单相三线电能表双锰铜采样电路产生脉冲的方法技术

本发明专利技术公开了一种单相三线电能表双锰铜采样电路产生脉冲的方法，包括单相三线电能表，单相三线电能表包括MCU控制单元、两个计量采样电路和两个锰铜采样单元，每个锰铜采样单元分别和一个计量采样电路电连接，两个计量采样电路分别和MCU控制单元电连接，MCU控制单元中包括定时器，定时器用于检测两个计量采样电路产生脉冲的时间间隔T1和T2，并用于累加时间T3，当T3≥[（T1+T2）/T1×T2]时，MCU控制单元发出脉冲。本发明专利技术的方法在使用中不必考虑计量芯片的高频脉冲输出性能，摆脱了对计量芯片性能的依赖，使计量芯片的选择更加灵活，有效降低电能表的成本，且采用此方法能更加精确地输出脉冲，避免跳动误差。

【技术实现步骤摘要】
单相三线电能表双锰铜采样电路产生脉冲的方法
本专利技术涉及电能表，尤其涉及一种单相三线电能表双锰铜采样电路产生脉冲的方法。
技术介绍
传统的由两个采样电路组成的单相三线电能表的主控芯片发出脉冲的方法一般是通过计量芯片发出高频脉冲，采用主控芯片累计该高频脉冲，直到主控芯片累计的高频脉冲数达到代表一个脉冲的数量时，主控芯片发出脉冲。此种方法对计量芯片的要求较高，需要计量芯片能够产生高频脉冲，而很多计量芯片没有产生高频脉冲的能力，并且此方法存在误差跳动。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种单相三线电能表双锰铜采样电路产生脉冲的方法。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：提供一种单相三线电能表双锰铜采样电路产生脉冲的方法，包括单相三线电能表，所述单相三线电能表包括MCU控制单元、两个计量采样电路和两个锰铜采样单元，每个所述锰铜采样单元分别和一个所述计量采样电路电连接，两个计量采样电路分别和所述MCU控制单元电连接，MCU控制单元中包括定时器，所述定时器用于检测两个计量采样电路产生脉冲的时间间隔T1和T2，并用于累加总时间间隔T3，当1/T3≥[(T1+T2)/(T1×T2)]时，MCU控制单元发出脉冲。其中，所述定时器的中断时间T的范围为150us≤T≤250us。本专利技术的有益效果是：在使用中不必考虑计量芯片的高频脉冲输出性能，摆脱了对计量芯片性能的依赖，使计量芯片的选择更加灵活，有效降低电能表的成本，且采用此方法能更加精确地输出脉冲，避免跳动误差。附图说明图1是本专利技术的一个实施方式中的硬件结构示意图。主要元件符号说明：10、MCU控制单元；20、计量采样电路；30、锰铜采样单元。具体实施方式为详细说明本专利技术的
技术实现思路
、构造特征、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。请参阅图1，本实施方式为一种单相三线电能表双锰铜采样电路产生脉冲的方法，包括单相三线电能表，单相三线电能表包括MCU控制单元10、两个计量采样电路20和两个锰铜采样单元30，每个锰铜采样单元30分别和一个计量采样电路20电连接，两个计量采样电路20分别和MCU控制单元10电连接。MCU控制单元10中包括定时器，定时器用于检测两个计量采样电路20产生脉冲的时间间隔T1和T2，并用于累加总时间间隔T3，当1/T3≥[(T1+T2)/(T1×T2)]时，MCU控制单元10发出脉冲。在本实施方式中，单相三线两个计量电量的功率假设为P1和P2，脉冲间隔时间为T1和T2，单相三线总的功率和总时间间隔假设为P和T3，则功率可以表示为P＝P1+P2，脉冲间隔时间T＝3600000/(P×脉冲常数)，单位为秒。则P＝P1+P2可以表示为1/T3＝1/T1+1/T2；即当1/T3≥1/T1+1/T2时MCU控制单元发出脉冲。由上述原理可知，电能大小可采用两个计量采样电路产生脉冲的时间间隔T1、T2以及总时间间隔T3来量化，可等效为当1/T3≥[(T1+T2)/(T1×T2)]时发出脉冲。进一步地，在一个优选的实施方式中，定时器的中断时间T的区间可设置为150us≤T≤250us。选择小于等于250us的定时时间是为了得到更小跳动的误差值，反之，如果T选择太小的话，MCU控制单元的中断更加频繁，程序执行效率变低，因此需大于150us。故从MCU控制单元的资源及执行效率及计量准确方面综合考虑，定时器的中断时间区间为150us≤T≤250us。由于把脉冲累加量化为累加各个计量采样电路的脉冲时间间隔，从而使控制更加简单，脉冲的产生更加精准，并且由于对计量采样电路上的芯片的性能要求也相应降低，能够显著降低电能表的成本。采用本专利技术的方法可使得电能表在使用中不必考虑计量芯片的高频脉冲输出性能，摆脱了电能表对计量芯片性能的依赖，使计量芯片的选择更加灵活，有效降低电能表的成本，且采用此方法能更加精确地输出脉冲，避免跳动误差。以上所述仅为本专利技术的实施例，并非因此限制本专利技术的专利范围，凡是利用本专利技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的
，均同理包括在本专利技术的专利保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单相三线电能表双锰铜采样电路产生脉冲的方法，包括单相三线电能表，所述单相三线电能表包括MCU控制单元、两个计量采样电路和两个锰铜采样单元，每个所述锰铜采样单元分别和一个所述计量采样电路电连接，两个计量采样电路分别和所述MCU控制单元电连接，其特征在于，MCU控制单元中包括定时器，所述定时器用于检测两个计量采样电路产生脉冲的时间间隔T1和T2，并用于累加时间T3，当T3≥[（T1+T2）/T1×T2]时，MCU控制单元发出脉冲。

【技术特征摘要】
1.一种单相三线电能表双锰铜采样电路产生脉冲的方法，包括单相三线电能表，所述单相三线电能表包括MCU控制单元、两个计量采样电路和两个锰铜采样单元，每个所述锰铜采样单元分别和一个所述计量采样电路电连接，两个计量采样电路分别和所述MCU控制单元电连接，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：李向锋，张玉清，陈锦辉，
申请(专利权)人：深圳市思达仪表有限公司，
类型：发明
国别省市：