热致发声器阵列的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种热致发声器阵列的制备方法，其包括以下步骤：(a)提供一基底，所述基底包括一表面，在该基底的表面定义多个单元格子；(b)在所述基底的表面每一单元格子内形成多个平行且间隔设置的凹槽；(c)在所述基底的表面每一单元格子内形成至少一第一电极及至少一第二电极，任意相邻的第一电极与第二电极之间具有至少一凹槽；(d)在所述基底的表面贴附一热致发声元件，并使所述热致发声元件覆盖每一单元格子，且与所述每一单元格子中的第一电极及第二电极电连接，所述热致发声元件在每一单元格子中的多个凹槽位置悬空；以及(e)按照所述多个单元格子分割所述热致发声元件，使相邻单元格子的热致发声元件之间电绝缘。该热致发声器阵列的制备方法可方便的一次形成多个的热致发声器单元，工艺简单。

【技术实现步骤摘要】
热致发声器阵列的制备方法
本专利技术涉及一种热致发声器阵列的制备方法。
技术介绍
2008年10月29日，范守善等人公开了一种应用热声效应的热致发声装置，请参见文献“Flexible，Stretchable，TransparentCarbonNanotubeThinFilmLoudspeakers”，ShouShanFan，etal.，NanoLetters，Vol.8(12)，4539-4545(2008)。该热致发声装置采用碳纳米管膜作为一热致发声元件，该碳纳米管膜通过热致发声原理进行发声。然而，所述作为热致发声元件的碳纳米管膜的厚度为纳米级，容易破损且不易加工，并且于玻璃基底形成多个热致发声元件，生产效率较低，因此，如何解决上述问题是使上述热致发声装置能够实现产业化及实际应用的关键。
技术实现思路
有鉴于此，确有必要提供一种热致发声器阵列的制备方法，该制备方法可方便的在同一基底一次形成多个热致发声装置，可实现产业化。一种热致发声器阵列的制备方法，其包括以下步骤：(a)提供一基底，所述基底包括一表面，在该基底的表面定义多个单元格子；(b)在所述基底的表面每一单元格子内形成多个平行且间隔设置的凹槽；(c)在所述基底的表面每一单元格子内形成至少一第一电极及至少一第二电极，任意相邻的第一电极与第二电极之间具有至少一凹槽；(d)在所述基底的表面贴附一热致发声元件，并使所述热致发声元件覆盖每一单元格子，且与所述每一单元格子中的第一电极及第二电极电连接，所述热致发声元件在每一单元格子中的多个凹槽位置悬空；以及(e)按照所述多个单元格子分割所述热致发声元件，使相邻单元格子的热致发声元件之间电绝缘。一种热致发声器阵列的制备方法，其包括以下步骤：(a)提供一基底，所述基底包括一表面，在该基底的表面定义多个单元格子；(b)在所述基底的表面每一单元格子内形成多个均匀分布且间隔设置的凹部；(c)在所述基底的表面每一单元格子内形成至少一第一电极及至少一第二电极，任意两个相邻的第一电极与第二电极之间具有至少一凹部；(d)在所述基底的表面贴附一热致发声元件，并使所述热致发声元件覆盖每一单元格子，且与所述每一单元格子中的第一电极及第二电极电连接，所述热致发声元件在所述每一单元格子中的多个凹部位置悬空；以及(e)按照所述多个单元格子分割所述热致发声元件，使相邻单元格子的热致发声元件之间电绝缘。与现有技术相比较，所述热致发声器阵列的制备方法具有以下优点：由于所述基底的第一表面定义多个单元格子，在该多个单元格子一次形成多个第一电极和多个第二电极，该热致发声元件一次铺设之后再按照单元格子进行分割，可方便的在同一基底一次形成多个热致扬声器单元，且每一热致扬声器单元相互独立发声，该制备方法可实现产业化。附图说明图1是本专利技术第一实施例提供的热致发声器阵列的俯视示意图。图2是本专利技术第一实施例提供的热致发声器阵列的热致发声器单元的立体示意图。图3是图2所示的热致发声器单元的剖视图。图4是本专利技术第一实施例提供的热致发声器阵列的照片。图5是本专利技术热致发声器阵列的热致发声器单元中的碳纳米管膜的扫描电镜照片。图6是本专利技术热致发声器阵列的热致发声器单元中非扭转的碳纳米管线的扫描电镜照片。图7是本专利技术热致发声器阵列的热致发声器单元中扭转的碳纳米管线的扫描电镜照片。图8为本专利技术第一实施例提供的热致发声器阵列的制备方法流程图。图9为本专利技术第一实施例提供的热致发声器阵列的制备方法中碳纳米管膜经有机溶剂处理后得到的碳纳米管线的光学显微镜照片。图10是本专利技术第二实施例提供的热致发声器阵列的俯视示意图。图11是本专利技术第二实施例提供的热致发声器阵列的热致发声器单元的立体示意图。图12为图11所示的热致发声器单元的剖视图。图13为本专利技术第三实施例提供的热致发声器阵列的热致发声器单元的立体示意图。图14为本专利技术第四实施例提供的热致发声器阵列的热致发声器单元的剖视图。主要元件符号说明热致发声器阵列10，20基底100热致发声器单元200第一表面101凹部102第二表面103凸部104切割线105凹孔106热致发声元件110第一区域112第二区域114绝缘层120第一电极130第二电极140如下具体实施例将结合上述附图进一步说明本专利技术。具体实施方式以下将结合附图详细说明本专利技术实施例的热致发声器阵列。请一并参阅图1、图2、图3及图4，本专利技术第一实施例提供一种热致发声器阵列10，其包括：一基底100和多个热致发声器单元200。所述基底100具有一第一表面101。所述多个热致发声器单元200设置于所述基底100的第一表面101。所述多个热致发声器单元200中每个热致发声器单元包括多个凹部102，一热致发声元件110，一第一电极130和一第二电极140。所述多个凹部102相互间隔设置于所述基底100的第一表面101。所述热致发声元件110贴附于基底100所述第一表面101设置，所述热致发声元件110在多个凹部102的位置悬空设置。所述第一电极130和第二电极140间隔设置，任意相邻的第一电极130与第二电极140之间具有至少一凹部102。所述第一电极130和第二电极140与所述热致发声元件110电连接。该基底100为一平面片状结构，形状不限，可为圆形、方形或矩形等，也可以为其他形状。所述基底100的面积为25平方毫米～200平方厘米，具体可选择为如40平方毫米、100平方毫米、45平方厘米或100平方厘米等。所述基底100的厚度为0.2毫米～0.8毫米。可以理解，所述基底100并不限于上述平面片状结构，只要确保所述基底100具有一表面承载所述热致发声元件110即可，也可选择为块状结构、弧面结构等。所述基底100的材料可为玻璃、陶瓷、石英、金刚石、塑料、树脂或木质材料。优选地，所述基底100的材料为单晶硅或多晶硅，此时，所述硅基底具有良好的导热性能，从而可将所述热致发声元件110在工作中产生的热量及时的传导到外界，延长热致发声元件110的使用寿命。本实施例中，该基底100为一直径为10厘米的圆形平面片状结构，厚度为600微米，材料为单晶硅。所述多个热致发声器单元200中相邻的热致发声器单元相互独立设置。所谓相互独立设置是指相邻的热致发声器单元200中的热致发声元件110相互绝缘，因而可通过对热致发声元件110输入不同的信号而独立控制其工作状态。具体的，所述热致发声器阵列10中相邻的热致发声器单元200通过所述切割线105相互独立设置，所述切割线105设置于所述基底100的第一表面101。所述多个切割线105的具体位置可根据基底的面积及需要设置的热致发声器单元200的数目进行选择。本实施例中，所述多个切割线105平行排列或相互垂直设置于所述基底100的第一表面101。所述多个切割线105可以为通槽结构、通孔结构、盲槽结构或盲孔结构中的一种或多种。本实施例中，所述多个切割线105为盲槽结构。在这里需要说明的是，当所述切割线105为通槽结构时，要保证所述多个切割线105中相邻两个切割线不相交，以保证所述多个热致发声器单元200共用同一基底。所述多个热致发声器单元200在所述基底100的第一表面101以成行成列的方式排列而形成一热致发声器阵列10。所述热致发声器单元200的数目不限，可根据需本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种热致发声器阵列的制备方法，其包括以下步骤：(a)提供一基底，所述基底包括一表面，在该基底的表面定义多个单元格子；(b)在所述基底的表面每一单元格子内形成多个平行且间隔设置的凹槽；(c)在所述基底的表面每一单元格子内形成至少一第一电极及至少一第二电极，任意相邻的第一电极与第二电极之间具有至少一凹槽；(d)在所述基底的表面贴附一热致发声元件，并使所述热致发声元件覆盖每一单元格子，且与所述每一单元格子中的第一电极及第二电极电连接，所述热致发声元件在每一单元格子中的多个凹槽位置悬空；以及(e)按照所述多个单元格子分割所述热致发声元件，使相邻单元格子的热致发声元件之间电绝缘。

【技术特征摘要】
1.一种热致发声器阵列的制备方法，其包括以下步骤：(a)提供一基底，所述基底包括一表面，在该基底的表面定义多个单元格子；(b)在所述基底的表面每一单元格子内形成多个平行且间隔设置的凹槽；(c)在所述基底的表面每一单元格子内形成至少一第一电极及至少一第二电极，任意相邻的第一电极与第二电极之间具有至少一凹槽；(d)在所述基底的表面贴附一热致发声元件，并使所述热致发声元件覆盖每一单元格子，且与所述每一单元格子中的第一电极及第二电极电连接，所述热致发声元件在每一单元格子中的多个凹槽位置悬空；以及(e)按照所述多个单元格子分割所述热致发声元件，使相邻单元格子的热致发声元件之间电绝缘。2.如权利要求1所述的热致发声器阵列的制备方法，其特征在于，在所述基底的表面形成多个切割线，所述基底的表面通过所述多个切割线被预分割形成多个单元格子。3.如权利要求2所述的热致发声器阵列的制备方法，其特征在于，所述基底的表面通过湿法刻蚀的方法形成所述切割线。4.如权利要求1所述的热致发声器阵列的制备方法，其特征在于，所述在基底的表面每一单元格子内形成多个平行且间隔设置的凹槽包括以下步骤：将一掩模设置于所述基底的该表面，所述掩模对应每一单元格子具有多个平行且间隔设置的通孔；刻蚀第一表面的每一单元格子，形成所述多个间隔的凹槽，所述凹槽的最大宽度大于等于0.2毫米且小于1毫米，相邻凹槽之间的距离为20微米至200微米，所述凹槽的深度为100微米～200微米；以及去除所述掩模。5.如权利要求2所述的热致发声器阵列的制备方法，其特征在于，所述热致发声元件沿着所述切割线进行分割。6.如权利要求1所述的热致发声器阵列的制备方法，其特征在于，在所述每一单元格子形成至少一第一电极及至少一第二电极这一步骤之前，进一步包括在所述基底的表面形成一绝缘层，所述绝缘层仅沉积于相邻凹槽之间基底的表面或覆盖整个基底的表面。7.如权利要求1所述的热致发声器阵列的制备方法，其特征在于，所述基底的材料为单晶硅或多晶硅。8.如权利要求1所述的热致发声器阵列的制备方法，其特征在于，所述热致发声元件为一碳纳米管结构，所述碳纳米管结构包括多个碳纳米管与所述基底的表面大致平行且沿同一方向择优取向延伸。9.如权利要求8所述的热...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏洋，林晓阳，姜开利，范守善，
申请(专利权)人：清华大学，鸿富锦精密工业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11