电容器、包含电容器的设备及用于形成电容器的方法技术

本发明专利技术提供电容器、包含电容器的设备及用于形成电容器的方法。一个此种电容器可包含第一导体、在所述第一导体上面的第二导体及在所述第一导体与所述第二导体之间的电介质。所述电介质不覆盖所述第一导体的一部分；且所述第二导体不覆盖所述第一导体的未被所述电介质覆盖的所述部分。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术提供。一个此种电容器可包含第一导体、在所述第一导体上面的第二导体及在所述第一导体与所述第二导体之间的电介质。所述电介质不覆盖所述第一导体的一部分；且所述第二导体不覆盖所述第一导体的未被所述电介质覆盖的所述部分。【专利说明】优先权申请本申请案主张2011年8月22日申请的第13/214，902号美国申请案的优先权权益，所述美国申请案以全文引用的方式并入本文中。
本专利技术大体来说涉及电容器，且在特定实施例中，涉及一种用于存储电能并向多种装置(包含半导体装置)提供电能的平行板电容器。
技术介绍
电容器为用于存储电能并向其它电元件提供电能的基本电元件。其用于当今大多数的电装置及/或电子装置中且随着技术快速演进不断地将其应用范围扩展到新型高科技装置(例如半导体装置)中。尽管存在大量可供在此些半导体装置中使用的电容器(例如，金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)电容器)，但随着多年以来半导体装置的密度已迅猛且稳定地增加，对在大小上更小且在存储容量上更大的电容器的需求一直不断且日益增加。【专利附图】【附图说明】图1A展示电容器的一个说明性实施例的透视图。图1B展示图1A中所展示的电容器沿着线A-A'截取的横截面图。图1C展示图1A中所展示的电容器的平面图。图2A展示电容器的另一说明性实施例的透视图。图2B展示图2A中所展示的电容器沿着线B-B'截取的横截面图。图2C展示图2A中所展示的电容器的平面图。图2D展示图2A中所展示的电容器的示意性电路图。图3A展示电容器的又一说明性实施例的透视图。图3B展示图3A中所展示的电容器沿着线C-C'截取的横截面图。图3C展示图3A中所展示的电容器沿着线D-D'截取的横截面图。图3D展示图3A中所展示的电容器的平面图。图4A及4B展示包含四个接触电极的电容器的说明性实施例的平面图。图5展示包含电容器的快闪存储器装置的说明性实施例的横截面图。图6展示包含多个电容器的电荷泵的说明性实施例。图7展示用于制作电容器的方法的说明性实施例的实例流程图。图8A-8G是图解说明图7中所展示的实例方法及通过所述实例方法制作的结构的一系列图式。图9展示包含非易失性存储器装置的系统的说明性实施例的示意图。【具体实施方式】本专利技术提供与电容器相关的技术。在一个实施例中，所述电容器可包含第一导体、在所述第一导体上面的第二导体及在所述第一导体与所述第二导体之间的电介质。所述电介质不覆盖所述第一导体的一部分；且所述第二导体不覆盖所述第一导体的未被所述电介质覆盖的所述部分。在另一实施例中，一种电容器可包含彼此上下安置的N个平面导体，所述平面导体中的每一者包含未被安置于其上面的平面导体覆盖的至少一个第一部分，其中N为等于或大于2的自然数。前述实施例仅为说明性且决不打算为限制性。除上述说明性方面、实施例及特征之外，参考图式及以下详细描述，其它方面、实施例及特征也将变得显而易见。在以下详细描述中，参考形成本文的一部分的附图。在图式中，除非上下文另有规定，否则类似符号通常识别类似组件。在详细描述、图式及权利要求书中所描述的说明性实施例并非意在为限制性。在不背离本文中所呈现的标的物的精神或范围的情况下可利用其它实施例且可做出其它改变。将容易理解，可以各种各样的不同配置来布置、替代、组合、分离及设计如本文中大体描述且在图中图解说明的本专利技术方面，所有所述配置均明确地涵盖于本文中。图1A展示电容器的一个说明性实施例的透视图。图1B展示图1A中所展示的电容器沿着线A-A'截取的横截面图。图1C展示图1A中所展示的电容器的平面图。参考图1A-1C，电容器100可包含衬底110及提供于衬底110上的堆叠式主体120。尽管为简单起见图1A-1C中未明确图解说明，但电介质材料(例如氧化硅)可插置于衬底110与堆叠式主体120之间。堆叠式主体120可包含彼此上下安置且彼此实质上平行的第一及第二平面导体(例如，第一平面导电层121a及第二平面导电层121b ;下文中可统称为平面导电层121)以及插置于其之间的电介质(例如，电介质层122)。在一个实施例中，第二平面导电层121b及电介质层122可安置于第一导电层121a上以分别仅覆盖下伏第一导电层121a的上表面的一(若干)部分，使得第一导电层121a可包含未被上覆第二平面导电层121b及电介质层122覆盖的一个或一个以上上表面部分(例如,第一上表面部分12a及第二上表面部分12b)。以非限制性实例的方式，一个或一个以上上表面部分12a及12b可为第一平面导电层121a的端部，使得其可与第二平面导电层121b及第一电介质层122 —起形成在电容器100的一个或一个以上侧处的一个或一个以上阶梯。在一个实施例中，如图1A-1C中所展示，第二平面导电层121b可在其两个延伸维度中的至少一者上小于其下伏第一平面导电层121a。为方便描述，图1A中展示了 xyz坐标系统。此坐标系统中的X及z轴分别指示平面导电层121可沿着其延伸的两个正交方向，且z轴指示正交于X及y轴的方向。在以上坐标系统中，第二平面导电层121b可在沿图1A中所展示的X及y轴的方向的两个维度中的至少一者上小于其下伏第一平面导电层121a。此夕卜，在以上实施例中，第二平面导电层121b可在其两个延伸维度(例如，沿图1A中所展示的X及y轴的方向上的两个维度)中的至少一者上等于或小于其下伏电介质层122。然而，应了解，根据本专利技术的堆叠式主体并不限于此，且取决于特定实施例，第二平面导电层可在其两个延伸维度中的至少一者上在大小上等于或大于其下伏第一平面电介质层及/或电介质层中的至少一些层，且仍可以仅覆盖第一导电层的上表面的一(若干)部分的方式布置。在一个实施例中，电容器100可进一步包含分别耦合到第一平面导电层121a及第二平面导电层121b的上表面的第一触点130a及第二触点130b (其在下文中可统称为(例如)金属线130)(例如,金属触点、多晶娃触点等)以及分别安置于第一金属线130a及第二金属线130b上且稱合到第一金属线130a及第二金属线130b的第一接触电极140a及第二接触电极140b (下文中可统称为接触电极140)。第一金属线130a及第二金属线130b可掩埋于层间电介质层150内部，且第一接触电极140a及第二接触电极140b可安置于层间电介质层150上以分别稱合到第一金属线130a及第二金属线130b。以非限制性实例的方式，金属线130可分别沿实质上垂直于平面导电层120的上表面的方向(例如，沿图1A中所展示的z轴所指示的方向)延伸。应了解，如本文中所使用的术语“实质上垂直”包含但不限于围绕垂直方向从-30度到+30度的范围。尽管将金属线130图解说明为伸长的矩形结构，但其可采取多种不同形状中的一者。举例来说，金属线130可为但不限于圆柱体或锥形柱。电容器100的前述元件可分别由各种不同材料制成。举例来说，衬底110可由一种或一种以上材料制作，所述材料包含但不限于:蓝宝石、玻璃或半导体材料(例如，硅(Si)、锗(Ge)及砷化镓(GaAs))。平面导电层121及电介质层122可分别以任何可用方式由导电材料(例如，多晶硅)及所述导电材料的氧化物(例如，氧化硅)制成。金属线130及接触本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电容器，其包括：第一导体；第二导体，其在所述第一导体上面；及电介质，其在所述第一导体与所述第二导体之间，其中所述电介质不覆盖所述第一导体的一部分，且所述第二导体不覆盖所述第一导体的未被所述电介质覆盖的所述部分。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：权兑辉，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：无