开关器件和模块制造技术

开关器件和模块。一种开关器件包括：开关，该开关选择输入输出端子中的一个并将其连接到公共端子；以及延迟线，该延迟线在所述输入输出端子中的两个端子之间与所述开关并联连接，并利用声波使信号延迟。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的特定方面涉及开关器件和模块。
技术介绍
以移动电话为代表的无线装置的快速普及推动了开关器件的使用。例如，用于高频通信的移动终端使用高频开关来选择多个高频信号。所述开关包括机械开关以及使用半导体晶体管的开关。日本特开2006-109084（专利文献1）和美国专利第7848712号（专利文献2）公开了在输入输出端子之间设置电感器以改善开关的输入输出端子之间的隔离特性。专利文献1和2的技术可通过电感器的电抗成分来抵消输入输出端子之间的寄生电容，并且改善隔离特性。然而，输入输出端子之间的寄生电容值较小，进而使得电感器的电感较高。这使得小型化变得困难。
技术实现思路
根据本专利技术的一方面，提供了一种开关器件，该开关器件包括：开关，该开关选择输入输出端子中的一个并将其连接到公共端子；以及延迟线，该延迟线在所述输入输出端子中的两个端子之间与所述开关并联连接，并利用声波来使信号延迟。根据本专利技术的一方面，提供了一种包括上述开关器件的模块。附图说明图1A是开关器件中使用的开关的电路图，图1B是说明开关的隔离的示图；图2是根据第一实施方式的开关器件的框图；图3A是根据第二实施方式的开关器件的平面图，图3B是延迟线的平面图，图3C是沿图3B中的线A-A截取的截面图；图4A至图4C是分别示出开关的输入输出端子之间的隔离度、|Y21|和∠Y21的示图；图5A至图5C是分别示出第二实施方式的延迟线和开关的隔离度、|Y21|和∠Y21的示图；图6是示出根据第二实施方式的开关器件的隔离特性的示图；图7A是根据第三实施方式的开关器件的平面图，图7B是示出第三实施方式的开关器件的隔离特性的示图；图8A至图8C是分别示出在没有延迟线的情况下开关的输入输出端子之间的隔离度、|Y21|和∠Y21的示图；图9是根据第四实施方式的开关器件的平面图；图10A至图10C是示出延迟线和谐振器的隔离度、|Y21|和∠Y21的示图；图11A至图11C是分别示出延迟线与谐振器以及开关与传输线的隔离度、|Y21|和∠Y21的示图；图12是示出根据第四实施方式的开关器件的隔离特性的示图；图13A和图13B是示出第二实施方式至第四实施方式中使用的示例性延迟线的平面图；图14的上部是示出第二实施方式至第四实施方式中使用的另选的示例性延迟线的平面图，图14的下部是沿图14的上部的线A-A截取的截面图；以及图15A和图15B是根据第五实施方式的模块的框图。具体实施方式以下，将参照附图描述实施方式。第一实施方式将描述半导体开关作为开关器件中使用的开关的示例。图1A是开关器件中使用的开关的电路图。如图1A所示，开关10包括晶体管12至18。晶体管12的源极和漏极分别连接到输入输出端子T1和公共端子T3。晶体管14的源极和漏极分别连接到输入输出端子T2和公共端子T3。晶体管16的源极和漏极分别连接到输入输出端子T1和地。晶体管18的源极和漏极分别连接到输入输出端子T2和地。晶体管12至18的栅极连接到控制端子T4。图1B是说明开关的隔离的示图。如图1B所示，提供给控制端子T4的控制信号使晶体管12和18导通，使晶体管14和16截止。晶体管12和18被等效地表示为电阻器R12和R18，晶体管14和16被等效地表示为电容器C14和C16。输入输出端子T1连接到公共端子T3，输入输出端子T2与公共端子T3断开。如上所述，开关10选择输入输出端子T1和T2中的一个并将其连接至公共端子T3。这使得从输入输出端子T1输入的高频信号64输出至公共端子T3。作为高频信号的一部分的信号60从输入输出端子T1通过电容器C14和C16泄漏到输入输出端子T2。这使输入输出端子T1和T2之间的隔离劣化。图2是根据第一实施方式的开关器件的框图。开关器件100包括开关10和延迟线20。开关10是半导体开关或机械开关。诸如MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的FET或双极型晶体管可用作半导体开关的有源元件。延迟线20在输入输出端子T1和T2之间与开关10并联连接。延迟线20连接在输入输出端子中的两个端子之间就足够了。信号60是从输入输出端子T1通过开关10泄漏到输入输出端子T2的信号。信号62是从输入输出端子T1通过延迟线20流向输入输出端子T2的信号。延迟线20利用声波来使信号62延迟。因此，延迟线20的调节能够使信号60和62具有近似相同的振幅和相反的相位。因此，信号60和62彼此抵消，改善了从输入输出端子T1至输入输出端子T2的隔离特性。此外，与专利文献1和2中公开的技术相比，使用声波的延迟线20的使用使得能够减小尺寸。第二实施方式第二实施方式使用由压电层上的梳状电极激发的声波作为延迟线的声波。图3A是根据第二实施方式的开关器件的平面图，图3B是延迟线的平面图，图3C是沿图3B的线A-A截取的截面图。如图3A所示，开关器件102包括开关10和延迟线20。开关10具有与图1A相同的结构，省略其描述。延迟线20在输入输出端子T1和T2之间与开关10并联连接。如图3B和图3C所示，延迟线20包括形成在压电基板22（压电层）上的IDT（叉指换能器）24和26。IDT24（第一IDT）包括一对梳状电极24a和24b。梳状电极24a接地，而梳状电极24b连接到输入端子Tin。IDT26（第二IDT）包括一对梳状电极26a和26b。梳状电极26a接地，而梳状电极26b连接到输出端子Tout。输入端子Tin电连接到输入输出端子T1。输出端子Tout电连接到输入输出端子T2。IDT24将输入至输入端子Tin的电信号转换为压电基板22的表面声波25。IDT26将压电基板22的表面声波25转换为电信号，并将其输出给输出端子Tout。其它结构与第一实施方式相同，省略其描述。图4A至图4C是分别示出开关的输入输出端子之间的隔离度、|Y21|和∠Y21的示图。开关10是使用CMOSFET（互补MOSFET）的开关。所述隔离度是输入输出端子T1和T2之间的隔离度（S21），|Y21|是输入输出端子T1和T2之间的Y21的振幅，∠Y21是输入输出端子T1和T2之间的Y21的相位。所述隔离度、|Y21|和∠Y21是针对从1.5GHz至2.5GHz的频率模拟的。频带66是改善隔离特性的频带，并且是（例如）使用开关器件的移动终端的发送频带或接收频带。如图4A所示，频带66中的隔离度大约为-45dB。如本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种开关器件，该开关器件包括：开关，该开关选择输入输出端子中的一个并将其连接到公共端子；以及延迟线，该延迟线在所述输入输出端子中的两个端子之间与所述开关并联连接，并利用声波来使信号延迟。

【技术特征摘要】
2012.11.08 JP 2012-2465391.一种开关器件，该开关器件包括：
开关，该开关选择输入输出端子中的一个并将其连接到公共端子；以及
延迟线，该延迟线在所述输入输出端子中的两个端子之间与所述开关并联连接，
并利用声波来使信号延迟。
2.根据权利要求1所述的开关器件，其中，
所述延迟线将输入至所述两个端子中的第一端子的第一电信号转换为在压电层
中传播的声波，并将在所述压电层中传播的所述声波转换为第二电信号，并将该第二
电信号输出给所述两个端子中的第二端子。
3.根据权利要求1所述的开关器件，其中，
所述声波是由形成在压电层上的梳状电极激发的声波。
4.根据权利要求1所述的开关器件，其中，所述延迟线包括：
第一IDT，其将输入至所述两个端子中的第一端子的第一电信号转换为在压电层
中传播的声波；以及
第二IDT，其将在所述压电层中传...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩城匡郁，
申请(专利权)人：太阳诱电株式会社，
类型：发明
国别省市：