一种有机电致发光器件及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种有机电致发光器件及其制备方法。该有机电致发光器件包括依次层叠的导电阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、阴极层，空穴阻挡层的材质为双极性金属氧化物掺杂到有机硅苯材料中形成的混合材料，所述双极性金属氧化物在有机硅苯材料中的掺杂质量分数为10~40％。本发明专利技术一种有机电致发光器件具有良好的发光效率和发光性能，方法工艺简单、成本低。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供了。该有机电致发光器件包括依次层叠的导电阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、阴极层，空穴阻挡层的材质为双极性金属氧化物掺杂到有机硅苯材料中形成的混合材料，所述双极性金属氧化物在有机硅苯材料中的掺杂质量分数为10~40％。本专利技术一种有机电致发光器件具有良好的发光效率和发光性能，方法工艺简单、成本低。【专利说明】
本专利技术属于有机电致发光领域，具体涉及。
技术介绍
有机电致发光器件(OLED)是一种以有机材料为发光材料，能把施加的电能转化为光能的能量转化装置。它具有超轻薄、自发光、响应快、低功耗等突出性能，在显示、照明等领域有着极为广泛的应用前景。有机电致发光器件的结构为三明治结构，在阴极和导电阳极之间夹有一层或多层有机薄膜。在含多层结构的器件中，两极内侧主要包括发光层、注入层及传输层。有机电致发光器件是载流子注入型发光器件，在阳极和阴极加上工作电压后，空穴从阳极，电子从阴极分别注入到工作器件的有机材料层中，两种载流子在有机发光材料中形成空穴-电子对发光，然后光从电极一侧发出。为了提高OLED的发光性能，可在发光层与电子传输层之间增加空穴阻挡层，空穴阻挡层能阻止空穴过快越过发光层进入电子传输层，使部分空穴留在发光层中与注入的电子形成激子，从而提高器件的发光效率。通常，采用2，9- 二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲(BCP)作为空穴阻挡层的材质，但是BCP的HOMO能级不够低，导致空穴阻挡效果欠佳，制得的有机电致发光器件存在发光效率较低等缺点。并且，使用BCP作为空穴阻挡层的材质时，空穴阻挡层厚度较薄，在工艺上不易控制，不利于工业化生产。
技术实现思路
为克服上述现有技术的问题，本专利技术提供了。本专利技术提供的一种有机电致发光器件具有良好的发光效率和发光性能。本专利技术制备工艺易于控制，有利于器件的 工业化生产，以及加工成本低廉，具有极为广阔的商业化发展前景。—方面,本专利技术提供了一种有机电致发光器件,包括依次层叠的导电阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层，其特征在于，所述空穴阻挡层的材质为双极性金属氧化物掺杂到有机娃苯材料中形成的混合材料，所述双极性金属氧化物在有机硅苯材料中的掺杂质量分数为10-40%。优选地，有机娃苯材料为二苯基二(O-甲苯基)娃(UGH1)、ρ- 二 (三苯基娃)苯(UGH2 )、I，3-双(三苯基硅)苯(UGH3 )或ρ-双(三苯基硅)苯(UGH4 )。本专利技术使用的有机硅苯材料为商业常见材料。高能隙的的有机硅苯材料(UGH系列)LUMO较高(约_2.5eV以上)，HOMO能级较低(约-6.5eV以下)，与电子传输层形成了一定的势垒，较高的势垒可将空穴束缚在发光层内，使空穴在发光层里与电子进行复合发光，减少了空穴向阴极扩散，提高了空穴-电子的复合几率；并且，UGH系列的有机硅苯材料的玻璃化转变温度较低(约50° C以下)，极易形成结晶性结构，其链段排列整齐有序，对光有很强的散射作用，进而可提高器件的发光效率。优选地,双极性金属氧化物为三氧化钥(Mo03)、氧化镍(NiO)、三氧化鹤(WO3)或五氧化二钒(V2O5)。双极性金属氧化物具有较高的迁移率和足够的稳定性，可以提高电子的传输速率，将双极性金属氧化物与有机硅苯材料进行掺杂作为有机电致发光器件的空穴阻挡层，可以在保证发光效率的同时提高电子的传输速率、降低器件发光猝灭的几率，最终提高了有机电致发光器件的发光效率。优选地，空穴阻挡层的厚度为2?20nm。优选地，导电阳极基底可以为导电玻璃基板，选自铟锡氧化物玻璃(ΙΤ0)、铝锌氧化物玻璃(AZO)或铟锌氧化物玻璃(IZO)。优选地，导电阳极基底的厚度为8(T300nm。优选地，空穴注入层的材质为三氧化钥(Mo03)、三氧化钨(WO3)或五氧化二钒(V2O5)0更优选地，空穴注入材料为三氧化钥(Mo03)。优选地，空穴注入层的厚度为2(T80nm。更优选地，空穴注入层的厚度为30nm。优选地,空穴传输层的材质为1，1- 二 苯基]环己烷(TAPC)、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或N, N，- 二苯基-N，N，- 二(1-萘基)_1，I’-联苯-4，4’-:Κ(ΝΡΒ)。更优选地，空穴传输层的材质为4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。优选地，空穴传输层的厚度为2(T60nm。更优选地，空穴传输层的厚度为40nm。优选地，发光层的材质为4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB),9, 10- 二( β -萘基)蒽(ADN)、4，4，-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’ -联苯(BCzVBi)或8-羟基喹啉铝(Alq3)15更优选地，发光层的材质为8_羟基喹啉铝(Alq3)。优选地，发光层的厚度为5?40nm。更优选地,发光层的厚度为30nm。优选地，电子传输层的材质为4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)。优选地，1，2，4-三唑衍生物为3_(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)_4_苯基-4H-1，2，4-三唑(TAZ)。更优选地，电子传输层的材质为1，2，4-三唑衍生物为3-(联苯-4-基)_5_ (4_叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑(TAZ)。电子传输层的材质为具有较高的电子迁移率、能有效传导电子的有机分子材料。选择时，应考虑电子传输层与空穴阻挡层之间的能带匹配，充分考虑两层能级上的差异，尽可能地将空穴-电子复合区保持在发光层。优选地，电子传输层的厚度为4(T80nm。更优选地，电子传输层的厚度为45nm。优选地，电子注入层的材质为碳酸铯(Cs2C03)、氟化铯(CsF)、叠氮铯(CsN3)或氟化锂(LiF)。更优选地，电子注入层的材质为氟化锂(LiF)。优选地，电子注入层的厚度为0.5?10nm。更优选地，电子注入层的厚度为lnm。优选地，阴极层的材质为银(Ag)、铝(Al)、钼(Pt)或金(Au)。更优选地，阴极层的材质为金(Au)。优选地，阴极层的厚度为6(T300nm。更优选地，阴极层的厚度为IOOnm。另一方面，本专利技术提供了一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤:(I)将导电阳极基底进行超声清洗；(2)在经过表面活化处理后的导电阳极基底表面依次层叠蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层；(3)在所述电子注入层上真空蒸镀阴极层；所述空穴阻挡层的材质为双极性金属氧化物掺杂到有机硅苯材料中形成的混合材料，所述双极性金属氧化物在有机硅苯材料中的掺杂质量分数为10-40%。空穴阻挡层通过真空蒸镀法沉积在发光层上。优选地，空穴阻挡层的蒸镀速率为0.1~lnm/s，压力为 5Χ10-3~2Xl(T4Pa。优选地，有机娃苯材料为二苯基二(O-甲苯基)娃(UGH1)、ρ- 二 (三苯基娃)苯(UGH2)、1，3-双(三苯基硅)苯(UGH3)或ρ-双(三苯基硅)苯(UGH4)。高能隙的的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层，其特征在于，所述空穴阻挡层的材质为双极性金属氧化物掺杂到有机硅苯材料中形成的混合材料，所述双极性金属氧化物在有机硅苯材料中的掺杂质量分数为10~40%。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，王平，黄辉，陈吉星，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，深圳市海洋王照明工程有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44