具有包括镍合金的屏蔽的磁性设备制造技术

本申请公开了具有包括镍合金的屏蔽的磁性设备。一种设备包括磁阻传感器、顶部屏蔽和底部屏蔽的器件，其中磁阻传感器位于顶部屏蔽和底部屏蔽之间，且其中底部屏蔽和顶部屏蔽中的至少一个包括NiFeX，其中X选自Nb、Mo、Ta或W。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本申请公开了具有包括镍合金的屏蔽的磁性设备。一种设备包括磁阻传感器、顶部屏蔽和底部屏蔽的器件，其中磁阻传感器位于顶部屏蔽和底部屏蔽之间，且其中底部屏蔽和顶部屏蔽中的至少一个包括NiFeX，其中X选自Nb、Mo、Ta或W。【专利说明】具有包括镍合金的屏蔽的磁性设备
技术介绍
磁换能器可包括位于底部和顶部屏蔽之间的读取器叠层。在这种设备的制造期间，屏蔽的材料必须经受与读取器叠层相同的处理。读取器叠层的发展可能常常需要不同的处理技术，包括在更高温度下退火。因此，可能需要可在更高温下进行退火的屏蔽。
技术实现思路
本文中公开了包括磁阻传感器、顶部屏蔽和底部屏蔽的设备，其中磁阻传感器位于顶部屏蔽和底部屏蔽之间，且其中底部屏蔽和顶部屏蔽中的至少一个包括NiFeX，其中X选自 Nb、Mo、Ta 或 W。本文中还公开了包括磁阻传感器、顶部屏蔽和底部屏蔽的设备，其中磁阻传感器位于顶部屏蔽和底部屏蔽之间，且其中底部屏蔽和顶部屏蔽中的至少一个包括NiFeX，其中X选自Nb、Mo、Ta或W，且其中至少底部屏蔽和磁阻传感器在至少约350°C的温度下进行退火。还公开了形成设备的方法，该方法包括形成磁阻传感器叠层；形成前体底部屏蔽以形成前体设备，该前体底部屏蔽包括NiFeX，其中X选自Nb、Mo、Ta或W ;以及在至少约350°C的高温下对前体设备进行退火。【专利附图】【附图说明】图1为包括磁阻读取磁头的盘驱动系统的俯视图。图2为沿着垂直于换能头的空气承载表面的平面所截取的磁换能头和磁盘的横截面图。图3为示出了图2的磁换能头的磁性相关元件的分层示意图。图4A和4B为NiFe屏蔽在10分钟400°C的快速热退火(RTA)处理之前(图4A)和之后(图4B)的透射电子显微镜(TEM)图像。图5A和5B示出了显示矩形屏蔽在10分钟400°C的RTA处理之前(图5A)和之后(图5B)在其退磁状态下的磁域结构的克尔(Kerr)显微镜图像。图6A、6B和6C为示出了 Nb含量对NiFeNb的磁矩的影响(图6A)、在不同退火温度下作为Nb含量的函数的易轴矫顽磁性(图6B)、以及在不同退火温度下作为Nb含量的函数的硬轴矫顽磁性(图6C)的曲线图。图7为示例性公开的包括交替的双分子层的屏蔽的横截面。图8A 和 8B 为 NiFeX (图 8A)和 NiFe (图 8B)的 XRD 谱。图9A 和 9B 示出 了 I ii m 厚的 NiFeNb (Nb=3.3 原子 ％)膜在 400°C (图 9A)和 450°C(图9B)下两小时的退火后的截面晶粒结构。图1OA和IOB示出了 NiFe在400°C (图10A)和450。V图10B)下两小时的退火后的TEM图像。图11示出了在400°C和450°C退火后的作为Nb含量的函数的电阻率。图12么、128和12(:示出了1.011111厚度的附？6吣(Nb=l.1原子％)膜在退火的不同阶段的磁滞回线。图13A、13B和13C示出在与沉积类似的条件下溅射的(图13A)、在400°C下两小时的退火后的(图13B)、以及在450°C下两小时的退火之后的(图13C)的NiFe层膜(sheetfilm)的磁滞回线。图14A、14B、14C、14D、14E和14F示出了对一个双分子层(图14A)、两个双分子层(图14B)、以及六个双分子层(图14C)进行400°C两小时退火后、以及对一个双分子层(图14D)、两个双分子层(图14E)、以及六个双分子层(图14F)进行450°C两小时退火后的磁滞回线。图15示出了作为沉积的薄膜的层压的数量的函数的NiFeNb/NiFe双分子层薄膜在400°C退火后和在450°C退火后的矫顽磁性。这些附图不一定按比例示出。附图中使用的相同数字表示相同部件。然而，将理解在给定附图中使用数字来指代部件不旨在限制用另一附图中同一数字标记的部件。详细描述在以下描述中，参照形成本说明书一部分的附图集，其中通过图示示出了若干特定实施例。应当理解的是，可构想和作出其他实施例，而不背离本公开内容的范围或精神。因此，以下详细描述不应按照限制的意义来理解。通过术语“约”，在说明书和权利要求中使用的表示部件大小、量以及物理性质的所有数字应被理解为在任何情况下被修改，除非另外指明。因此，除非相反地指明，否则在上述说明书和所附权利要求中陈述的数值参数是近似值，这些近似值可根据利用本文中公开的示教的本领域技术人员所寻求的期望性质而变化。通过端点对数值范围的陈述包括包含在该范围内的所有数值(例如I到5包括1、1.5,2,2.75,3,3.80,4以及5)以及该范围内的任何范围。如说明书以及所附权利要求书中所使用地，单数形式的“一”、“一个”以及“该”包括具有复数引用的实施例，除非该内容另外明确地指出。如说明书以及所附权利要求书中所使用地，术语“或” 一般以包括“和_/或”的意义来使用，除非该内容另外明确地指出。“包括”、“包括”或类似术语意指包含但不限于，也就是说，包括但不排他。应当理解，“顶部”和“底部”(或其他术语像“上部”和“下部”)严格用于相对描述，并且不暗示被描述的元件所位于的物品的任何整体方向。图1为包括公开的设备、或更具体地磁阻(MR)读取磁头的盘驱动器系统10的俯视图。盘驱动器系统10可包括安装用于围绕通过外壳16内的主轴14定义的轴旋转运动的磁盘12。盘驱动器10还包括安装到外壳16的基板20并且可相对于围绕轴22的盘14枢转移动的致动器18。盖子24可覆盖致动器18的一部分。驱动器控制器26可耦合至致动器18。驱动器控制器26可安装在盘驱动器系统10中或可位于盘驱动器系统10的外面并具有到致动器18的适当连接。致动器18包括致动器臂组件28、刚性支撑构件30、以及头万向架组件32。头万向架组件32包括耦合至刚性构件30的弯曲臂34和通过万向架耦合至弯曲臂34的空气支承滑块36。滑块36可支撑磁阻换能器或用于从盘12读取信息并将信息编码到盘12的磁头。在操作期间，驱动器控制器26接收指示将被访问的盘12的一部分的位置信息。驱动器控制器26从操作员、主机计算机、或从另一合适的控制器接收位置信息。基于位置信息，驱动器控制器26将位置信号提供至致动器18。位置信号使得致动器18围绕轴22枢转。这可使得滑块36按照由箭头38指示的大致弧状路径在盘12的表面上径向移动。驱动器控制器26和致动器18以已知的闭环、负反馈方式操作，以使由滑块36承载的换能器位于盘12的期望部分上。一旦换能器被适当定位，则驱动器控制器26可执行所需的读或写操作。图2为公开的设备，或沿着垂直于磁换能头50的空气承载表面54的平面所呈现的磁换能头50和磁盘12的横截面图。图2不出了磁换能头50及其相对于磁盘12的布置。磁换能头50的空气承载表面54正对磁盘12的盘表面56。磁盘12以如箭头A指示的相对于磁换能头50的方向行进或旋转。在一些实施例中，期望最小化空气承载表面54和盘表面56之间的间隔，同时避免磁换能头50和磁盘12之间的接触。在大多数情况下，磁换能头50和磁盘12之间的接触可能是有害的或甚至对磁换能头50和磁盘12两者具有破坏性的。公开的设备可包括磁阻传感器59，该磁阻传感器还可被称为读取器部分。磁阻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种设备，包括：磁阻传感器；顶部屏蔽；以及底部屏蔽，其中，所述磁阻传感器位于顶部屏蔽和底部屏蔽之间，以及其中所述底部屏蔽和顶部屏蔽中的至少一个包括NiFeX，其中X选自Nb、Mo、Ta或W。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：M·朱，M·C·考茨基，
申请(专利权)人：希捷科技有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US