本发明专利技术为一种随温度自动调节线性稳压器输出电压的装置，该装置包括使用随温度变化的电流的电流源和放大器，电流源接入放大器。本发明专利技术一种随温度自动调节线性稳压器输出电压的装置采用的电流源，使用随温度变化的电流It，可以使线性稳压器电路的放大器输出电压随温度而变化，可以满足系统对的输出电压随温度变化的需求。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术为一种随温度自动调节线性稳压器输出电压的装置，该装置包括使用随温度变化的电流的电流源和放大器，电流源接入放大器。本专利技术一种随温度自动调节线性稳压器输出电压的装置采用的电流源，使用随温度变化的电流It，可以使线性稳压器电路的放大器输出电压随温度而变化，可以满足系统对的输出电压随温度变化的需求。【专利说明】一种随温度自动调节线性稳压器输出电压的装置
本专利技术涉及芯片领域，尤其是一种随温度自动调节线性稳压器输出电压的装置。
技术介绍
参见图1，现有的线性稳压器通过放大器使得负反馈电压Vfb与参考电压Vref相等来保证输出电压Vout达到预定值，负反馈电压Vfb是输出电压Vout在电阻Rl和R2上进行分压得到的，流过电阻Rl与R2的电流分别是Il和12，此时Il与12相等。在现有的线性稳压器输出能力范围内，即放大器及环路工作在正常范围内时，输出电压Vout与参考电压Vref保持一定的比例范围变化。现有的线性稳压器的输出电压Vout在电路正常工作范围内只受到Vref的影响，不能随着温度的变化来适应系统对电压值变化的需求。
技术实现思路
本专利技术为解决
技术介绍
存在的上述技术问题，而提供一种可随温度自动调节线性稳压器输出电压的装置。本专利技术的技术解决方案是:本专利技术为一种随温度自动调节线性稳压器输出电压的装置，其特殊之处在于:该装置包括使用随温度变化的电流的电流源和放大器，所述电流源接入放大器。上述电流源包括基准单元、控制器、宽长比(W/L)为一定比例η的MOS管Ml与M2，η可以为任意正数，实际应用中，η—般取小于100以下的正整数，或者取小于I大于0，分子分母均为正整数的分数，宽长比(W/L)是MOS管栅极宽度W与长度L之比，所述基准单元依次通过控制器和MOS管Ml与M2接入放大器。上述电流源包括电阻Rt、宽长比(W/L)为一定比例η的MOS管Ml与Μ2，η可以为任意正数，宽长比(W/L)是MOS管栅极宽度W与长度L之比，所述电阻Rt通过MOS管Ml与M2接入放大器。上述电流源包括PNP三级管，所述PNP三级管接入放大器。本专利技术提供的一种随温度自动调节线性稳压器输出电压的装置采用的电流源，使用随温度变化的电流It，可以使线性稳压器电路的放大器输出电压随温度而变化，可以满足系统对的输出电压随温度变化的需求。【专利附图】【附图说明】图1是现有的线性稳压器结构示意图；图2是本专利技术的结构原理图；图3是本专利技术实施例一的结构原理图；图4是本专利技术实施例二的结构原理图；图5是本专利技术实施例三的结构原理图。具体实施例参见图2，本专利技术是在负反馈点加入一个随温度变化的电流源，可以在参考电压不变的情况下实现输出电压Vout随温度而变化。输出电压Vout随温度的变化方式取决于电流源随温度变化的方式，电流源可以根据新的线性稳压器的应用环境进行配置，可配置为正温度系数或负温度系数，并且可以很方便的调整随温度变化的梯度值。例如:如果系统在低温环境下需要更高的电压保证系统反应速度，可以将电流源It配置为负温度系数，线性稳压器即可以随着温度的降低提升输出电压Vout的电压值，保证系统的需求。同时在不需要高电压的高温环境下使输出电压Vout不变或者降低，使得系统的反应速度在不同电压下更稳定，或达到节省能耗的作用。同理，在相反的应用环境中，可以将电流源It配置为正温度系数，即可以达到相同的作用。参见图3，本专利技术的实施例一是采用基准单元产生的正温度系数电流Iptat和负温度系数Ictat，同时使用控制器来决定配置选择，通过MOS管的电流镜像来实现本专利技术中的电流源。其中:电流源包括基准单元、控制器、宽长比(W/L)为一定比例η的MOS管Ml与M2，实际应用中，η—般取小于100以下的正整数，或者取小于I大于0，分子分母均为正整数的分数，宽长比(W/L)是MOS管栅极宽度W与长度L之比，基准单元依次通过控制器和MOS管接入放大器。基准单元是现有单元，现有很多种类型的基准单元，实际中较常用的基准单元带隙基准都会使用电阻和三极管或者二极管。此实施例中MOS管采用的是NMOS管。参见图4，本专利技术的实施例二是采用电阻Rt和宽长比(W/L)为一定比例η的NMOS管Ml与M2，η可以为任意正数，随温度变化的电流It，通过MOS管的电流镜像来实现本专利技术中的电流源。其中:电流源包括电阻Rt、宽长比(W/L)为一定比例η的MOS管Ml与M2，所述电阻Rt依次通过MOS管Ml与M2接入放大器。此实施例中MOS管采用的是NMOS管。参见图5，本专利技术的实施例三是采用PNP三级管产生随温度变化的电流It，实现本专利技术的电流源。其中:电流源包括PNP三级管，所述PNP三级管接入放大器。【权利要求】1.一种随温度自动调节线性稳压器输出电压的装置，其特征在于:该装置包括使用随温度变化的电流的电流源和放大器，所述电流源接入放大器。2.根据权利要求1所述的随温度自动调节线性稳压器输出电压的装置，其特征在于:所述电流源包括基准单元、控制器、宽长比(W/L)为一定比例η的MOS管Ml与M2，n取小于100以下的正整数，或者取小于I大于O、分子分母均为正整数的分数，所述基准单元依次通过控制器和MOS管接入放大器。3.根据权利要求1所述的随温度自动调节线性稳压器输出电压的装置，其特征在于:所述电流源包括电阻Rt、宽长比(W/L)为一定比例η的MOS管Ml与Μ2，η取小于100以下的正整数，或者取小于I大于O、分子分母均为正整数的分数，所述电阻Rt通过MOS管Ml与M2接入放大器。4.根据权利要求1所述的随温度自动调节线性稳压器输出电压的装置，其特征在于:所述电流源包括PNP三级管，所述PNP三级管接入放大器。【文档编号】G05F1/56GK103823499SQ201410075369【公开日】2014年5月28日 申请日期:2014年3月3日 优先权日:2014年3月3日 【专利技术者】梁超 申请人:西安华芯半导体有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种随温度自动调节线性稳压器输出电压的装置，其特征在于：该装置包括使用随温度变化的电流的电流源和放大器，所述电流源接入放大器。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：梁超，
申请(专利权)人：西安华芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61
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