一种真空加热加压密封成形装置及真空加热加压密封成形方法，能使基板的元件上的密封片材的上表面具有足够的平坦度，并能高精度地使密封的带元件的基板的整体高度均匀。该真空加热加压密封成形装置用于将元件真空加热加压密封成形于基板上，其由真空室、基板载置台、加热装置、孔、内侧构件及成形模具构成，其中，所述基板载置台对带元件的基板、元件上的密封片材或密封片材及加压剥离薄膜进行载置，所述内侧构件下降并能在其下端部与基板载置台之间夹住加热软化后的密封片材或者密封片材上的加压剥离薄膜，所述成形模具在利用加热软化后的密封片材将元件密封在基板上之后，将依然处于软化状态的密封片材实际按压到元件上以进行规定的成形。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种，能使基板的元件上的密封片材的上表面具有足够的平坦度，并能高精度地使密封的带元件的基板的整体高度均匀。该真空加热加压密封成形装置用于将元件真空加热加压密封成形于基板上，其由真空室、基板载置台、加热装置、孔、内侧构件及成形模具构成，其中，所述基板载置台对带元件的基板、元件上的密封片材或密封片材及加压剥离薄膜进行载置，所述内侧构件下降并能在其下端部与基板载置台之间夹住加热软化后的密封片材或者密封片材上的加压剥离薄膜，所述成形模具在利用加热软化后的密封片材将元件密封在基板上之后，将依然处于软化状态的密封片材实际按压到元件上以进行规定的成形。【专利说明】
本专利技术涉及用于利用密封片材对接合着半导体、电阻和/或电容器等元件的基板进行密封、且对使基板上的元件密封的密封片材进行成形的。本专利技术的能适用于将元件预先接合在基板上的情况，以及在将元件通过粘接剂配置在基板上、将元件接合在基板上并利用密封片材将元件密封在基板的情况。
技术介绍
在将元件密封在基板上的情况下，为了防止空气混入密封片材和基板及元件之间，利用真空下加热软化后的密封片材在加压条件下将元件密封接合在基板上。 申请人:为了实现该目的而提供一种真空加热加压密封装置及方法，能一边防止在真空中空气混入密封层(接合层)一边调节微小的按压力，以在适度的加压下使密封层的厚度均匀，从而将元件良好地密封接合在基板上(专利文献I)。然而，通常密封的带元件的基板被要求整体高度均匀且由附图指定，但本专利技术人发现在专利文献I的真空加热加压密封装置及方法中所获得的产品的元件上的密封层的上表面的平坦度不够，另外，难以高精度地使密封的带元件的基板的整体高度均匀。此外，获知了在基板上的多个元件的高度不同的情况下，存在多个元件上的密封片材的平坦度不一致时，在组装时不能进行正确的吸附移动这样的缺点。现有技术文献专利文献专利文献1:日本专利特愿2011-192995
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种，能使用一个真空加热加压密封成形装置，一边防止在加热、真空中空气混入元件及基板和密封片材，一边能利用密封片材高精度地将元件密封在基板上，并且使对元件进行密封的密封片材在软化的状态下进行成形，藉此，例如能使元件上的密封片材的上表面具有足够的平坦度，并能高精度地使密封着的带元件的基板的整体高度均匀。(I)本专利技术的真空加热加压密封成形装置用于将元件真空加热加压密封成形于基板上，其特征是，上述真空加热加压密封成形装置由真空室形成用下框体、真空室形成用上框体、基板载置台、加热装置、真空排气及高压气体导入用孔、内侧构件及成形模具构成，其中，上述真空室形成用上框体配置于真空室形成用下框体的上方，真空室形成用下框体与真空室形成用上框体之间被密封而在内部形成有真空室，能在使真空室形成用下框体与真空室形成用上框体分离的状态下将被加工品取出至外部，上述基板载置台配置于真空室形成用下框体的内部，且在该基板载置台上放置有基板，在基板上配置元件，在元件上放置密封片材，或者在密封片材上还放置比密封片材朝半径方向外侧延伸的加压剥离薄膜，上述加热装置使元件上的密封片材加热软化，上述真空排气及高压气体导入用孔设于真空室形成用下框体和真空室形成用上框体中的任一方，上述内侧构件位于真空室形成用上框体的内侧且从下表面朝下方延伸，内侧构件下降并能在其下端部与基板载置台之间气密地夹住加热软化后的密封片材或者夹住密封片材上的加压剥离薄膜，上述成形模具在利用加热软化后的密封片材将元件密封在基板上之后，将依然处于软化状态的密封片材按压到元件上以进行规定的成形。以下，示出本专利技术的真空加热加压密封成形装置的优选实施方式。(2)在上述(I)所述的真空加热加压密封成形装置中，较为理想的是，真空室形成用下框体具有下框构件，真空室形成用上框体具有上框构件，真空室形成用下框体或真空室形成用上框体还具有在下框构件和上框构件的内周面或外周面气密地滑动的滑动框体，使滑动框体滑动而将下框构件、滑动框体及上框构件之间变得气密，以在内部形成真空室，另一方面，能在使滑动框体滑动而将下框构件与上框构件之间分离的状态下取出或放入使被加工品。(3)在上述(I)所述的真空加热加压密封成形装置中，较为理想的是，使真空室形成用下框体和真空室形成用上框体相对移动而使它们之间抵接密封，以在内部形成真空室，另一方面，能在使真空室形成用下框体和真空室形成用上框体相对移动而分离的状态下取出或放入被加工品。(4)在上述(3)所述的真空加热加压密封成形装置中，较为理想的是，通过使真空室形成用下框体与真空室形成用上框体相对移动，能在内侧构件的下端部与基板载置台之间气密地夹住加热软化后的密封片材或加压剥离薄膜。(5)在上述⑷所述的真空加热加压密封成形装置中，较为理想的是，将加热软化状态下的密封片材按压至元件上的成形模具配置于真空室形成用上框体的内侧，使真空室形成用下框体与真空室形成用上框体相对移动，利用成形模具将加热软化状态下的密封片材或加压剥离薄膜及密封片材按压于元件上。(6)在上述(I)至(3)中任一项所述的真空加热加压密封成形装置中，较为理想的是，内侧构件是安装于中间移动板的下表面的按压气缸机构。(7)在上述(I)至(6)中任一项所述的真空加热加压密封成形装置中，较为理想的是，成形模具在非成形时退避至真空室形成用上下框构件的内侧的非成形位置，在成形时移动至内侧构件的内侧的成形位置。(8)在上述(I)至(6)中任一项所述的真空加热加压密封成形装置中，较为理想的是，加热装置设于基板载置台及成形模具。(9)在上述(I)至(6)中任一项所述的真空加热加压密封成形装置中，较为理想的是，加热装置是卤素灯等光照射装置或红外线、激光、远红外线照射装置。(10)在上述(I)至(8)中任一项所述的真空加热加压密封成形装置中，较为理想的是，真空室形成用下框体及基板载置台配置于滑动移动台上，通过利用滑动移动台将真空室形成用下框体及基板载置台取出至外部，可容易地进行基板及密封片材或基板、密封片材及加压剥离薄膜相对于基板载置台的装拆。(11)在上述(I)至(9)中任一项所述的真空加热加压密封成形装置中，较为理想的是，用于形成真空室的加压机构利用空气按压力、液压按压力、伺服按压力或高压釜。本专利技术还涉及由以下工序构成的真空加热加压密封成形方法。(I)本专利技术的真空加热密封成形方法包括:在打开真空室的状态下配置于真空室内的基板载置台上放置基板，在基板上配置元件，在元件上配置密封片材，或者在密封片材上还配置比密封片材朝半径方向外侧延伸的加压剥离薄膜的工序一；关闭真空室而使真空室处于真空的工序二 ；将密封片材或密封片材及加压剥离薄膜加热软化的工序三；将加热软化后的密封片材或加压剥离薄膜的外周部气密地按压于基板载置台上，将由加热软化后的密封片材或加压剥离薄膜和基板载置台形成的空间保持为真空状态的工序四；在该状态下，将真空室内打开在大气中并导入大气，或者根据需要进一步导入高压气体来进行加压，用加热软化状态下的密封片材将元件密封于基板的工序五；以及将成形模具实际地按压至依然处于软化状态的密封片材或加压剥离薄膜及密封片材上的位置，以进行规定的成形的工序六。S卩，通过在上述工序五中使真空室的容积减少来增大真空本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种真空加热加压密封成形装置，用于将元件真空加热加压密封成形于基板上，其特征在于，所述真空加热加压密封成形装置由真空室形成用下框体、真空室形成用上框体、基板载置台、加热装置、真空排气及高压气体导入用孔、内侧构件及成形模具构成，其中，所述真空室形成用上框体配置于真空室形成用下框体的上方，真空室形成用下框体与真空室形成用上框体之间被密封而在内部形成有真空室，能在使真空室形成用下框体与真空室形成用上框体分离的状态下将被加工品取出至外部，所述基板载置台配置于真空室形成用下框体的内部，且在该基板载置台上放置有基板，在基板上配置元件，在元件上放置密封片材，或者在密封片材上还放置比密封片材朝半径方向外侧延伸的加压剥离薄膜，所述加热装置使元件上的密封片材加热软化，所述真空排气及高压气体导入用孔设于真空室形成用下框体和真空室形成用上框体中的任一方，所述内侧构件位于真空室形成用上框体的内侧且从下表面朝下方延伸，内侧构件下降并能在其下端部与基板载置台之间气密地夹住加热软化后的密封片材或者夹住密封片材上的加压剥离薄膜，所述成形模具在利用加热软化后的密封片材将元件密封在基板上之后，将依然处于软化状态的密封片材按压到元件上以进行规定的成形。...
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：伊藤英敏，佐藤丰树，
申请(专利权)人：米卡多机器贩卖株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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