一种复相陶瓷Si3N4-SiC的近尺寸制备方法技术

本发明专利技术涉及一种复相陶瓷Si3N4-SiC的近尺寸制备方法，采用三维打印的方法通过颗粒之间的粘结直接完成构件的成型，因此无需模具，且可以成型形状复杂的构件。采用3DP结合PIP法制备的Si3N4-SiC复相陶瓷解决了CVI方法的不均匀性问题，可将SiC纳米晶和SiC纳米线均匀分布在Si3N4基体中。采用Si3N4粉料和聚碳硅烷为原料，经三维打印、烧结、浸渍、固化、裂解和热处理等步骤，获得了连续致密、无杂质、均匀性好及吸波性能稳定的Si3N4-SiC复合陶瓷。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种复相陶瓷Si3N4‑SiC的近尺寸制备方法，其特征在于步骤如下：步骤1：将Si3N4粉料与烧结助剂Lu2O3按重量百分比97:3～90:10混合，再加入5～15%的糊精作为粘结剂混合，以蒸馏水为介质球磨48～96h后得到浆料；将浆料放入冷冻干燥机中冷冻6～10h，冷冻温度是‑50～‑80℃，真空干燥10～30h得到粉料；所述冷冻干燥机中的绝对压力为5～100Pa，干燥温度为40～70℃；步骤2：将粉料放入三维打印机供粉缸中，根据设计的三维CAD数据打印成所需形状的坯体，然后干燥1h以上；打印时采用多层打印，每层打印厚度为0.05～0.5mm；步骤3：将干燥好的坯体在空气中600～800℃氧化2～5h，得到Si3N4预制体；步骤4：将Si3N4预制体在氮气气氛下1700～1900℃烧结1～3h，压强为0.25～0.35MPa，得到Si3N4多孔陶瓷；步骤5：将Si3N4多孔陶瓷在预先处理好的先驱体中真空浸渍30～60min，然后在200～400℃中固化1～4h，在700～900℃裂解1～4h，并在1200℃～1600℃热处理1～4h；上述过程均在Ar或者N2气氛下保护下进行；所述先驱体的预先处理是：将0～7wt%的二茂铁加入先驱体中，在Ar气氛保护下60～80℃混合15～60min，使其分散均匀。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：殷小玮，段文艳，李权，张立同，成来飞，
申请(专利权)人：西北工业大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61