本发明专利技术公开了一种改善化学气相淀积炉管工艺颗粒的方法，在化学气相淀积炉管工艺的完成成膜后的降温步骤中，利用循环净化进行处理，同时通入氮气和笑气，从而使前步成膜工艺附着在排气管管壁的DCS(二氯二氢硅，SiH2Cl2）与笑气进行反应，使其转化成为氧化层，最终再通过排气管排出；所述的循环净化具体包括如下步骤：先将炉管的压力抽到底压，然后同时通入氮气、笑气，维持一定时间后，接着再抽到底压，然后再同时通入氮气和笑气，维持一定时间后，再抽到底压，由此进行循环。本发明专利技术在保证对于工艺的作业时间没有影响，并保证了设备的产能的情况下，能有效改善化学气相淀积炉管工艺的颗粒问题。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种，在化学气相淀积炉管工艺的完成成膜后的降温步骤中，利用循环净化进行处理，同时通入氮气和笑气，从而使前步成膜工艺附着在排气管管壁的DCS(二氯二氢硅，SiH2Cl2）与笑气进行反应，使其转化成为氧化层，最终再通过排气管排出；所述的循环净化具体包括如下步骤：先将炉管的压力抽到底压，然后同时通入氮气、笑气，维持一定时间后，接着再抽到底压，然后再同时通入氮气和笑气，维持一定时间后，再抽到底压，由此进行循环。本专利技术在保证对于工艺的作业时间没有影响，并保证了设备的产能的情况下，能有效改善化学气相淀积炉管工艺的颗粒问题。【专利说明】
本专利技术属于半导体集成电路的制造工艺方法，具体涉及一种化学气相淀积炉管工艺，尤其涉及一种。
技术介绍
传统化学气相淀积炉管工艺中的氮氧化层、氧化层通常的成膜是利用附带气体过量(NH3氨气或N2O笑气)，从而来避免成膜时造成的颗粒增加。然而，现有越来越多的工艺需要利用到富硅工艺的特性，其不仅可以增加刻蚀阻挡能力同时在SONOS闪存器件工艺中也可以大幅的增加电荷储存能力，最终较大地增加檫、写窗口。但是，富硅的引入却带来了较为严重的颗粒问题，使得炉管的维护频度增加了一倍多，甚至在硅含量较大的工艺中还会导致低压设备排气叠阀的损坏。分析富硅工艺现象之所以带来这一系列的问题，其主要原因是在DCS(二氯二氢硅)流量在工艺中的极大提升使其相对于NH3 (氨气)的比例抬高很多，导致在实际成膜时DCS ( 二氯二氢硅)不能完全反应完，有大量残气需要被泵抽走。然而，高温DCS ( 二氯二氢硅)气体在迅速冷却后极易附着在炉管的排气管道口和管道内，导致无法完全清理干净。所以，在经过长期积累后将会出现较为严重的颗粒问题。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种，该方法在保证对于工艺的作业时间没有影响，并保证了设备的产能的情况下，能有效改善化学气相淀积炉管工艺的颗粒问题。为解决上述技术问·题，本专利技术提供一种，在化学气相淀积炉管工艺的完成成膜后的降温步骤中，利用循环净化进行处理，同时通入氮气和笑气，从而使前步成膜工艺附着在排气管管壁的DCS ( 二氯二氢硅，SiH2Cl2)与笑气进行反应，使其转化成为氧化层，最终再通过排气管排出；所述的循环净化具体包括如下步骤:先将炉管的压力抽到底压，然后同时通入氮气、笑气，维持一定时间后，接着再抽到底压，然后再同时通入氮气和笑气，维持一定时间后，再抽到底压，由此进行循环。所述循环净化的循环次数为两次以上。所述氮气的流量范围为500sccm~IOslm,所述笑气的流量范围为50sccm~lslm，温度随工艺降温步骤相同。所述抽底压的持续时间为5s~lOmin，氮气、笑气通入的持续时间为IOs~IOmin0所述将炉管的压力抽到底压，该底压的压力范围为O~5mtorr ;在同时通入氮气、笑气时的压力范围为500mtorr~500torr。所述DCS与笑气进行反应的反应方程式如下所示:SiH^Cl:+2N2O '.、..S1O2 + 2HC1 + 2N2。所述方法适用于富硅成膜的相关高温氧化层，氮氧化硅，以及含有富硅膜的氧化硅-氮化硅-氧化硅工艺；所述方法也适用于高温多晶硅工艺和氮化硅工艺。当所述方法应用于富硅成膜的相关高温氧化层，氮氧化硅，或含有富硅膜的氧化硅-氮化硅-氧化硅工艺时，在硅片完成沉积后，不传出硅片的情况下，利用循环净化进行处理。当所述方法应用于高温多晶硅工艺或氮化硅工艺时，在硅片完成沉积后，需要从炉管中传出硅片，以进行循环净化处理。和现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果:表1:富娃膜循环净化应用与否对比表 _【权利要求】1.一种，其特征在于，在化学气相淀积炉管工艺的完成成膜后的降温步骤中，利用循环净化进行处理，同时通入氮气和笑气，从而使前步成膜工艺附着在排气管管壁的二氯二氢硅与笑气进行反应，使其转化成为氧化层，最终再通过排气管排出；所述的循环净化具体包括如下步骤:先将炉管的压力抽到底压，然后同时通入氮气、笑气，维持一定时间后，接着再抽到底压，然后再同时通入氮气和笑气，维持一定时间后，再抽到底压，由此进行循环。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述循环净化的循环次数为两次以上。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮气的流量范围为500sccm~IOslm,所述笑气的流量范围为50SCCm~lslm，温度随工艺降温步骤相同。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述抽底压的持续时间为5s~lOmin，氮气、笑气通入的持续时间为IOs~lOmin。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将炉管的压力抽到底压，该底压的压力范围为O~5mtorr ;在同时通入氮气、笑气时的压力范围为500mtorr~500torr。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述二氯二氢硅与笑气进行反应的反应方程式如下所示: 7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法适用于富硅成膜的相关高温氧化层，氮氧化硅，以及含有富硅膜的氧 化硅-氮化硅-氧化硅工艺；或者所述方法适用于高温多晶硅工艺和氮化硅工艺。8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，当所述方法应用于富硅成膜的相关高温氧化层，氮氧化硅，或含有富硅膜的氧化硅-氮化硅-氧化硅工艺时，在硅片完成沉积后，不传出硅片的情况下，利用循环净化进行处理。9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，当所述方法应用于高温多晶硅工艺或氮化硅工艺时，在硅片完成沉积后，需要从炉管中传出硅片，以进行循环净化处理。【文档编号】C23C16/00GK103849852SQ201210509243【公开日】2014年6月11日 申请日期:2012年12月3日 优先权日:2012年12月3日 【专利技术者】成鑫华, 孙勤, 袁宿凌 申请人:上海华虹宏力半导体制造有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种改善化学气相淀积炉管工艺颗粒的方法，其特征在于，在化学气相淀积炉管工艺的完成成膜后的降温步骤中，利用循环净化进行处理，同时通入氮气和笑气，从而使前步成膜工艺附着在排气管管壁的二氯二氢硅与笑气进行反应，使其转化成为氧化层，最终再通过排气管排出；所述的循环净化具体包括如下步骤：先将炉管的压力抽到底压，然后同时通入氮气、笑气，维持一定时间后，接着再抽到底压，然后再同时通入氮气和笑气，维持一定时间后，再抽到底压，由此进行循环。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：成鑫华，孙勤，袁宿凌，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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