一种移动式喷嘴制造技术

本发明专利技术是有关于一种移动式喷嘴，用于硅片背面干法喷砂制造吸杂源以消除硅抛光表面氧化雾,其包括：管状喷嘴及喷嘴移动装置；所述管状喷嘴设置于所述喷嘴移动装置上,能够在所述喷嘴移动装置的作用下左右移动。本发明专利技术通过使喷嘴为管状,并且设置喷嘴移动装置使喷嘴左右移动,可以使硅片背面喷砂形成的损伤均匀可控。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术是有关于一种移动式喷嘴，用于硅片背面干法喷砂制造吸杂源以消除硅抛光表面氧化雾,其包括：管状喷嘴及喷嘴移动装置；所述管状喷嘴设置于所述喷嘴移动装置上,能够在所述喷嘴移动装置的作用下左右移动。本专利技术通过使喷嘴为管状,并且设置喷嘴移动装置使喷嘴左右移动,可以使硅片背面喷砂形成的损伤均匀可控。【专利说明】一种移动式喷嘴
本专利技术涉及IC级硅单晶抛光片
，特别是涉及一种用于硅片背面干法喷砂制造吸杂源以消除硅抛光表面氧化雾的移动式喷嘴。
技术介绍
IC级硅单晶抛光片是制造大规模和超大规模集成电路的核心材料，主要用于高速计算机、航空航天等高科技领域。硅单晶抛光片的微缺陷“氧化雾”一直困扰着高可靠性器件用硅单晶抛光片的质量。长期以来，人们采用多种方法以消除硅抛光片表面的氧化雾。所采用的方法主要是通过吸杂的方式，有内吸杂和外吸杂两种。内吸杂主要是利用硅片中的氧沉淀产生吸杂区消除硅抛光表面的氧化雾，因其设备昂贵，工艺复杂，要求硅片内氧沉淀分布均匀，不易控制，重复性差，因此在国内外应用较少。外吸杂主要是利用外部手段在硅片背面形成损伤或应力，具体方式有在硅片背面用金钢砂带损伤、激光损伤或LPCVD生长多晶硅层等，或者采用辐照、加热预处理、硅片背面软损伤等方法对硅片的氧化雾进行消除。对硅片的背面采用干法喷砂制造吸杂源消除硅抛光表面的氧化雾是近年来新兴的一种可有效消除硅抛光片表面的氧化雾，同时又工艺简单合理，投资小，可操作性强，易于实施的外吸杂方法。其是根据背损吸杂原理，在硅片背面干法喷砂，产生晶格损伤或畸变，制造吸杂源，通过对喷砂粒度、喷砂压力、作业片距、时间过程的控制和调制，在硅片背面制造均匀的层错密度，即在硅片背面产生6-38X 104个/ cm2的损伤层错，诱生堆杂层错，使硅片具有非本征的吸杂能力。在高温下，硅片的杂质会移位，并且转移到硅片里面和背面的非要害部位，在抛光片表面的制作集成电路区域，形成厚度几个um的洁净区，从而获得无“氧化雾”的高品质硅抛光片，确保IC产品电路特性不受影响。在现有技术中常用的对硅片背面干法喷砂制造吸杂源以消除硅抛光表面氧化雾的喷嘴为固定不动的喇叭形喷嘴1，如图1所示，图1是现有技术的喇叭形喷嘴的示意图。采用这种固定不动的喇叭形喷嘴对硅片背面喷洒金刚砂，通常无法使金刚砂分散均匀，会造成硅片背面损伤层不均匀，这对于硅片背面干法喷砂制造吸杂源以消除硅抛光表面氧化雾所不希望得到的结果。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，克服现有技术的喷嘴存在的缺陷，而提供一种新型结构的移动式喷嘴，所要解决的技术问题是使其通过使喷嘴为管状，并且设置喷嘴移动装置使喷嘴左右移动，可以使硅片背面喷砂形成的损伤均匀可控，非常适于实用。本专利技术的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本专利技术提出的一种移动式喷嘴，用于硅片背面干法喷砂制造吸杂源以消除硅抛光表面氧化雾，其包括:管状喷嘴及喷嘴移动装置；所述管状喷嘴设置于所述喷嘴移动装置上，能够在所述喷嘴移动装置的作用下左右移动。本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的移动式喷嘴，其中所述喷嘴移动装置为汽缸，所述管状喷嘴设置于所述汽缸的活塞上。前述的移动式喷嘴，其中所述管状喷嘴在所述喷嘴移动装置的作用下左右移动的距离为0_200mm。本专利技术与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。借由上述技术方案，本专利技术一种移动式喷嘴至少具有下列优点及有益效果:本专利技术通过使喷嘴为管状，并且设置喷嘴移动装置使喷嘴左右移动，可以使硅片背面喷砂形成的损伤均匀可控。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。【专利附图】【附图说明】图1是现有技术的喇叭形喷嘴的示意图。图2是本专利技术的移动式喷嘴的示意图。【具体实施方式】为更进一步阐述本专利技术为达成预定专利技术目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本专利技术提出的一种移动式喷嘴其【具体实施方式】、结构、特征及其功效，详细说明如后。有关本专利技术的前述及其他
技术实现思路
、特点及功效，在以下配合参考图式的较佳实施例的详细说明中将可清楚呈现。通过【具体实施方式】的说明，应当可对本专利技术为达成预定目的所采取的技术手段及功效获得一更加深入且具体的了解，然而所附图式仅是提供参考与说明之用，并非用来对本专利技术加以限制。请参阅图2所示，是本专利技术的移动式喷嘴的示意图。本专利技术的移动式喷嘴用于硅片背面干法喷砂制造吸杂源以消除硅抛光表面氧化雾，其主要由管状喷嘴2和喷嘴移动装置3构成，其中管状喷嘴2设置于喷嘴移动装置3上，能够在喷嘴移动装置3的作用下左右移动。本专利技术的喷嘴移动装置3可以为汽缸，此时管状喷嘴2设置于汽缸的活塞上。管状喷嘴2在喷嘴移动装置3的作用下左右移动的距离可以为0-200mm。本专利技术通过采用管状喷嘴2和喷嘴移动装置3可以使管状喷嘴2在喷嘴移动装置3的作用下左右移动，相对于现有技术常用的固定不动的喇叭形喷嘴来分散喷洒金刚砂，可以避免采用喇叭形喷嘴喷砂造成的硅片背面损伤层不均匀，使硅片背面的损伤均匀可控，硅片背面的中心和边缘的损伤层密度一致。以上所述，仅是本专利技术的较佳实施例而已，并非对本专利技术作任何形式上的限制，虽然本专利技术已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本专利技术，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本专利技术技术方案范围内，当可利用上述揭示的
技术实现思路
作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本专利技术技术方案内容，依据本专利技术的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本专利技术技术方案的范围内。【权利要求】1.一种移动式喷嘴，用于硅片背面干法喷砂制造吸杂源以消除硅抛光表面氧化雾，其特征在于其包括:管状喷嘴及喷嘴移动装置；所述管状喷嘴设置于所述喷嘴移动装置上，能够在所述喷嘴移动装置的作用下左右移动。2.根据权利要求1所述的移动式喷嘴，其特征在于其中所述喷嘴移动装置为汽缸，所述管状喷嘴设置于所述汽缸的活塞上。3.根据权利要求2所述的移动式喷嘴，其特征在于其中所述管状喷嘴在所述喷嘴移动装置的作用下左右移动的距离为0-200mm。【文档编号】B24C5/04GK103846814SQ201310502818【公开日】2014年6月11日 申请日期:2013年10月23日 优先权日:2013年10月23日 【专利技术者】郭金娥, 徐信富, 徐力, 陈兴邦 申请人:洛阳市鼎晶电子材料有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种移动式喷嘴，用于硅片背面干法喷砂制造吸杂源以消除硅抛光表面氧化雾，其特征在于其包括：管状喷嘴及喷嘴移动装置；所述管状喷嘴设置于所述喷嘴移动装置上，能够在所述喷嘴移动装置的作用下左右移动。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭金娥，徐信富，徐力，陈兴邦，
申请(专利权)人：洛阳市鼎晶电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：河南;41