朝离子注入装置200。然后，利用离子注入装置200将正离子211P与负离子212N注入玻璃基底240的边缘240B，用以达到强化玻璃基底240的边缘240B的效果。一般来说，在玻璃基底240的边缘240B处容易因为先前进行的切割、裂片或磨边作业时所形成的破坏而影响到玻璃基底240的强度。若以相同极性的离子注入玻璃基底240的边缘240B，在边缘240B处发生静电破坏的可能性会较高。因此，本实施例的以正离子21IP与负离子212N同时注入玻璃基底240的边缘240B的强化方式可在不需形成导电膜的状况下达到强化效果，并同时避免在边缘240B处发生静电破坏。此外，在本实施例中，可以并排方式同时对多个玻璃基底240的边缘240B进行离子注入，故可达到提高强化作业的效率并降低作业成本。综上所述，本专利技术是利用以正离子与负离子一并注入玻璃基底的方式来达到强化玻璃基底的效果。由于正负离子彼此极性不同，故可用以改善以同极性离子注入时所造成的排斥效应，而提高离子注入工艺的效果。此外，本专利技术的也可在不需形成导电膜的状态本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种以离子注入强化玻璃的方法，其特征在于，包括：提供一离子注入装置，其中该离子注入装置产生多个正离子与多个负离子；以及利用该离子注入装置将该多个正离子与该多个负离子注入至少一玻璃基底中用以强化该玻璃基底。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：何志洵，许进益，南进进，
申请(专利权)人：联建中国科技有限公司，胜华科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32