具有锥形侧屏蔽侧壁的数据写入器制造技术

一种数据写入器，一般至少配置有写极，该写极具有极侧壁以及连接前缘和后缘的连续的第一锥角。该写极可毗邻于侧屏蔽地定位，该侧屏蔽配置有削锥至屏蔽末梢的第一和第二屏蔽侧壁，该屏蔽末梢是写极和侧屏蔽之间的最近点。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种数据写入器，一般至少配置有写极，该写极具有极侧壁以及连接前缘和后缘的连续的第一锥角。该写极可毗邻于侧屏蔽地定位，该侧屏蔽配置有削锥至屏蔽末梢的第一和第二屏蔽侧壁，该屏蔽末梢是写极和侧屏蔽之间的最近点。【专利说明】具有锥形侧屏蔽侧壁的数据写入器
技术实现思路
各实施例总地涉及能用于高数据位密度数据存储环境的数据写入器。根据各实施例，一写极可具有极侧壁以及连接前缘和后缘的连续的第一锥角。该写极可毗邻于侧屏蔽地定位，该侧屏蔽配置有削锥至屏蔽末梢的第一和第二屏蔽侧壁，该屏蔽末梢是写极和侧屏蔽之间的最近点。【专利附图】【附图说明】图1是根据各实施例构造和操作的示例数据存储设备的俯视框图。图2例示了能被用在图1的数据存储设备中的示例磁性元件的横截面示意框图。图3显示了根据一些实施例构造的示例磁性元件的一部分的ABS视角示意框图。图4例示了根据各个实施例构造的示例磁性元件的一部分的ABS视角示意框图。图5例示了根据各个实施例构造的示例磁性元件的一部分的ABS视角示意框图。图6是根据一些实施例构造的示例磁性元件的一部分的ABS视角示意框图。图7给出了根据各实施例执行的示例性磁性元件制造例程的流程图。【具体实施方式】由于数据存储设备向更大数据存储容量和更快数据存取速率发展，随着各设备组件的物理尺寸和公差减小，对歧途磁通的磁屏蔽成为制造和操作性能困难的剧烈来源。尽管对其上安置数据位的数据磁道的最小化能解决以毗邻磁道干扰(ATI)形式出现的特定操作困难，然而将侧向磁屏蔽毗邻于磁存取特征(例如写极和磁阻叠层)而定位可通过减小存取特征的磁范围而减轻ATI。然而，增设侧向磁屏蔽可能遭受磁场和磁梯度损失，因为磁屏蔽随着磁存取特征所意欲的磁化而饱和。因此，对能够不减小磁场和梯度地实现在形状因数减小的数据存储设备中的磁屏蔽配置存在一种持续的产业需求。因此，各实施例总体涉及用写极来配置磁性元件，该写极具有极侧壁和连接前缘和后缘的连续第一锥角，其中写极被定位在毗邻侧屏蔽的位置，该侧屏蔽配置有削锥至屏蔽末梢的第一和第二屏蔽侧壁，该屏蔽末梢是写极和侧屏蔽之间的最近点。可选择性地调谐屏蔽末梢的位置和来自屏蔽末梢的屏蔽侧壁相对于写极的角取向以提供预定的磁范围。这类经调谐的磁屏蔽配置可额外地减轻使屏蔽饱和的磁通，而不是对数据位存取作出贡献。尽管可在无限制的各个环境中实践至少一个经调谐的磁屏蔽，但是图1 一般地例示了可根据各个实施例利用经调谐的磁性元件的示例数据存储装置100的俯视示意框图。数据存储装置100是在非限定性配置中示出的，其中致动组件102能将换能头104定位在磁性存储介质106上的各个位置之上，在该磁性存储介质106上，所存储的数据位108位于预定的数据磁道110上。存储介质106可被附接至一个或多个主轴电机112，该主轴电机112在使用过程中旋转以产生空气承载表面(ABS)，致动组件102的滑块部分114在ABS上飞行以将包括换能头104的头万向节组件(HGA) 116定位在介质106的预定部分之上。换能头104可被配置有一个或多个换能元件，如磁写入器、磁响应读取器和磁屏蔽，它们操作以分别对存储介质106的所选数据磁道110进行编程和读取数据。如此，致动组件102的受控运动对应于换能器与存储介质表面上界定的数据磁道110的对准，以写入、读取和重写数据。随着数据位108变得更密集地定位在具有较小径向宽度的数据磁道110内，头104可能非有意地接收来自毗邻数据磁道110上的数据位的磁通，这会诱发使数据存储设备100的性能降级的磁噪声和干扰。图2示出构造有磁屏蔽以减轻形状因子减小的数据磁道和更密集充填的数据位的影响的示例磁性元件120的横截面示意框图。如图所示，磁性元件120可具有一个或多个数据存取元件，例如磁读取器122和写入器124，它们可以单独地或同时地操作以向毗邻的存储介质(诸如图1的介质106)写数据或从中检索数据。每个磁性元件122、124由多种屏蔽和换能元件构成，这些屏蔽和换能元件作用以将数据沿数据磁道126读取自/写入至相应的数据介质。磁读取元件122具有位于前缘屏蔽和后缘屏蔽132和134之间的磁阻层130。同时，写入元件124具有写入极136和至少一个返回极138，写入极136和至少一个返回极138建立写入电路，以给予毗邻的存储介质预定的磁取向。在图2所示的写入元件124的非限定性配置中，两个返回极138各自接触地毗邻于非磁性间隙层140和后缘屏蔽142，非磁性间隙层140和后缘屏蔽142防止来自极136、138的磁通延伸超出写入元件124的边界。每个返回极138进一步接触绝缘材料144,该绝缘材料144维持写极136、138的磁隔离。磁性元件120的屏蔽可由其相对于遇到外部位(诸如图1的位108)的时间的位置来表征。换言之，在换能元件122和124之前遇到外部位的屏蔽是“前缘”屏蔽，而在换能元件之后看到位的屏蔽是“后缘”屏蔽。这样的表征延及换能元件“上道”或“下道”之间的差，因为根据磁性元件120和外部位的行进方向，屏蔽可以是前缘的或者是后缘的，或者是上道的或者下道的。尽管磁性元件120具有驱逐磁通使之不到达上道和下道磁位的沿Y轴定位的多个屏蔽层，然而增加的数据位密度已导致与沿Z轴的附加屏蔽对应的更紧数据磁道126。相对于写极136沿Z轴添加侧屏蔽可迎合写极136的磁范围以适应减小的数据磁道126宽度，但这种添加可能减小磁场振幅和梯度，因为磁化使侧屏蔽饱和而不是流过写极。磁场的减小可在操作上降低写极136的磁灵敏性和数据编程效率，这在写极非有意地对毗邻数据磁道126的数据位编程时可能导致降级的线性数据位密度容量和增加的侧道擦除几率。图3给出根据各实施例的示例性磁性元件150的一部分的ABS视角示意框图，该示例性磁性元件150在写极154的相对两侧上采用经调谐的侧屏蔽152。每个侧屏蔽152配置有削锥至屏蔽末梢160的第一屏蔽侧壁156和第二屏蔽侧壁158，而写极154具有极侧壁162，该极侧壁162削锥至位于极本体166上道的极末梢164。要理解，图3总地图示为与预定磁道对准，在该预定磁道，磁性元件150的底部是上道并在元件150的顶平面处在下道部分之前遇到数据位。通过配置屏蔽侧壁158角(O I)使之匹配极侧壁162角(0 2)以使侧屏蔽152从极本体166至极末梢164配置有均一的写间隙168，这样做能为写极154提供受控制的磁范围，但也可提供磁通管道(conduit)以使侧屏蔽152饱和而不是传输通过写极154。考虑到这些磁因素，可如图所示地构造一个或多个侧屏蔽152，以使屏蔽末梢160是写极154和侧屏蔽152之间的最近点。调谐屏蔽末梢160沿Y轴的垂直位置和相应屏蔽侧壁156、158的锥角(O I和03)的能力能控制写极154的磁范围而不会在写极154和侧屏蔽152之间提供易磁化管道。作为非限定例子，每个侧屏蔽152可被配置成使屏蔽末梢160位于可被表征为前缘的极末梢164和可被表征为后缘的极本体166之间，并且屏蔽侧壁156、158从屏蔽末梢160开始各自沿不同方向和角(?I和03)延伸，以使从极侧壁162至屏蔽末梢160的距离170小于从极侧壁162至第一屏蔽侧壁156或至第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种装置，包括具有极侧壁的写极，所述极侧壁具有连接前缘和后缘的连续的第一锥角，所述写极毗邻于配置有削锥至屏蔽末梢的第一和第二屏蔽侧壁的侧屏蔽，所述屏蔽末梢是在所述写极和侧屏蔽之间的最近点。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：E·S·里维利，J·薛，E·R·麦洛克，H·殷，陈永华，
申请(专利权)人：希捷科技有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US