【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体制造装备离子注入机引出电极中引出抑制电极装备，其针对以往引出电极工作时，引出离子打到地电极及以后的管壁上所产生的二次电子被反加速进入离子源放电室而对其造成的影响，能可靠的抑制住二次电子的反弹，并为引出离子的纯度及聚焦做出有效的保障。技术背景离子注入机是半导体工艺中离子掺杂的典型设备，离子源产生需要掺杂的离子束，离子束再经过质量分析、校正、加速，传输到处于靶室终端工艺腔体的硅片表面。1.在晶片的离子注入工艺中，束流的稳定性及其纯度要求愈来愈高。而这种要求直接影响半导体领域整体的注入质量，主要体现在以下几个方面：2.在束流的注入中，离子剂量均匀的注入到晶片上。注入束流的不稳定性会引起注入的失败。3.对于注入工艺，低能量大速流的离子注入机是发展的方向，束流的均匀性要求也越来越高。4.在离子注入中，要求束流均匀性的同时，也要求加强束流的控制力，阻隔杂质离子，从而防止因能量污染引发的失败。5.随着半导体集成电路制造工艺越来越微细化，对半导体制造设备的性能要求也就越来越高，此时要求具有较高的束流纯度，从而避免在设备工作时对部件造成的损伤。
技术实现思路
本专利技术公开了离子注入机系统中一种用于离子引出的引出抑制电极装置，其针对以往引出电极工作时，引出离子打到地电极及以后的管壁上所产生的二次电子被反加速进入离子源放电室而对其造成的影响，能可靠的抑制...
【技术保护点】
一种应用于离子引出的引出抑制电极的装置，包括：沉孔(1)、引束出口(2)、高纯石墨电极(3)、螺纹孔(4)、电极连接板(5)其特征在于：所述高纯石墨电极(3)的沉孔(1)与电极连接板(5)的螺纹孔(4)通过螺钉相连起到固定的作用。
【技术特征摘要】
1.一种应用于离子引出的引出抑制电极的装置，包括：沉孔(1)、引束
出口(2)、高纯石墨电极(3)、螺纹孔(4)、电极连接板(5)其特征
在于：所述高纯石墨电极(3...
【专利技术属性】
技术研发人员：李幸夫，
申请(专利权)人：北京中科信电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。