一种防BM偏移液晶显示器制造技术

本发明专利技术公开了一种防BM偏移液晶显示器，包括阵列基板（1），所述阵列基板（1）中的任一个像素单元（2）中皆设有两条数据线（3），纵向设置的BM层（4）的两边缘则分别位于水平方向上两相邻像素单元（2）的两相邻数据线（3）上，此时阵列基板（1）中的栅极金属层（5）和/或源漏极金属层（6）作为遮光金属。本发明专利技术将BM层的边缘设置在数据线上，以避免单边蚀刻量值变异形成的shotmura，进一步将BM层的边缘设置在数据线的中心线上并使得BM层的边缘与遮光金属的边缘之间的距离不小于BM层的单边蚀刻量值与组立精度之和，即可避免单边蚀刻量值变异形成的shotmura和BM层组立偏移造成的漏光、开口率下降等问题。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种防BM偏移液晶显示器，包括阵列基板（1），所述阵列基板（1）中的任一个像素单元（2）中皆设有两条数据线（3），纵向设置的BM层（4）的两边缘则分别位于水平方向上两相邻像素单元（2）的两相邻数据线（3）上，此时阵列基板（1）中的栅极金属层（5）和/或源漏极金属层（6）作为遮光金属。本专利技术将BM层的边缘设置在数据线上，以避免单边蚀刻量值变异形成的shotmura，进一步将BM层的边缘设置在数据线的中心线上并使得BM层的边缘与遮光金属的边缘之间的距离不小于BM层的单边蚀刻量值与组立精度之和，即可避免单边蚀刻量值变异形成的shotmura和BM层组立偏移造成的漏光、开口率下降等问题。【专利说明】一种防BM偏移液晶显示器
本专利技术涉及需接合曝光的大尺寸液晶显示器，具体的说是一种通过将BM层的边缘设置在数据线以避免单边蚀刻量值变异形成的Shot mura并防止BM组立偏移造成的漏光、开口率下降等问题的防BM偏移液晶显示器。
技术介绍
BM层的功能是遮光，目的是提高对比度、避免色混及防止光线照射TFT器件，减小漏电流，因此BM层的精确对位至关重要。影响BM层对位精度的因素主要有制程时的单边蚀刻量(CD)。目前面板尺寸越做越大，即使使用光罩尺寸最大的扫描曝光机，也无法将所有面板图形一次曝光完成，因此需要多次曝光接合完成。多次接合曝光带来的问题是每次曝光的CD值会有所差异，造成同一片面板上不同光罩区域(shot)的光透过率不一致，导致面板亮度不一，形成shot mura ο另外，影响BM层对位精度的主要因素还有对位时的组立精度。若BM层贴合时产生偏差，则会漏光，还会降低开口率。附图1为现有技术中的BM设计构架。如图1所示BM层设计时考虑单边蚀刻量(⑶)和组立精度，一般BM层4的宽度比栅极金属层制成的公共电极线52宽。附图2为附图1所示的BM设计构架中CD值正变异时的示意图，此时BM层4的宽度偏大，遮光区域增大，光透过率下降；附图3为附图1所示的BM设计构架中CD值负变异时的示意图，此时BM层4的宽度偏小，但由于栅极金属层具有遮光作用，可形成内置BM层，所以对面板亮度影响不大。若不同shot的⑶值变异不同，贝U会造成时亮度不均,面板形成shot mura。图4_7为附图1所示的BM设计构架中组立偏移时的示意图，图4为组立正偏移较小时的示意图，图5为组立负偏移较小时的示意图，图6为组立正偏移较大时的示意图，图7为组立负偏移较大时的示意图；如图4-7所示，当组立偏移较小时，正负偏移造成的结果一样，都是遮光区域增大，光透过率下降，所以面板亮度整体偏暗；当组立偏移较大时，正负偏移造成的结果一样，都是会漏光，造成面板对比度下降。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对现有技术存在的问题，提供一种通过将BM层的边缘设置在数据线以避免单边蚀刻量值变异形成的shot mura并防止BM组立偏移造成的漏光、开口率下降等问题的防BM偏移液晶显示器。本专利技术的目的是通过以下技术方案解决的: 一种防BM偏移液晶显示器，包括阵列基板，其特征在于所述阵列基板中的任一个像素单元中皆设有两条数据线，纵向设置的BM层的两边缘则分别位于水平方向上两相邻像素单元的两相邻数据线上，此时阵列基板中的栅极金属层和/或源漏极金属层作为遮光金属。所述BM层的边缘位于数据线的中心线上，且BM层的边缘至BM层边缘外侧的遮光金属边缘的距离不小于BM层的单边蚀刻量值与组立精度之和。所述的栅极金属层制作成数据线修复线时，数据线修复线位于数据线的下方作为遮光金属，BM层的两边缘分别位于两相邻数据线上且BM层的边缘至其外侧的数据线修复线边缘的距离不小于BM层的单边蚀刻量值与组立精度之和。所述BM层的宽度为两相邻数据线修复线之间的间距。所述的栅极金属层制作成公共电极线时，公共电极线位于数据线的下方作为遮光金属，BM层的两边缘分别位于两相邻数据线上且BM层的边缘至其外侧的公共电极线边缘的距离不小于BM层的单边蚀刻量值与组立精度之和。所述BM层的宽度为两相邻公共电极线之间的间距。所述的源漏极金属层制作成的数据线作为遮光金属时，BM层的两边缘分别位于两相邻数据线上且BM层的边缘至其外侧的数据线边缘的距离不小于BM层的单边蚀刻量值与组立精度之和。所述栅极金属层和源漏极金属层制作成的数据线作为遮光金属时，栅极金属层制作成的数据线位于漏极金属层制作成的数据线的下方，BM层的两边缘分别位于漏极金属层制作成的数据线的两相邻数据线上且BM层的边缘至其外侧的栅极金属层制作成的数据线边缘的距离不小于BM层的单边蚀刻量值与组立精度之和。所述BM层的宽度为栅极金属层制作成的两相邻数据线之间的间距。本专利技术相比现有技术有如下优点: 本专利技术通过将BM层的边缘设置在数据线上，以避免单边蚀刻量值变异形成的shotmura,进一步将BM层的边缘设置在数据线的中心线上并使得BM层的边缘与遮光金属的边缘之间的距离不小于BM层的单边蚀刻量值与组立精度之和，即可避免单边蚀刻量值变异形成的shot mura，也可以防止BM层组立偏移造成的漏光、开口率下降等问题。【专利附图】【附图说明】附图1为现有技术中的BM设计构架示意图； 附图2为附图1所示的BM设计构架中CD值正变异时的示意图； 附图3为附图1所示的BM设计构架中CD值负变异时的示意图； 附图4为附图1所示的BM设计构架中组立正偏移较小时的示意图； 附图5为附图1所示的BM设计构架中组立负偏移较小时的示意图； 附图6为附图1所示的BM设计构架中组立正偏移较大时的示意图； 附图7为附图1所示的BM设计构架中组立负偏移较大时的示意图； 附图8为本专利技术的实施例一的像素架构局部示意图； 附图9为本专利技术的实施例二的像素架构局部示意图； 附图10为本专利技术的实施例三的像素架构局部示意图； 附图11为本专利技术的实施例四的像素架构局部示意图。其中:1 一阵列基板；2—像素单元；3—数据线；4一BM层；5—栅极金属层；51—数据线修复线；52—公共电极线；6—源漏极金属层。【具体实施方式】下面结合附图与实施例对本专利技术作进一步的说明。如图8-11所示:一种防BM偏移液晶显示器，包括阵列基板1，该阵列基板I中的任一个像素单元2中皆设有两条数据线3，纵向设置的BM层4的两边缘则分别位于水平方向上两相邻像素单元2的两相邻数据线3上，此时阵列基板I中的栅极金属层5和/或源漏极金属层6作为遮光金属，即阵列基板I中的栅极金属层5、源漏极金属层6即可单独作为遮光金属使用，又可同时作为遮光金属使用。优选方案是将BM层4的边缘设置在数据线3的中心线上，且BM层4的边缘至BM层4边缘外侧的遮光金属边缘的距离不小于BM层4的单边蚀刻量值与组立精度之和。实施例一 附图8为一种防BM偏移液晶显不器的像素架构局部不意图，如图8所不，一种防BM偏移液晶显示器，包括阵列基板1，该阵列基板I中的任一个像素单元2中皆设有两条数据线3，纵向设置的BM层4的两边缘则分别位于水平方向上两相邻像素单元2的两相邻数据线3上，当栅极金属层5制作成数据线修复线51时，数据线修复线51位于数据线3的下方作为遮光金属，BM层4的两边缘分别位于两相邻数据线3上且BM层4的边缘至其外侧的数据本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防BM偏移液晶显示器，包括阵列基板（1），其特征在于所述阵列基板（1）中的任一个像素单元（2）中皆设有两条数据线（3），纵向设置的BM层（4）的两边缘则分别位于水平方向上两相邻像素单元（2）的两相邻数据线（3）上，此时阵列基板（1）中的栅极金属层（5）和/或源漏极金属层（6）作为遮光金属。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王杰，刘文雄，
申请(专利权)人：南京中电熊猫液晶显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32