一种去除光阻残留物的清洗液制造技术

本发明专利技术公开了一种用于去除光阻残留物的清洗液。该去除光阻残留物的清洗液含有季胺氢氧化物，醇胺，溶剂以及聚醚改性有机硅。该清洗液能够更为有效地去除晶圆上的光阻残留物，在半导体晶片清洗等领域具有良好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种用于去除光阻残留物的清洗液。该去除光阻残留物的清洗液含有季胺氢氧化物，醇胺，溶剂以及聚醚改性有机硅。该清洗液能够更为有效地去除晶圆上的光阻残留物，在半导体晶片清洗等领域具有良好的应用前景。【专利说明】一种去除光阻残留物的清洗液
本专利技术涉及一种清洗液，更具体地说，涉及一种去除光阻残留物的清洗液。
技术介绍
在通常的半导体制造工艺中，通过在一些材料的表面上形成光刻胶的掩膜，曝光后进行图形转移，在得到需要的图形之后，进行下一道工序之前，需要剥去残留的光刻胶。在这个过程中要求完全除去不需要的光刻胶，同时不能腐蚀任何基材。目前，光刻胶清洗液主要由极性有机溶剂、强碱和/或水等组成，通过将半导体晶片浸入清洗液中或者利用清洗液冲洗半导体晶片，去除半导体晶片上的光刻胶。如JP1998239865公开了一种含水体系的清洗液，其组成是四甲基氢氧化铵（TMAH)、二甲基亚砜（DMS0)、1，3’_ 二甲基-2-咪唑烷酮（DMI)和水。将晶片浸入该清洗液中，于50?100°C下除去金属和电介质基材上的20 μ m以上的光刻胶；其对半导体晶片基材的腐蚀略高，且不能完全去除半导体晶片上的光刻胶，清洗能力不足；又例如US5529887公开了由氢氧化钾（Κ0Η)、烷基二醇单烷基醚、水溶性氟化物和水等组成碱性清洗液，将晶片浸入该清洗液中，在40?90°C下除去金属和电介质基材上的光刻胶。其对半导体晶片基材的腐蚀较高。又例如US5480585公开了一种含非水体系的清洗液，其组成是乙醇胺、环丁砜或二甲亚砜和邻苯二酹,能在40?120°C下除去金属和电介质基材上的光刻胶,对金属基本无腐蚀。又例如US2005119142公开了一种含有烷氧基的聚合物、二丙二醇烷基醚、N-甲基吡咯烷酮和甲基异丁基酮的非水性清洗液。该清洗液可以同时适用于正性光刻胶和负性光刻胶的清洗。随着半导体的快速发展，特别是凸球封装领域的发展，对光刻胶残留物的清洗要求也相应提高；主要是在单位面积上引脚数（I/O)越来越多，光刻胶的去除也变得越来越困难。由此可见，寻找更为有效的光刻胶清洗液是该类光刻胶清洗液努力改进的优先方向。一般而言，提高碱性光刻胶清洗液的清洗能力主要是通过提高清洗液的碱性、选用更为有效的溶剂体系、提高操作温度和延长操作时间几个方面来实现的。但是，提高清洗液的碱性和操作温度以及延长清洗时间往往会增加对金属的腐蚀；对于已选定的体系来讲，其溶剂体系也已经确定；所以如何在现有的体系中进一步提高清洗液的光刻胶去除能力就是许多光刻胶去除液的努力改进方向。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种更为有效地去除光阻残留物的清洗液及其组成。该清洗液在有效去除晶圆上的光阻残留物的同时，对于基材如金属铜等基本无腐蚀，在半导体晶片清洗等领域具有良好的应用前景。为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种清洗液，其含有季胺氢氧化物，醇胺，溶剂以及聚醚改性有机硅。其中，季胺氢氧化物的含量为O. l-6wt% (质量百分比），优选为O. 5-3. 5wt%。其中，醇胺的含量为O. l_20wt%，优选为O. 5-10wt%其中，聚醚改性有机硅的含量为0.01?3wt%，优选为0.05-lwt%其中，上述清洗液的余量为溶剂。上述含量均为质量百分比含量；且本专利技术所公开的去除光阻残留物的清洗液中，优选的，可不含有研磨颗粒、羟胺和/或氟化物。本专利技术中，季胺氢氧化物较佳的四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵、十六烷基三甲基氢氧化铵和苄基三甲基氢氧化铵中的一种或多种。本专利技术中，醇胺较佳的选自单乙醇胺、N-甲基乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、乙基二乙醇胺、N，N-二乙基乙醇胺、N-(2-氨基乙基)乙醇胺和二甘醇胺。优选单乙醇胺、三乙醇胺及其混合物。本专利技术中，有机溶剂较佳的为亚砜、砜、咪唑烷酮、吡咯烷酮、咪唑啉酮、酰胺和醇醚中的一种或多种；其中亚砜较佳的为二甲基亚砜和甲乙基亚砜中的一种或多种；砜较佳的为甲基砜、环丁砜中的一种或多种；咪唑烷酮较佳的为2-咪唑烷酮和I，3- 二甲基-2-咪唑烷酮中的一种或多种；吡咯烷酮较佳的为N-甲基吡咯烷酮、N-环己基吡咯烷酮和N-羟乙基吡咯烷酮中的一种或多种；咪唑啉酮较佳的为1，3_ 二甲基-2-咪唑啉酮；酰胺较佳的为二甲基甲酰胺和二甲基乙酰胺中的一种或多种；醇醚较佳的为二乙二醇单甲醚、二乙二醇单丁醚和二丙二醇单甲醚中的一种或多种。本专利技术中的清洗液，可以在25°C至80°C下清洗晶圆上的光阻残留物。具体方法如下:将含有光阻残留物的晶圆浸入本专利技术中的清洗液中，在25°C至80°C下浸泡合适的时间后，取出漂洗后用高纯氮气吹干。本专利技术的积极进步效果在于:本专利技术的清洗液在同样条件下能够更为有效地去除光刻胶残留物；同时对于基材如金属铜等基本无腐蚀，在半导体晶片清洗等领域具有良好的应用前景。【具体实施方式】下面通过具体实施例进一步阐述本专利技术的优点，但本专利技术的保护范围不仅仅局限于下述实施例。按照表I中各实施例以及对比实施例的成分及其比例配制抛光液，混合均匀。表I本专利技术实施例及对比例的配方【权利要求】1.一种去除光阻残留物的清洗液，其特征在于，所述清洗液包括季胺氢氧化物，醇胺，溶剂以及聚醚改性有机硅。2.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述季胺氢氧化物的含量为0.l-6wt%。3.如权利要求2所述的清洗液，其特征在于，所述季胺氢氧化物的含量为0.5-3.5wt%。4.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述醇胺的含量为0.l-20wt%o5.如权利要求4所述的清洗液，其特征在于，所述醇胺的含量为0.5-10wt%。6.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述聚醚改性有机硅的含量为0.01?3wt%。7.如权利要求6所述的清洗液，其特征在于，所述聚醚改性有机硅的含量为0.05-lwt%o8.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述清洗液中余量为有机溶剂。9.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述的季胺氢氧化物选自四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵、十六烷基三甲基氢氧化铵和苄基三甲基氢氧化铵中的一种或多种。10.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述的醇胺选自单乙醇胺、N-甲基乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、乙基二乙醇胺、N，N- 二乙基乙醇胺、N- (2-氨基乙基)乙醇胺和二甘醇胺。优选单乙醇胺、三乙醇胺及其混合物。11.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述的溶剂选自亚砜、砜、咪唑烷酮、批咯烷酮、咪唑啉酮、酰胺和醇醚中的一种或多种。12.如权利要求11所述的清洗液，其特征在于，所述的亚砜选自二甲基亚砜和甲乙基亚砜中的一种或多种；所述的砜较选自甲基砜、环丁砜中的一种或多种；所述的咪唑烷酮选自2-咪唑烷酮和1，3-二甲基-2-咪唑烷酮中的一种或多种；所述的吡咯烷酮选自N-甲基吡咯烷酮、N-环己基吡咯烷酮和N-羟乙基吡咯烷酮中的一种或多种；所述的咪唑啉酮为1，3-二甲基-2-咪唑啉酮；所述的酰胺选自二甲基甲酰胺和二甲基乙酰胺中的一种或多种；所述的醇醚选自二乙二醇单甲醚、二乙二醇单丁醚和二丙二醇单甲醚中的一种或多种。13.如权利要求1所述的清洗液，其特征在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种去除光阻残留物的清洗液，其特征在于，所述清洗液包括季胺氢氧化物，醇胺，溶剂以及聚醚改性有机硅。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘兵，彭洪修，孙广胜，颜金荔，
申请(专利权)人：安集微电子科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31