在铜基导电结构上形成石墨衬垫及/或顶盖层的方法技术

本发明专利技术涉及在铜基导电结构上形成石墨衬垫及/或顶盖层的方法，本发明专利技术的一种例示的方法包括在绝缘材料层中形成沟槽/通孔、至少在该沟槽/通孔中形成石墨衬垫层、在该石墨衬垫层上形成铜基晶种层、在该铜基晶种层上沉积块材铜基材料以使其填满溢出该沟槽/通孔、以及实行至少一化学机械研磨制程以至少移除位于该沟槽/通孔之外的该块材铜基材料以及该铜基晶种层的超出量，从而定义铜基导电结构，其具有设于该铜基导电结构及该绝缘材料层之间的石墨衬垫层。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种方法，包括：在绝缘材料层中形成沟槽/通孔；至少在该沟槽/通孔中形成石墨衬垫层；在该石墨衬垫层上形成铜基晶种层；在该铜基晶种层上沉积块材铜基材料以使其填满溢出该沟槽/通孔；以及实行至少一化学机械研磨制程以至少移除位于该沟槽/通孔之外的该块材铜基材料以及该铜基晶种层的超出量，从而定义铜基导电结构，该铜基导电结构具有设于该铜基导电结构及该绝缘材料层之间的石墨衬垫层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：E·T·瑞安，Z·克里沃卡皮克，张洵渊，C·维特，何铭，L·赵，
申请(专利权)人：格罗方德半导体公司，
类型：发明
国别省市：无