去氧孕烯晶型及其制备方法技术

技术编号:10067577 阅读:166 留言:0更新日期:2014-05-23 05:40
去氧孕烯晶型及其制备方法。提供了一种一种具有下式I的去氧孕烯晶体,所述去氧孕烯晶体在粉末X-射线衍射图谱中,使用CuKα射线测量,其主衍射峰2θ角度为:8.6±0.2°、11.3±0.2°、11.8±0.2°、13.9±0.2°、14.2±0.2°、16.0±0.2°、17.0±0.2°、19.0±0.2°、20.5±0.2°和21.8±0.2°。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】。提供了一种一种具有下式I的去氧孕烯晶体,所述去氧孕烯晶体在粉末X-射线衍射图谱中,使用CuKα射线测量,其主衍射峰2θ角度为:8.6±0.2°、11.3±0.2°、11.8±0.2°、13.9±0.2°、14.2±0.2°、16.0±0.2°、17.0±0.2°、19.0±0.2°、20.5±0.2°和21.8±0.2°。【专利说明】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
式I化合物(去氧孕烯)是一种新型孕激素,为强效排卵抑制剂,尚能改变宫颈粘液稠度、抑制子宫内膜发育。孕激素避孕药,抗雌性激素的活性很强,能抑制排卵及促性腺激素的分泌。用于防止妊娠。【权利要求】1.一种具有下式I的去氧孕烯晶体: 2.如权利要求1所述的去氧孕烯晶体,其特征在于,所述去氧孕烯晶体在粉末X-射线衍射图谱中,使用CuKa射线测量,在2Θ角度为:14.6±0.2°、15.1±0.2°、.17.5±0.2 °、21.2±0.2 °、22.9±0.2 °、23.7±0.2 °、25.0±0.2 °、25.3±0.2 °、.26.0±0.2°和26.4±0.2°处具有衍射峰。3.如权利要求1所述的去氧孕烯晶体,其特征在于,所述去氧孕烯晶体的粉末X-射线衍射图谱如图1所示。4.一种制备权利要求1所述去氧孕烯晶体的方法,所述方法包括:将去氧孕烯通过有机溶剂和水重结晶得到所述去氧孕烯晶体。5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,所述有机溶剂选自烷基醇、酮类、卤代烃、烷烃、有机酯及其组合。6.如权利要求4所述的方法,其特征在于,所述有机溶剂选自甲醇、乙醇、丙醇、丁醇,丙酮、丁酮、二氯甲烷、氯仿、正己烷、环己烷、石油醚、乙酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸丁酯、甲酸甲酯、丁酸甲酯及其组合。【文档编号】C07J11/00GK103804454SQ201210458155【公开日】2014年5月21日 申请日期:2012年11月14日 优先权日:2012年11月14日 【专利技术者】沈国兵, 张跃良, 戴健, 曹韵律, 黄河 申请人:上海信谊药厂有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有下式I的去氧孕烯晶体:所述去氧孕烯晶体在粉末X?射线衍射图谱中,使用CuKα射线测量,其主衍射峰2θ角度为:8.6±0.2°、11.3±0.2°、11.8±0.2°、13.9±0.2°、14.2±0.2°、16.0±0.2°、17.0±0.2°、19.0±0.2°、20.5±0.2°和21.8±0.2°。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:沈国兵张跃良戴健曹韵律黄河
申请(专利权)人:上海信谊药厂有限公司
类型:发明
国别省市:

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