滚轧铜箔制造技术

提供一种滚轧铜箔，其使铜箔表面适度地变粗糙以提高处理性，而且弯曲性优秀，并且表面蚀刻特性良好。为一种滚轧铜箔，其中，沿滚轧平行方向测定的表面的60度光泽度(G60RD)为100以上且300以下，在以200℃加热30分钟并调质为再结晶组织的状态下，滚轧面的通过X射线衍射求得的200衍射强度(I)相对于微粉末铜的通过X射线衍射求得的200衍射强度(I0)为20≤I/I0≤40，在于铜箔表面处沿滚轧平行方向长度为175μm，且沿滚轧直角方向分别间隔50μm以上的3条直线上，与油坑的最大深度相当的各直线的厚度方向的最大高度与最小高度之差的平均值(d)与所述铜箔的厚度(t)的比率(d/t)为0.1以下，沿滚轧平行方向测定的表面的60度光泽度(G60RD)与沿滚轧直角方向测定的表面的60度光泽度(G60TD)的比率(G60RD/G60TD)小于0.8。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】提供一种滚轧铜箔，其使铜箔表面适度地变粗糙以提高处理性，而且弯曲性优秀，并且表面蚀刻特性良好。为一种滚轧铜箔，其中，沿滚轧平行方向测定的表面的60度光泽度(G60RD)为100以上且300以下，在以200℃加热30分钟并调质为再结晶组织的状态下，滚轧面的通过X射线衍射求得的200衍射强度(I)相对于微粉末铜的通过X射线衍射求得的200衍射强度(I0)为20≤I/I0≤40，在于铜箔表面处沿滚轧平行方向长度为175μm，且沿滚轧直角方向分别间隔50μm以上的3条直线上，与油坑的最大深度相当的各直线的厚度方向的最大高度与最小高度之差的平均值(d)与所述铜箔的厚度(t)的比率(d/t)为0.1以下，沿滚轧平行方向测定的表面的60度光泽度(G60RD)与沿滚轧直角方向测定的表面的60度光泽度(G60TD)的比率(G60RD/G60TD)小于0.8。【专利说明】滚轧铜箔
本专利技术涉及适宜用于要求弯曲性的FPC的滚轧铜箔。
技术介绍
弯曲用FPC (柔性印刷电路板)所使用的铜箔要求高弯曲性。作为对铜箔赋予弯曲性的方法，已知对铜箔滚轧面提高(200)面的结晶方位的取向度的技术(专利文献I)、提高沿铜箔的板厚方向贯通的结晶粒的比例的技术(专利文献2)、将与铜箔的油坑(oil pit)的深度相当的表面粗糙度Ry (最大高度)降低到2.0 μ m以下的技术(专利文献3)。一般的FPC制造工序如下。首先将铜箔与树脂膜接合。在接合中，有通过对涂布在铜箔上的胶液(varnish)实施热处理来亚胺化的方法、将带粘接剂的树脂膜和铜箔重叠并层叠的方法。将通过这些工序接合的带树脂膜的铜箔称为CCL(覆铜层叠板)。通过该CCL制造工序中的热处理，铜箔再结晶。另外，在使用铜箔制造FPC时，若为了提高与覆盖层膜(cover lay film)的紧贴性而蚀刻铜箔表面，则有时在表面发生直径数10 μ m左右的凹陷(碟陷(dish down))，且尤其容易发生于高弯曲铜箔。其原因是因为，为了赋予高弯曲性，以再结晶退火后的立方体组织发达的方式控制铜箔的结晶方位。即，可以认为，这是因为，即使进行此种控制，结晶的方位也不会全部一致，均匀的组织中局部地存在结晶方位不同的结晶粒。此时，蚀刻速度因被蚀刻的结晶面而异，因而该结晶粒与周围相比被局部较深地蚀刻，成为凹陷。该凹陷成为降低电路的蚀刻性，或者在外观检查中被判定为不良而降低成品率的原因。另外，根据蚀刻液，立方体组织与随机组织相比，蚀刻速度存在变快的情况和变慢的情况。因而，若再结晶退火后的立方体组织过于发达，则该立方体组织的蚀刻速度变慢，故生产率降低，或者电路形成时在电路之间残留铜，蚀刻性劣化。另一方面，若立方体组织的蚀刻速度变快，则容易蚀刻至电路部，蚀刻性还是会劣化。作为减轻此种凹陷的方法，报告有在滚轧前或滚轧后对铜箔的表面进行机械研磨以施加成为加工变质层的应变之后再结晶的技术(专利文献4)。根据该技术，利用加工变质层在再结晶后使不均匀的结晶粒群发于表面，使结晶方位不同的结晶粒不单独存在。现有技术文献 专利文献 专利文献1:日本特许第3009383号公报； 专利文献2:日本特开2006 - 117977号公报； 专利文献3:日本特开2001-058203号公报； 专利文献4:日本特开2009-280855号公报。
技术实现思路
本专利技术要解决的问题 然而，在专利文献4记载的技术的情况下，存在如下问题，即，不均匀的结晶粒较多，铜箔表面的结晶不沿(100)面取向，因而弯曲性降低。另一方面，为了确保铜箔的制造时与辊的紧贴性，或者使铜箔制品的处理容易，使最终冷滚轧中的辊粗糙度变大以使铜箔表面粗糙，但是明白了，若使铜箔表面粗糙，则铜箔表面的结晶的取向度降低故弯曲性变差，或者容易产生碟陷。S卩，本专利技术为解决上述问题而完成，其目的在于提供一种滚轧铜箔，其使铜箔表面适度地变粗糙以提高处理性，而且弯曲性优秀，并且表面蚀刻特性良好。解决问题的方案 本专利技术进行了各种研究，结果发现了:在最终冷滚轧的最终轧道(pass)近前不使铜箔的表面过于粗糙，在最终冷滚轧的最终轧道中使铜箔的表面粗糙，从而使最终的铜箔表面粗糙，并且减少剪切变形带，维持弯曲性，并且碟陷变少，基于蚀刻液的蚀刻速度差变小，因而成为蚀刻性优秀的铜箔。为了实现上述目的，在本专利技术的滚轧铜箔中，沿滚轧平行方向测定的表面的依照JIS-Z8741的60度光泽度为100以上且300以下，在以200°C加热30分钟并调质为再结晶组织的状态下，滚轧面的通过X射线衍射求得的200衍射强度(I)相对于微粉末铜的通过X射线衍射求得的200衍射强度(Itl)为20 < IAtl <40，在于铜箔表面处沿滚轧平行方向长度为175 μ m,且沿滚轧直角方向分别间隔50 μ m以上的3条直线上，与油坑的最大深度相当的各直线的厚度方向的最大高度与最小高度之差的平均值d与所述铜箔的厚度t的比率d/t为0.1以下，沿滚轧平行方向测定的表面的60度光泽度Georo与沿滚轧直角方向测定的表面的依照JIS-Z8741的60度光泽度G60td的比率G6(V/G60TD小于0.8。理想的是，在电解研磨之后利用EBSD观察上述200°C X 30分钟热处理后的铜箔表面的情况下，滚轧面的结晶方位与方位的角度差为15度以上的结晶粒的面积率为30 ?70% 理想的是，在将铸块热滚轧之后，重复冷滚轧和退火，最后进行最终冷滚轧来制造，在该最终冷滚轧工序中，在最终轧道的I个轧道前的阶段中沿滚轧平行方向测定的表面的60度光泽度G60KD超过300。专利技术的效果 根据本专利技术，能够获得一种滚轧铜箔，其使铜箔表面适度地变粗糙以提高处理性，而且弯曲性优秀，并且表面蚀刻特性良好。【专利附图】【附图说明】图1是示出油坑与光泽度的关系的图。图2是示出与油坑的最大深度相当的平均值d的测定方法的图。图3是示出利用弯曲试验装置进行弯曲疲劳寿命的测定的方法的图。【具体实施方式】以下，说明本专利技术的实施方式所涉及的滚轧铜箔。此外，在本专利技术中，只要不特别声明，则％表示质量％。首先，说明本专利技术的技术思想。若使最终冷滚轧中的辊粗糙度变大以使铜箔表面粗糙，则铜箔的处理性提高，但是变得容易产生碟陷，蚀刻性降低。可以认为，这是因为，利用最终冷滚轧中的粗糙的辊，在铜箔的厚度方向上产生剪切变形带，滚轧进一步继续因而剪切变形带发达。另一方面，一直以来已知为了获得铜箔的弯曲性而提高光泽度(表面粗糙度)的手法。可以认为，这是因为，通过利用粗糙度低的辊进行最终冷滚轧，变得难以在铜箔的厚度方向上产生剪切变形带。但是，若提高铜箔的光泽度(降低表面粗糙度)，则铜箔的处理性降低。与此相对，本专利技术人发现了，在最终冷滚轧的最终轧道近前不使铜箔的表面过于粗糙(例如，利用粗糙度低的辊进行滚轧)，在最终冷滚轧的最终轧道中使铜箔的表面粗糙(例如，利用粗糙的辊进行滚轧)，从而使最终的铜箔表面粗糙，并且减少剪切变形带，提高弯曲性，并且表面蚀刻特性变得良好。即知道了，以往，一直认为铜箔的取向性仅仅依赖于铜箔表面的粗糙度，但是实际上材料内部的剪切变形带的规模影响蚀刻性以及取向度(以及碟陷)。而且，在最终冷滚轧中，若能够在最终轧道以前的轧道中充分地抑本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种滚轧铜箔，其中，沿滚轧平行方向测定的表面的依照JIS‑Z8741的60度光泽度(G60RD)为100以上且300以下，在以200℃加热30分钟并调质为再结晶组织的状态下，滚轧面的通过X射线衍射求得的200衍射强度(I)相对于微粉末铜的通过X射线衍射求得的200衍射强度(I0)为20≤I/I0≤40，在于铜箔表面处沿滚轧平行方向长度为175μm，且沿滚轧直角方向分别间隔50μm以上的3条直线上，与油坑的最大深度相当的各直线的厚度方向的最大高度与最小高度之差的平均值(d)与所述铜箔的厚度(t)的比率(d/t)为0.1以下，沿滚轧平行方向测定的表面的60度光泽度(G60RD)与沿滚轧直角方向测定的表面的依照JIS‑Z8741的60度光泽度(G60TD)的比率(G60RD/G60TD)小于0.8。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：中室嘉一郎，千叶喜宽，大久保光浩，鲛岛大辅，冠和树，青岛一贵，
申请(专利权)人：JX日矿日石金属株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP