沉积装置及使用该装置的薄膜沉积方法制造方法及图纸

根据本发明专利技术一实施例的沉积装置包括：沉积室、第一组沉积源以及第二组沉积源。所述沉积室包括：第一等候区域、沉积区域以及第二等候区域。在所述第一等候区域和所述第二等候区域之间可以设置有所述沉积区域。所述第一组沉积源用于从所述第一等候区域向所述沉积区域移动、并且向设置在所述沉积区域的基底基板提供第一组沉积物质。所述第二组沉积源用于从所述第二等候区域向所述沉积区域移动、并且向所述基底基板提供第二组沉积物质。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】根据本专利技术一实施例的沉积装置包括：沉积室、第一组沉积源以及第二组沉积源。所述沉积室包括：第一等候区域、沉积区域以及第二等候区域。在所述第一等候区域和所述第二等候区域之间可以设置有所述沉积区域。所述第一组沉积源用于从所述第一等候区域向所述沉积区域移动、并且向设置在所述沉积区域的基底基板提供第一组沉积物质。所述第二组沉积源用于从所述第二等候区域向所述沉积区域移动、并且向所述基底基板提供第二组沉积物质。【专利说明】
本专利技术涉及。
技术介绍
平板显示器或者半导体器件包括沉积在基底基板上的至少一个以上的薄膜。所述薄膜包括:有机物、无机物、或者有机物和无机物的混合物。所述有机物和无机物中，可以分别混合有两种以上的物质。在沉积装置内形成所述薄膜。沉积装置包括:沉积室；以及提供沉积物质的沉积源。在所述沉积室设置有基底基板，所述沉积源向所述基底基板提供所述沉积物质。一个沉积装置形成一种薄膜。为了在所述基底基板上形成另一种薄膜，需要其它的沉积装置。
技术实现思路
本专利技术的一目的在于，提供一种可形成多个薄膜的沉积装置。本专利技术的另一目的在于，提供一种通过所述沉积装置沉积薄膜的方法。根据本专利技术一实施例的沉积装置包括:沉积室、第一组沉积源以及第二组沉积源。所述沉积室包括:第一等候区域、沉积区域以及第二等候区域。在所述第一等候区域和所述第二等候区域之间可以设置有所述沉积区域。所述第一组沉积源用于从所述第一等`候区域向所述沉积区域移动、并且向设置在所述沉积区域的基底基板提供第一组沉积物质。所述第二组沉积源用于从所述第二等候区域向所述沉积区域移动、并且向所述基底基板提供第二组沉积物质。所述第一组沉积源和所述第二组沉积源可以用于交替地或同时向所述基底基板提供所述第一组沉积物质和所述第二组沉积物质。所述第一组沉积源包括:用于提供第一物质的第一沉积喷嘴部；以及用于提供与所述第一物质不同的第二物质的第二沉积喷嘴部。此时，所述第一组沉积物质是所述第一物质和所述第二物质的混合物。根据本专利技术一实施例的沉积装置还包括:用于移动所述第一组沉积源的第一传输部件；以及用于移动所述第二组沉积源的第二传输部件。所述第一传输部件和所述第二传输部件分别包括:用于收容对应的沉积源的本体部件；以及与所述本体部件连接的驱动部件。通过第一导轨，引导所述第一传输部件。所述第一导轨至少从所述第一等候区域延伸至所述沉积区域。通过第二导轨，引导所述第二传输部件。所述第二导轨至少从所述第二等候区域延伸至所述沉积区域。根据本专利技术一实施例的沉积装置还包括:保持部件，在所述沉积区域中，与所述沉积室结合，并且固定所述基板。根据本专利技术一实施例的薄膜制造方法，首先，在所述沉积室的所述第一等候区域和所述第二等候区域分别设置第一组沉积源和第二组沉积源。然后，从所述第一等候区域开始，所述第一组沉积源在所述沉积区域中进行往返。此时，所述第一组沉积源通过排出第一组沉积物质，从而在所述基底基板上沉积第一薄膜。然后，从所述第二等候区域开始，所述第二组沉积源在所述沉积区域中进行往返。此时，通过排出第二组沉积物质，从而在所述第一薄膜上沉积第二薄膜。根据本专利技术一实施例的薄膜制造方法，首先，在所述沉积室的所述第一等候区域和所述第二等候区域分别设置第一组沉积源和第二组沉积源。然后，所述第一组沉积源从所述第一等候区域向所述第二等候区域移动。然后，从所述第二等候区域开始，所述第一组沉积源和所述第二组沉积源在所述沉积区域中进行往返的期间，分别排出第一组沉积物质和第二组沉积物质，从而在所述基底基板上沉积薄膜。然后，所述第一组沉积源从所述第二等候区域向所述第一等候区域移动。根据本专利技术实施例，所述沉积装置可以在一个沉积室中形成两种以上的薄膜。此外，所述沉积装置可以形成由混合物形成的薄膜。此外，通过调节所述第一组沉积源和所述第二组沉积源停留在所述沉积室的所述沉积区域中的时间，从而可以分别调节所述第一薄膜和所述第二薄膜的厚度。此外，所述第一组沉积源和所述第二组沉积源通过在所述沉积室的所述沉积区域内移动、并且分别提供所述第一组沉积物质和所述第二组沉积物质，因此提高了所述第一薄膜和所述第二薄膜的均匀性。【专利附图】【附图说明】图1是根据本专利技术一实施例的沉积装置的截面图。图2是图1所示的沉积装置的平面图。图3a至图3e是`表示根据本专利技术一实施例的沉积方法的示意图。图4a至图4e是表示根据本专利技术一实施例的沉积方法的示意图。图5是根据本专利技术一实施例的沉积装置的截面图。图6是图5所示的沉积装置的平面图。图7a至图7e是表示根据本专利技术一实施例的沉积方法的示意图。附图标记说明100:沉积室；100A:第一等候区域；100B:沉积区域；100C:第二等候区域；200:保持部件；SUB:基底基板；DSl:第一组沉积源；DS2:第二组沉积源。【具体实施方式】 下面，参考附图详细说明本专利技术的优选实施例。图1是根据本专利技术一实施例的沉积装置的截面图，图2是图1所示的沉积装置的平面图。如图1和图2所示，沉积装置10包括:沉积室100、第一组沉积源DSl以及第二组沉积源DS2。所述第一组沉积源DSl和所述第二组沉积源DS2设置在所述沉积室100内。所述沉积室100包括:第一等候区域100A、沉积区域100B以及第二等候区域IOOC0在所述第一等候区域IOOA和第二等候区域IOOC之间设置有所述沉积区域100B。换言之，沿着第一方向DX连续设置有所述第一等候区域100A、所述沉积区域100B以及所述第二等候区域100C。通过第一阻断墙BW1，区分出所述第一等候区域100A和所述沉积区域100B ;通过第二阻断墙BW2，区分出所述第二等候区域100C和所述沉积区域100B。所述第一阻断墙BWl可以包括用于所述第一组沉积源DSl通过的第一屏蔽门(未图示)，所述第二阻断墙BW2可以包括用于所述第二组沉积源DS2通过的第二屏蔽门(未图示)。在进行沉积工序前，在所述第一等候区域100A和所述第二等候区域100C分别设置第一组沉积源DSl和第二组沉积源DS2。在进行沉积工序的期间，所述沉积区域100B实际上保持真空状态。另外，在本专利技术的另一实施例中，所述第一等候区域100A和所述第二等候区域100C可以设置在所述沉积室100的外部。换言之，所述沉积室100整体可以成为沉积区域100B。基底基板SUB设置在所述沉积区域100B。所述基底基板SUB可以固定在所述沉积区域100B中与所述沉积室100结合的保持部件200上。所述基底基板SUB可以是构成显示面板的基板。例如，所述显示面板可以是有机发光显示面板或者液晶显示面板等。而且，所述基底基板SUB还可以是用于制造半导体器件的基板。所述基底基板SUB可以由玻璃、娃、金属、塑料构成。所述第一组沉积源DSl从所述第一等候区域100A移动至所述沉积区域100B。此外，第一组沉积源DSl从所述沉积区域100B返回至所述第一等候区域100A。根据不同情况，所述第一组沉积源DSl可以向所述第二等候区域100C移动。所述第一组沉积源DSl向设置在所述沉积区域100B的基底基板SUB提供第一组沉积物质DM1。在图1中以虚线图示的第一组沉积源rosi表示，在所述沉积工序后排出所述第一组沉积物质DM1、并且在所述沉积区域本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种沉积装置，包括：沉积室，具有第一等候区域、沉积区域以及第二等候区域；第一组沉积源，用于从所述第一等候区域向所述沉积区域移动、并且向设置在所述沉积区域的基底基板提供第一组沉积物质；以及第二组沉积源，用于从所述第二等候区域向所述沉积区域移动、并且向所述基底基板提供第二组沉积物质。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：任子贤，田炳勋，李宽熙，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：