芯片倒装式发光二极管封装模块及其制法制造技术

一种芯片倒装式发光二极管封装模块的制造方法，包括：提供一电路载板，包括至少一电性连接垫；将一焊料合金层设置于该电性连接垫上，其中，该焊料合金层是至少一选自由锡、银、铜、铋、铟或其合金所组成；提供一芯片倒装式发光二极管，其包括一第一金属焊接层以及一第二金属焊接层，且该第一金属焊接层以及该第二金属焊接层是由金、锡、银、铜、或铟所组成；以及将该芯片倒装式发光二极管经由该第一金属焊接层以及该第二金属焊接层焊接于该焊料合金层及该电性连接垫，进而封装于该电路载板。本发明专利技术亦关于上述芯片倒装式发光二极管封装模块的制造方法所制造的芯片倒装式发光二极管封装模块。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种芯片倒装式发光二极管封装模块的制造方法，包括：提供一电路载板，包括至少一电性连接垫；将一焊料合金层设置于该电性连接垫上，其中，该焊料合金层是至少一选自由锡、银、铜、铋、铟或其合金所组成；提供一芯片倒装式发光二极管，其包括一第一金属焊接层以及一第二金属焊接层，且该第一金属焊接层以及该第二金属焊接层是由金、锡、银、铜、或铟所组成；以及将该芯片倒装式发光二极管经由该第一金属焊接层以及该第二金属焊接层焊接于该焊料合金层及该电性连接垫，进而封装于该电路载板。本专利技术亦关于上述芯片倒装式发光二极管封装模块的制造方法所制造的芯片倒装式发光二极管封装模块。【专利说明】
本专利技术是关于一种，尤其指一种结合特定焊料合金层及金属焊接层的芯片倒装式发光二极管封装模块的制造方法。
技术介绍
公元1962年，通用电气公司的尼克?何伦亚克(Nick Holonyak Jr.)开发出第一种实际应用的可见光发光二极管(Light Emitting Diode, LED),而随着科技日益更新,各种色彩发光二极管开发也应蕴而生。而对于现今人类所追求永续发展为前提的情形下，发光二极管的低耗电量以及长效性的发光等优势下，已逐渐取代日常生活中用来照明或各种电器设备的指示灯或光源等用途。更有甚者，发光二极管朝向多色彩及高亮度的发展，已应用在大型户外显示广告牌或交通号志。21世纪起，电子产业的蓬勃发展，电子产品在生活上已经成为不可或缺的一部分，因此企业对于电子产品开发方向以多功能及高效能发展等为主，也开始将发光二极管芯片应用于各种电子产品。其中尤其是可携式电子产品种类日渐众多，电子产品的体积与重量越来越小，所需的电路载板体积亦随的变小，因此，电路载板的散热效果成为值得重视的问题之一。以现今经常使用的发光二极管芯片而言，由于发光亮度够高，因此可广泛应用于显示器背光源、小型投影机以及照明等各种电子装置中。然而，目前LED的输入功率中，将近80%的能量会转换成热能，倘若承载LED组件的载板无法有效地散热时，便会使得发光二极管芯片界面温度升高，除了影响发光强度之外，亦可能因热度在发光二极管芯片中累积而造成各层材料受热膨胀，促使结构中受到损伤而对产品寿命产生不良影响此外，由于发光二极管内所激发的光线是以一放射方式扩散，并非所有光线都会经由发光二极管表面而散射出，故造成出光率不佳，且无法达到最有效的出光率。据此，若能进一步改善发光二极管的散热效率以及缓和或去除发光二极管受热膨胀的不良影响，且寻求一结构整体上的设计来提升出光率，将更可促使整体电子产业的发展。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种，以改进公知技术中存在的缺陷。为实现上述目的，本专利技术提供的芯片倒装式发光二极管封装模块的制造方法，包括:提供一电路载板，包括至少一电性连接垫；将一焊料合金层设置于该电性连接垫上，其中，该焊料合金层是至少一选自由锡(Sn)、银(Ag)、铜(Cu)、秘(Bi)、铟(In)或其合金所组成；提供一芯片倒装式发光二极管，其包括一第一金属焊接层以及一第二金属焊接层；以及将该芯片倒装式发光二极管经由该第一金属焊接层以及该第二金属焊接层焊接于该电性连接垫，进而封装于该电路载板；其中，该第一金属焊接层以及该第二金属焊接层是由金(Au)、锡(Sn)、银(Ag)JH(Cu)、或铟(In)所组成。所述芯片倒装式发光二极管封装模块的制造方法，其中，该电路载板包含一绝缘层、以及一电路基板，该绝缘层的材质是至少一选自由类金刚石、氧化铝、陶瓷、以及含金刚石的环氧树脂所组群组。所述芯片倒装式发光二极管封装模块的制造方法，其中，该电路基板是一金属板、一陶瓷板或一娃基板。所述芯片倒装式发光二极管封装模块的制造方法，其中，该焊料合金是至少一选自锡银合金(Sn-Ag)、锡铜合金(Sn-Cu)、锡铋合金(Sn-Bi)、锡铟合金(Sn-1n)、银铜合金(Ag-Cu)、银秘合金(Ag-Bi)、银铟合金(Ag-1n)、铜秘合金(Cu-Bi)、铜铟合金(Cu-1n)、铋铟合金(B1-1n)、锡银铜合金(Sn-Ag-Cu)、锡银铋合金(Sn-Ag-Bi)、锡银铟合金(Sn-Ag-1n)、锡铜铋合金(Sn-Cu-Bi)、锡铜铟合金(Sn-Cu-1n)、锡铋铟合金(Sn-B1-1n)、银铜秘合金(Ag-Cu-Bi)、银铜铟合金(Ag-Cu-1n)、铜秘铟合金(Ag-B1-1n)、锡银铜秘合金(Sn-Ag-Cu-Bi)、锡银铜铟合金(Sn-Ag-Cu-1n)、锡铜铋铟合金(Sn-Cu-B1-1n)、锡银铋铟合金(Sn-Ag-B1-1n)、银铜铋铟合金(Ag-Cu-B1-1n)、或锡银铜铋铟合金(Sn-Ag-Cu-B1-1n)。所述芯片倒装式发光二极管封装模块的制造方法，其中，该芯片倒装式发光二极管，包括:一基板，具有一第一表面以及一相对于该第一表面的第二表面；一半导体外延多层复合结构，其位于该基板的该第二表面上方且包含一第一半导体外延层、一第二半导体外延层以及一盲孔，其中，该第一半导体外延层与该第二半导体外延层是层迭设置，且该盲孔贯穿该第二半导体外延层；一第一电极，位于该半导体外延多层复合结构的该第一半导体外延层上方；一第一类金刚石/导电材料多层复合结构，填充于该半导体外延多层复合结构的该盲孔中，并覆盖于该第一电极上方，且电性连接该半导体外延多层复合结构的该第一半导体外延层；一第二电极，位于该半导体外延多层复合结构的该第二半导体外延层上方；以及一第二类金刚石/导电材料多层复合结构，位于该半导体外延多层复合结构的该第二电极上方，并电性连接该半导体外延多层复合结构的该第二半导体外延层。所述芯片倒装式发光二极管封装模块的制造方法，其中，该芯片倒装式发光二极管包括一绝缘保护层，覆盖该半导体外延多层复合结构的该第一半导体外延层的侧壁以及该第二半导体外延层的侧壁，以及该盲孔的内壁表面，以隔绝及该第一类金刚石/导电材料多层复合结构与该第二半导体外延层之间的接触。所述芯片倒装式发光二极管封装模块的制造方法，其中，该绝缘保护层是由两种或以上的不同折射率材料堆叠设置。所述芯片倒装式发光二极管封装模块的制造方法，其中，该不同折射率材料是至少一选自由绝缘类金刚石(Isolated DLC)、氧化钛(TixOy)、二氧化硅(Si02)、砷化镓(GaAs)、以及砷化铝(AlAs)所组成的群组。所述芯片倒装式发光二极管封装模块的制造方法，其中，该芯片倒装式发光二极管包括在该绝缘保护层的外侧设置一金属保护层。所述芯片倒装式发光二极管封装模块的制造方法，其中，该金属保护层是至少一选自由铝(Al)、钛(Ti)、钥(Mo)、镍(Ni)、银(Ag)、金(Au)、钼(Pt)、或其合金所组成的群组。所述芯片倒装式发光二极管封装模块的制造方法，其中，该第二表面为一图形化表面。所述芯片倒装式发光二极管封装模块的制造方法，其中，该第一表面为一图形化表面或一粗糙化表面。所述芯片倒装式发光二极管封装模块的制造方法，其中，该半导体外延多层复合结构包括一无掺杂半导体外延层，该无掺杂半导体外延层夹置于该第一半导体外延层与该基板的该第二表面之间。所述芯片倒装式发光二极管封装模块的制造方法，其中，该半导体外延多层复合结构包括一活性中间层，该活性中间层夹置于该本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片倒装式发光二极管封装模块的制造方法，包括：提供一电路载板，包括至少一电性连接垫；将一焊料合金层设置于该电性连接垫上，其中，该焊料合金层是至少一选自由锡、银、铜、铋、铟或其合金所组成；提供一芯片倒装式发光二极管，其包括一第一金属焊接层以及一第二金属焊接层；以及将该芯片倒装式发光二极管经由该第一金属焊接层以及该第二金属焊接层焊接于该电性连接垫，进而封装于该电路载板；其中，该第一金属焊接层以及该第二金属焊接层是由金、锡、银、铜、或铟所组成。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：甘明吉，黄世耀，宋健民，
申请(专利权)人：铼钻科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：台湾;71