LED制造技术

本发明专利技术适用于半导体技术领域，提供了一种LED，所述LED包括用作LED正、负极的第一金属蚀刻片和第二金属蚀刻片以及正、负极分别焊接于所述第一金属蚀刻片和第二金属蚀刻片的LED覆晶晶片，所述LED覆晶晶片由荧光胶覆盖，所述荧光胶由透明封装胶覆盖，所述第一金属蚀刻片与第二金属蚀刻片相互靠近的两个侧面形成“凸”形贯穿槽。这样LED覆晶晶片的电极到应用端的焊接电极之间存在用作LED正、负极的金属蚀刻片过渡，使得本LED产品在应用端的使用不会增加难度，完全等同于注塑成型的支架使用方式。又因本LED不具有常规LED封装所需的支架，而具有极高的可靠性。此外，本LED封装成本极低。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术适用于半导体
，提供了一种LED，所述LED包括用作LED正、负极的第一金属蚀刻片和第二金属蚀刻片以及正、负极分别焊接于所述第一金属蚀刻片和第二金属蚀刻片的LED覆晶晶片，所述LED覆晶晶片由荧光胶覆盖，所述荧光胶由透明封装胶覆盖，所述第一金属蚀刻片与第二金属蚀刻片相互靠近的两个侧面形成“凸”形贯穿槽。这样LED覆晶晶片的电极到应用端的焊接电极之间存在用作LED正、负极的金属蚀刻片过渡，使得本LED产品在应用端的使用不会增加难度，完全等同于注塑成型的支架使用方式。又因本LED不具有常规LED封装所需的支架，而具有极高的可靠性。此外，本LED封装成本极低。【专利说明】LED
本专利技术属于半导体领域，尤其涉及一种LED。
技术介绍
白光LED产品的封装方式是将LED晶片通过固晶胶粘接或共晶焊接的方式固定在支架上，采用金线将晶片的正极连接于支架的正极，晶片的负极连接于支架的负极，再填充符合目标色区的荧光粉。由于支架、晶片胶体的热膨胀系数不同，在支架、固晶胶、金线、胶体等方面容易出现可靠性问题，且LED支架种类繁多，粘接支架正负极的材质为P PA，PC T，E M C材质，在耐高温性，气密性均有较大缺陷，而影响L E D产品可靠性；陶瓷支架具有较好的耐高温性和较好的气密性，但支架成本接近晶片成本，且陶瓷支架封装L E D制费昂贵，设备投入大，产能小。总之，支架封装结构的L E D照明产品在可靠性，使用寿命，产品价格方面均是LED照明产品替代传统照明的较大阻碍。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的在于提供一种可靠性高的LED。本专利技术实施例是这样实现的，一种LED，包括用作LED正、负极的第一金属蚀刻片和第二金属蚀刻片以及正、负极分别焊接于所述第一金属蚀刻片和第二金属蚀刻片的LED覆晶晶片，所述LED覆晶晶片由荧光胶覆盖，所述荧光胶由透明封装胶覆盖，所述第一金属蚀刻片与第二金属蚀刻片相互靠近的两个侧面形成“凸”形贯穿槽。本专利技术实施例由第一金属蚀刻片和第二金属蚀刻片分别用作LED的正、负极，而LED覆晶晶片的正、负极分别焊接于所述第一金属蚀刻片和第二金属蚀刻片，这样LED覆晶晶片的电极到应用端的焊接电极之间存在用作LED正、负极的金属蚀刻片过渡，使得本LED产品在应用端的使用不会增加难度，完全等同于注塑成型的支架使用方式。又因本LED不具有常规LED封装所需的支架，而具有极高的可靠性。此外，本LED封装成本极低。【专利附图】【附图说明】图1是本专利技术实施例提供的LED的结构示意图(透明封装胶仅填充于“凸”形贯穿槽的上部);图2是本专利技术实施例提供的LED的结构示意图(透明封装胶填充于“凸”形贯穿槽的上部，且该“凸”形贯穿槽的下部填充有防焊材料);图3是本专利技术实施例提供的LED的结构示意图(透明封装胶填充于整个“凸”形贯穿槽)；图4是本专利技术第一实施例提供的LED封装方法的实现流程图；图5是金属蚀刻片蚀刻出第一半蚀刻槽的结构示意图；图6是LED覆晶晶片的结构示意图；图7是LED覆晶晶片共晶焊于第一半蚀刻槽两芳的结构不意图；图8是于图7所不LED覆晶晶片表面涂覆突光I父的结构不意图；图9是于固设LED覆晶晶片的区域周围蚀刻用以规范荧光胶的凹槽的结构示意图；图10是于图9所不LED覆晶晶片表面涂覆突光I父的结构不意图；图11是于图8所示金属蚀刻片上布设透明封装胶的结构示意图(剖视图)；图12是于图8所示金属蚀刻片上布设透明封装胶的结构示意图(俯视图)；图13是于金属蚀刻片底部蚀刻出第二半蚀刻槽的结构示意图；图14是从图13所示半成品切割出各LED的结构示意图；图15是于图13所示第二半蚀刻槽内填充防焊材料的结构示意图；图16是从图15所示半成品切割出各LED的结构示意图；图17是本专利技术第二实施例提供的LED封装方法的实现流程图；图18是金属蚀刻片蚀刻出蚀刻槽的结构示意图；图19是LED覆晶晶片的结构示意图；图20是LED覆晶晶片的电极共晶焊于蚀刻槽上部两旁的结构示意图；图21是图20的俯视图；图22是于图20、21所不LED覆晶晶片表面涂覆突光I父的结构不意图；图23是图22的俯视图；图24是于固设LED覆晶晶片的区域周围蚀刻用以规范荧光胶的凹槽的结构示意图；图25是于图24所不LED覆晶晶片表面涂覆突光I父的结构不意图；图26是于图22所示金属蚀刻片下表面贴设胶带的结构示意图；图27是于图26所示金属蚀刻片上布设透明封装胶的结构示意图；图28是图27的俯视图；图29是透明封装胶固化后，撕去了胶带的结构示意图；图30是对图29所示半成品进行切割时的结构示意图；图31切割出各LED的结构示意图；图32是图31的俯视图。【具体实施方式】为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。本专利技术实施例由第一金属蚀刻片和第二金属蚀刻片分别用作LED的正、负极，而LED覆晶晶片的正、负极分别焊接于所述第一金属蚀刻片和第二金属蚀刻片，这样LED覆晶晶片的电极到应用端的焊接电极之间存在用作LED正、负极的金属蚀刻片过渡，使得本LED产品在应用端的使用不会增加难度，完全等同于注塑成型的支架使用方式。又因本LED不具有常规LED封装所需的支架，而具有极高的可靠性。此外，本LED封装成本极低。以下结合具体实施例对本专利技术的实现进行详细描述。如图1?3所示，本专利技术实施例提供的LED包括用作LED正、负极的第一金属蚀刻片11和第二金属蚀刻片12以及正、负极分别焊接于所述第一金属蚀刻片11和第二金属蚀刻片12的LED覆晶晶片3，所述LED覆晶晶片3由荧光胶4覆盖，所述荧光胶4由透明封装胶7覆盖，所述第一金属蚀刻片11与第二金属蚀刻片12相互靠近的两个侧面形成“凸”形贯穿槽。这样LED覆晶晶片3的电极到应用端的焊接电极之间存在用作LED正、负极的金属蚀刻片11、12过渡，使得本LED产品在应用端的使用不会增加难度，完全等同于注塑成型的支架使用方式。又因本LED不具有常规LED封装所需的支架，而具有极高的可靠性。此夕卜，本LED封装成本极低。作为本专利技术的一个实施例，所述透明封装胶7同时填充于“凸”形贯穿槽的上部，如图1所示。作为优选，所述“凸”形贯穿槽的下部填充有防焊材料10，如此有助于LED8正、负极金属蚀刻片之间的粘接，提升整个LED8的可靠性；其次保证了应用端焊锡膏不会短路，如图2所示。作为本专利技术的另一个实施例，所述透明封装胶7填充于整个“凸”形贯穿槽，如图3所示。同样有助于LED8正、负极金属蚀刻片之间的粘接，提升整个LED8的可靠性；其次保证了应用端焊锡膏不会短路。图4示出了本专利技术第一实施例提供的LED封装方法的实现流程，详述如下。在步骤S401中，于金属蚀刻片上部蚀刻多条平行的第一半蚀刻槽。本专利技术实施例于金属蚀刻片I上部蚀刻多条相互平行的第一半蚀刻槽2，所述第一半蚀刻槽2的宽度等于LED覆晶晶片3正、负极间的最短距离，便于后续工序焊接所述LED覆晶晶片3，所述第一半蚀刻槽2的深度略大于LED覆晶晶片3正、负极间的最短距离，如图5、6所示。其中，所述金属蚀刻片I的厚度优选为0.1?0.3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED，其特征在于，包括用作LED正、负极的第一金属蚀刻片和第二金属蚀刻片以及正、负极分别焊接于所述第一金属蚀刻片和第二金属蚀刻片的LED覆晶晶片，所述LED覆晶晶片由荧光胶覆盖，所述荧光胶由透明封装胶覆盖，所述第一金属蚀刻片与第二金属蚀刻片相互靠近的两个侧面形成“凸”形贯穿槽。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：裴小明，曹宇星，
申请(专利权)人：上海瑞丰光电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31