【技术实现步骤摘要】
一种自举时钟采样开关的时钟馈通补偿电路
本专利技术涉及一种电路,尤其涉及一种自举时钟采样开关的时钟馈通补偿电路。
技术介绍
在ADC(AnalogtoDigitalConverter,模数变换器)电路系统中,常常会用到采样保持电路(sampleandhold),其作用是采集模拟输入电压在某一时刻的瞬时值,并在模数转换器进行转换期间保持输出电压不变,以供模数转换。高电平时开关闭合,输出跟随输入信号,低电平时,开关断开,保持电容保持输出电压恒定。在实际的电路中,由于开关器件寄生电容及电荷注入效应引起的采样误差主要包括:1.寄生源漏电容引起的串扰误差2.自举时钟馈通通过栅漏寄生电容引起的串扰误差。对于自举时钟馈通通过栅漏寄生电容引起的串扰误差,通常通过栅压自举开关来消除串扰误差,使采样开关的栅压和伪开关的栅压都由栅压自举开关提供;该方法的局限性在于:引入的伪开关在保持阶段过程中,栅压被偏置为Vin+Vdd,因为Vin是变化的,所以变化的栅压同样会通过寄生的Cgd电容耦合干扰采样值。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种自举时钟采样开关的时钟馈通补偿方法,能够消除自举时钟馈通通过栅漏寄生电容引起的串扰误差,保持采样值的恒定。本专利技术的次要目的在于提供使用上述自举时钟采样开关的时钟馈通补偿方法所设计的自举时钟采样开关的时钟馈通补偿电路。为了解决上述的技术问题,本专利技术提供了一种自举时钟采样开关的时钟馈通补偿方法,其特征在于:在采样输出端INN和INP分别加入一伪开关晶体管M2、M4;所述伪开关晶体管M2、M4的栅极偏置在与采样晶体管M1、M3所连接的栅压自 ...
【技术保护点】
一种自举时钟采样开关的时钟馈通补偿方法,其特征在于:在采样输出端INN和INP分别加入一伪开关晶体管M2、M4;所述伪开关晶体管M2、M4的栅极偏置在与采样晶体管M1、M3互补的栅压自举电路的时钟输出端;在采样输出端INN与INP再分别加入一新伪开关晶体管M5、M6;所述新伪开关晶体管M5、M6的栅极偏置为与所述伪开关晶体管M2、M4互补的栅压自举电路的时钟输出端。
【技术特征摘要】
1.一种自举时钟采样开关的时钟馈通补偿电路,包括:第一采样晶体管M1,所述第一采样晶体管M1的栅极与第一栅压自举电路I1的时钟输出端连接,所述第一采样晶体管M1的源极与第一差分互补信号INP连接,所述第一采样晶体管M1的漏极与第一输出端OUTP连接;第一伪开关晶体管M2,所述第一伪开关晶体管M2的栅极与第二栅压自举电路I2的时钟输出端连接;第一保持电容C1,所述第一保持电容C1的一端与所述第一输出端OUTP连接;所述第一保持电容C1的另一端与GND连接;第二采样晶体管M3,所述第二采样晶体管M3的栅极与第三栅压自举电路I3的时钟输出端连接,所述第二采样晶体管M3的源极与第二差分互补信号INN连接,所述第二采样晶体管M3漏极与第二输出端OUTN连接;第二伪开关晶体管M4,所述第二伪开关晶体管M4的栅极与第四栅压自举电路I4的时钟输出端连接;第二保持电容C2,所述第二保持电容C2的一端与所述第一输出端OUTP连接;所述第二保持电容C2的另一端与GND连接;所述第一栅压自举电路I1、第二栅压自举电路I2的输入端分别与所述第一差分互补信号INP连接;所述第三栅压自举电路I3、第四栅压自举电路I4的输入端分别与所述第二差分互补信号INN连接;所述第一栅压自举电路I1、第三栅压自举电路I3的第一时钟输入端与第一互补采样时钟PHY1连接,第一栅压自举电路I1、第三栅压自举电路I3的第二时钟输入端与第二互补采样时钟PHY2连接;所述第二栅压自举电路I2、第四栅压自举电路I4的第一时钟输入端与第二互补采样时钟PHY2连接,第二栅压自举电路I2、第四栅压自举电路I4的第二时钟输入端与第一互补采样时钟PHY1连接;其特征在于:还包括第三伪开关晶体管M5和第四伪开关晶体管M6;所述第三伪开关晶体管M5的源极与所述第一采样晶体管M1的漏极、第一输出端OUTP相连,所述第三伪开关晶体管M5的栅极与所述第四栅压自举电路I4的时钟输出端相连,所述第三伪开关晶体管M5的漏极与所述第一伪开关晶体管M2的源极相连;所述第四伪开关晶体管M6的源极与所述第二采样晶体管M3的漏极、第二输出端OUTN相连,所述第四伪开关晶体管M6的栅极与所述第二栅压自举电路I2的时钟输出端相连,所述第四伪开关晶体管M6的漏极与所述第二伪开关晶体管M4的源极相连。2.根据权利要求1所述的一种自举时钟采样开关的时钟馈通补偿电路,其特征在于:还包括第五伪开关晶体管M7和第六伪开关晶体管M8;所述第五伪开关晶体管M7的源极与所述第二采样晶体管M2的漏极、第二输出端OUTN连接;所述第五伪开关晶体管M7的漏极与所述第一采样晶体管M1的源极、第一差分互补输入信号INP相连;所述第六伪开关晶体管M8的漏极与所述第一采样晶体管M1的漏极、第一输出端OUTP连接;所述第六伪开关晶...
【专利技术属性】
技术研发人员:林少衡,
申请(专利权)人:厦门优迅高速芯片有限公司,
类型:发明
国别省市:
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