本发明专利技术提供一种用于相变存储器的Al-Sb-Se材料及制备方法。其中，所述Al-Sb-Se材料是由铝、锑、硒三种元素组成的化合物，其化学式为AlxSbaSe，Sb与Se的原子比为a：1，0.67≤a≤12.35，0.01≤x≤10；采用Sb2Se3合金靶、Al单质靶、以及Sb单质靶共溅射形成。利用本发明专利技术的相Al-Sb-Se材料作为信息存储介质，可以有效地提高存储器的可靠性，降低擦写操作的功耗等。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种。其中，所述Al-Sb-Se材料是由铝、锑、硒三种元素组成的化合物，其化学式为AlxSbaSe，Sb与Se的原子比为a：1，0.67≤a≤12.35，0.01≤x≤10；采用Sb2Se3合金靶、Al单质靶、以及Sb单质靶共溅射形成。利用本专利技术的相Al-Sb-Se材料作为信息存储介质，可以有效地提高存储器的可靠性，降低擦写操作的功耗等。【专利说明】
本专利技术涉及相变材料领域，特别是涉及一种。
技术介绍
在半导体市场中，存储器占有重要的地位，目前，存储器的种类主要包括:静态存储器(SRAM)、动态存储器(DRAM)、磁盘、闪存(Flash)、铁电存储器等。而其它存储器，例如相变存储器(PCRAM)、电阻随机存储器(RRAM)作为下一代存储器的候选者也受到了广泛的研究。在当前众多的可能替代现有的存储技术而成为商业化的新型存储技术中，PCRAM被认为是下一代非挥发存储技术的最佳解决方案之一，其具有存储单元尺寸小、非挥发性、循环寿命长、稳定性好、功耗低和可嵌入功能强等优点，特别是在器件特征尺寸的缩小方面优势尤为突出，业界认为在不久的将来FLASH将遭遇尺寸缩小限制，而PCRAM在65nm节点后的技术优势将越来越明显。为此，英特尔、三星、意法半导体、飞利浦、国际商业机器公司和艾必达等国际知名半导体公司花费了大量的人力物力来对此技术进行开发，目前三星已经研制出容量达到8Gb的相变内存颗粒。PCRAM的基本原理是通过电脉冲信号操作器件单元使存储材料在高电阻与低电阻之间的可逆转换来实现“O”和“1”的存储，而高、低电阻的变化则是利用相变材料在非晶和多晶间的转变获得的。传统的相变材料Ge2Sb2Te5仍然存在一些缺点，如:结晶温度低、数据保持力不好、高温下的挥发较严重、器件的操作速度不快、功耗较大。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种，以提高相变存储器的热稳定性、减小操作功耗、提高相变速率、延长循环次数。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种用于相变存储器的Al-Sb-Se材料，是由铝、锑、硒三种元素组成的化合物，其化学式为AlxSbaSe,其中，Sb与Se的原子比为 a:1，0.67 ≤ a≤ 12.35,0.01 ≤χ ≤10。优选地，1.56 ≤a ≤7.06。优选地，Al、Sb、Se 二种兀素两两成键，形成二兀体系。本专利技术提供一种制备用于相变存储器的Al-Sb-Se材料的方法,其米用Sb2Se3合金靶、Al单质靶、以及Sb单质靶共溅射形成前述的Al-Sb-Se相变材料。优选地，Sb2Se3合金靶采用射频电源，功率范围为5W至20W。优选地，Sb单质靶采用射频电源，功率范围为OW至30W。优选地，Al单质靶采用直流电源，功率范围为IOW至50W。优选地，所述Al-Sb-Se相变材料厚度为100_300nm。如上所述，本专利技术的，具有以下有益效果:在制备时，通过调节作用于各靶材的电源功率可以得到具有不同结晶温度、熔点和结晶激活能的相变材料，因此可根据具体需要制备高结晶温度、良好数据保持力或者高速、低功耗的相变材料。利用本专利技术的相变材料作为信息存储介质，可以有效地提高存储器的可靠性，降低擦写操作的功耗等。【专利附图】【附图说明】图1a显示为不同组分的AlxSb2.19Se相变材料与Ge2Sb2Te5材料的方块电阻随温度变化的关系曲线示意图。图1b显示为不同组分的AlxSb2.78Se相变材料与Ge2Sb2Te5材料的方块电阻随温度变化的关系曲线示意图。图2a显示为不同组分的AlxSb2.19Se相变材料与Ge2Sb2Te5M料的数据保持力特征曲线示意图。图2b显示为不同组分的AlxSb2.78Se相变材料与Ge2Sb2Te5材料的数据保持力特征曲线示意图。图3a显示为不同组分的AlxSb219Se相变材料在晶态时的XRD曲线示意图。图3b显示为不同组分的AlxSb2.78Se相变材料在晶态时的XRD曲线示意图。图4a、4b、4c、4d 分别为 Ala35Sb2.19Se、Al2 22Sb2 19Se> Al0.20Sb2.78Se 和 Al0 61Sb2 78Se相变材料用于器件单元时在电脉冲信号作用下的电压-电阻曲线示意图。【具体实施方式】以下由特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点及功效。请参阅图1a至图4d。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本专利技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本专利技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本专利技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当亦视为本专利技术可实施的范畴。实施例一本实施例通过制备AlxSb2.19Se相变材料并对其进行检测来进一步说明本专利技术的技术方案。具体制备方法为:采用Sb2Se3合金靶、Sb单质靶、Al单质靶进行共溅射，在共溅射的过程中同时通入纯度为99.999%的Ar气。Sb2Se3靶采用射频电源，功率为20W ；Sb靶采用射频电源，功率为15W ；A1靶采用直流电源，功率从IOW至50W。共溅射时间根据各组分溅射速率的不同为20-30分钟，制备形成的AlxSb2.19Se相变材料的厚度在100_300nm之间。将本实施例所获得的AlxSb2.19Se相变材料进行检测，检测结果如下:图1a为不同组分的AlxSb2.19Se相变材料与Ge2Sb2Te5材料的方块电阻随温度变化的关系曲线，升温速率为20 °C/min。各组分的的AlxSb2.19Se相变材料的结晶温度如表I所示，AlxSb2.19Se相变材料的结晶温度均比Ge2Sb2Te5材料的结晶温度高近60 °C，其中Al5.19Sb2.19Se相变材料高出近90 °C，而Al元素的加入对结晶温度的影响并不大，只有在Al含量很多时(x=5.19)才会有明显提高。表1【权利要求】1.一种用于相变存储器的Al-Sb-Se材料，其特征在于:所述Al-Sb-Se材料是由铝、锑、硒三种元素组成的化合物，其化学式为AlxSbaSe,其中，Sb与Se的原子比为a:1，0.67 ≤ a≤ 12.35,0.01 ≤ χ ≤ 10。2.根据权利要求1所述的用于相变存储器的Al-Sb-Se材料，其特征在于:1.56 ≤ a ≤ 7.06。3.根据权利要求1所述的用于相变存储器的Al-Sb-Se材料，其特征在于:Al、Sb、Se三种元素两两成键，形成三元体系。4.一种制备用于相变存储器的Al-Sb-Se材料的方法,其特征在于:米用Sb2Se3合金靶、Al单质靶、以及Sb单质靶共溅射形成权利要求1至3任一项所述的Al-Sb-Se相变材料。5.根据权利要求4所述的制备用于相变存储器的Al-Sb-Se材料的方法，其特征在于:Sb2Se3合金靶采用射频电源，功率范本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于相变存储器的Al‑Sb‑Se材料，其特征在于：所述Al‑Sb‑Se材料是由铝、锑、硒三种元素组成的化合物，其化学式为AlxSbaSe，其中，Sb与Se的原子比为a：1， 0.67≤a≤12.35，0.01≤x≤10。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：顾怡峰，宋志棠，宋三年，刘波，封松林，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31
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