滤波器芯片元件及其制备方法技术

本文中公开的是滤波器芯片元件及其制备方法。滤波器芯片元件包括：铁氧体基板；形成在铁氧体基板上的内部线圈图案；以及填充在形成在铁氧体基板上的内部线圈图案之间的铁氧体复合层，其中，铁氧体复合层包括发泡树脂，从而增加磁导率和Q值，磁导率和Q值在电磁屏蔽部件中是用于防止噪声的滤波器芯片元件的重要特性。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求于2012年11月13日提交的题为“Filter Chip Element and Method of Preparing the Same（滤波器芯片元件及其制备方法）”的韩国专利申请第10-2012-0128156号的优先权，通过引用将其全部内容结合于此。
本专利技术涉及一种滤波器芯片元件及其制备方法。
技术介绍
最近，电子设备（诸如数字电视（TV）、智能手机、以及笔记本式计算机）在高频带进行数据发送和数据接收的功能已被广泛使用。此外，将来，预计将高度地使用通过经由通用串行总线（USB）或其他通信端口而使电子设备彼此连接所形成的多功能和复合电子设备以及单个电子设备。为了迅速发送数据和接收数据，可以以自先前频带MHz移动至的高频带GHz通过尽可能多的内部信号线发送和接收数据。当为了发送和接收大量数据而以高频带GHz在主设备和外围设备之间发送和接收数据时，由于信号延迟和其他干扰，使得难以顺畅地处理数据。具体地，诸如通信线和图像信号线与音频信号线的各种端口至端口的连接用在数字TV中，内部信号线延迟和发送失真与接收失真方面的问题会发生地更频繁。为了克服这个问题，抗电磁干扰（EMI）部件布置在IT产品与外围设备之间的连接周围。常规的绕线型和堆栈型抗EMI部件具有大尺寸芯片元件和低电学性质，因此，仅可用在大尺寸电路板的有限区域中。然而，由于轻薄化、小型化、复合式以及多功能的电子装置的使用，需要抗EMI部件满足这些功能。为了形成常规的抗EMI部件，具有相同合成物、粘合剂、其他分散剂等的铁氧体粉末和溶剂以浆状形式或糊状形式混合，对所合成的混合物进行压铸处理或印刷处理，以制备印刷电路基板，并且然后，印刷电路基板被堆叠至期望的厚度并且被烧制。如有必要，在烧制过程中，印刷电路基板被压制为具有预定重量。烧制的基板在边缘部分和中央部分可具有不同厚度，可被弯曲，并且可由于弱震而破裂或裂缝。因此，不适合使用烧制的基板作为针对EMI和电磁兼容性（EMC）（诸如共模滤波器产品）的铁氧体基板。烧制的基板的烧制密度局部地改变。气孔形成在未被烧制的部分。因此，用于光刻的化学溶液渗入至烧制的基板，从而产生内部气孔或腐蚀。通过用光刻工艺在烧制的基底基板上形成内部导电图案并且然后混合铁氧体和树脂以在其上形成铁氧体复合层，来形成在薄膜型共模滤波器中使用的铁氧体基板。然而，铁氧体复合层的磁导率和Q值低于形成在下部的烧制的铁氧体基板的磁导率和Q值，从而导致实际芯片特性的阻抗减少。铁氧体复合层需要铁氧体粉末和树脂的可分散性、其间的粘附力等。常规的铁氧体树脂具有低可分散性、控制粉末颗粒尺寸的困难以及界面之间的低粘附力，并且因此，由铁氧体树脂形成的树脂层可能破裂并且具有低变形强度，从而导致尺寸误差。因此，由于尺寸误差，减少了磁导率和Q值，而磁导率和Q值是电感器芯片元件的重要特性。为了满足内部导电图案的小型化，难以形成以小区域获得各种功能所需的内部电路，并且因此，存在在电子元件中使用常规的绕线型和堆栈型噪声滤波器的限制。因此，为了解决绕线型和堆栈型共模滤波器的问题，有必要制造薄膜型共模滤波器。如图1所示，通过在烧制的铁氧体基板10上形成包括有机材料的绝缘层20、在绝缘层上形成导电图案30、并且然后混合有机树脂和铁氧体粉末以形成铁氧体复合层40，来制造薄膜型共模滤波器。[现有技术文献][专利文献]（专利文献1）日本专利公开第2000-077222号
技术实现思路
本专利技术的目标是提供一种能够在共模和差模中防止噪声并且具有增大的磁导率和阻抗值的滤波器芯片元件。本专利技术的另一目标是提供制备滤波器芯片元件的方法。根据本专利技术的示例性实施方式，本专利技术提供了滤波器芯片元件，其包括铁氧体基板、形成在铁氧体基板上的内部线圈图案、以及填充在形成在铁氧体基板上的内部线圈图案之间的铁氧体复合层，其中，铁氧体复合层包括发泡树脂。发泡树脂可包括选自由N异丙基丙烯酰胺（NIPAM）、羟乙基丙烯酸酯（HEMA）、聚偏二氟乙烯（PVDF）、聚甲基硅氧烷（PMS）、聚碳硅烷（PCS）、聚氨酯树脂、聚丁二烯树脂以及其共聚物组成的组中的至少一个。发泡树脂可以是单组分型树脂或双组分型树脂。铁氧体复合层可进一步包括氧化物粉末。氧化物粉末可包括选自由铁（Fe）、铜（Cu）、镍（Ni）、锌（Zn）、钴（Co）、以及硅（Si）组成的组中的至少两个金属氧化物。氧化物粉末可具有球形，并且其平均直径是5μm至45μm。铁氧体复合层可以以60wt%至80wt%：40wt%至20wt%的比例包括氧化物粉末和发泡树脂。铁氧体复合层可具有氧化物粉末插入至发泡树脂的孔中的结构。滤波器芯片元件可进一步包括基于发泡树脂的3wt%至10wt%的硅树脂。滤波器芯片元件可进一步包括基于发泡树脂的2wt%至5wt%的碳类材料。滤波器芯片元件可进一步包括形成在铁氧体复合层上的增强层。增强层可由选自由硅树脂、碳类材料以及氮化材料组成的组中的至少一个形成。内部线圈图案可由铜（Cu）或铝（Al）形成。内部线圈图案可以与铁氧体基板的外部边缘间隔开40μm至100μm的距离。铁氧体基板由作为主要材料的铁（Fe）形成，并且使用具有100以上磁导率的材料。根据本专利技术的另一示例性实施方式，本专利技术提供了制备滤波器芯片元件的方法，该方法包括：在铁氧体基板上形成内部线圈图案；使用发泡树脂浸渍铁氧体基板，在铁氧体基板上形成内部线圈图案；半硬化发泡树脂以在发泡树脂中形成孔；将氧化物粉末插入至发泡树脂的孔中；并且完全硬化插入有氧化物粉末的发泡树脂。发泡树脂可包括选自由N异丙基丙烯酰胺（NIPAM）、羟乙基丙烯酸酯（HEMA）、聚偏二氟乙烯（PVDF）、聚甲基硅氧烷（PMS）、聚碳硅烷（PCS）、聚氨酯树脂、聚丁二烯树脂、以及其共聚物组成的组中的至少一个。发泡树脂的半硬化可在80℃至100℃的温度下执行。氧化物粉末可包括选自由铁（Fe）、铜（Cu）、镍（Ni）、锌（Zn）、钴（Co）、以及硅（Si）组成的组中的至少两个金属氧化物。发泡树脂的完全硬化可在150℃至200℃的温度下执行。铁氧体复合层的发泡树脂可进一步包括增强剂，其包括选自硅树脂、碳类材料以及氮化材料的至少一个。该方法可进一步包括在铁氧体复合层上形成增强层。增强层可由选自由硅树脂、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种滤波器芯片元件，包括：铁氧体基板；内部线圈图案，形成在所述铁氧体基板上；以及铁氧体复合层，填充在形成于所述铁氧体基板上的所述内部线圈图案之间，其中，所述铁氧体复合层包括发泡树脂。

【技术特征摘要】
2012.11.13 KR 10-2012-01281561.一种滤波器芯片元件，包括：
铁氧体基板；
内部线圈图案，形成在所述铁氧体基板上；以及
铁氧体复合层，填充在形成于所述铁氧体基板上的所述内部线
圈图案之间，
其中，所述铁氧体复合层包括发泡树脂。
2.根据权利要求1所述的滤波器芯片元件，其中，所述发泡树脂包括
选自由以下组成的组中的至少一个：N异丙基丙烯酰胺（NIPAM）、
羟乙基丙烯酸酯（HEMA）、聚偏二氟乙烯（PVDF）、聚甲基硅氧烷
（PMS）、聚碳硅烷（PCS）、聚氨酯树脂、聚丁二烯树脂以及其共
聚物。
3.根据权利要求1所述的滤波器芯片元件，其中，所述发泡树脂是单
组分型树脂或双组分型树脂。
4.根据权利要求1所述的滤波器芯片元件，其中，所述铁氧体复合层
进一步包括氧化物粉末。
5.根据权利要求4所述的滤波器芯片元件，其中，所述氧化物粉末包
括选自由铁（Fe）、铜（Cu）、镍（Ni）、锌（Zn）、钴（Co）以及硅
（Si）组成的组中的至少两种金属氧化物。
6.根据权利要求4所述的滤波器芯片元件，其中，所述氧化物粉末具
有球形，并且其平均直径是5μm至45μm。
7.根据权利要求4所述的滤波器芯片元件，其中，所述铁氧体复合层
以60wt%至80wt%：40wt%至20wt%的比例包括所述氧化物粉末和
所述发泡树脂。
8.根据权利要求4所述的滤波器芯片元件，其中，所述铁氧体复合层
具有所述氧化物粉末插入所述发泡树脂的孔中的结构。
9.根据权利要求1所述的滤波器芯片元件，进一步包括基于所述发泡
树脂的3wt%至10wt%的硅区域。
10.根据权利要求1所述的滤波器芯片元件，进一步包括基于所述发泡
树脂的2wt%至5wt%的碳类树脂。
11.根据权利要求1所述的滤波器芯片元件，进一步包括形成在所述铁
氧体复合层上的增强层。
12.根据权利要求11所述的滤波器芯片元件，其中，所述增强层由选自
由硅树脂、...

【专利技术属性】
技术研发人员：金容锡，魏圣权，申赫洙，李相汶，刘永锡，朴成珍，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：