硅片背面喷砂制造吸杂源消除硅抛光表面氧化雾的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术是有关于一种硅片背面喷砂制造吸杂源消除硅抛光表面氧化雾的装置,其包括：金刚砂喷嘴、喷嘴移动装置、除尘风橱、硅片传送带、金刚砂料罐以及第一粉尘收集罐；其中，所述金刚砂喷嘴设置于所述喷嘴移动装置上，并且设置于所述硅片传送带的上方，能够在所述喷嘴移动装置的作用下在所述硅片传送带的上方左右移动；所述除尘风橱设置于所述硅片传送带的上方，并且由所述硅片传送带的上方向下延伸至所述硅片传送带的上表面，所述金刚砂喷嘴设置于所述除尘风橱内；在所述除尘风橱的顶部设有通孔，所述除尘风橱通过所述通孔与所述第一粉尘收集罐通过管道连通；所述金刚砂喷嘴通过管道与所述金刚砂料罐连通。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术是有关于一种硅片背面喷砂制造吸杂源消除硅抛光表面氧化雾的装置,其包括：金刚砂喷嘴、喷嘴移动装置、除尘风橱、硅片传送带、金刚砂料罐以及第一粉尘收集罐；其中，所述金刚砂喷嘴设置于所述喷嘴移动装置上，并且设置于所述硅片传送带的上方，能够在所述喷嘴移动装置的作用下在所述硅片传送带的上方左右移动；所述除尘风橱设置于所述硅片传送带的上方，并且由所述硅片传送带的上方向下延伸至所述硅片传送带的上表面，所述金刚砂喷嘴设置于所述除尘风橱内；在所述除尘风橱的顶部设有通孔，所述除尘风橱通过所述通孔与所述第一粉尘收集罐通过管道连通；所述金刚砂喷嘴通过管道与所述金刚砂料罐连通。【专利说明】硅片背面喷砂制造吸杂源消除硅抛光表面氧化雾的装置
本技术涉及IC级硅单晶抛光片
，特别是涉及一种硅片背面喷砂制造吸杂源消除硅抛光表面氧化雾的装置。
技术介绍
IC级硅单晶抛光片是制造大规模和超大规模集成电路的核心材料，主要用于高速计算机、航空航天等高科技领域。硅单晶抛光片的微缺陷“氧化雾”一直困扰着高可靠性器件用硅单晶抛光片的质量。长期以来，人们采用多种方法以消除硅抛光片表面的氧化雾。所采用的方法主要是通过吸杂的方式，有内吸杂和外吸杂两种。内吸杂主要是利用硅片中的氧沉淀产生吸杂区消除硅抛光表面的氧化雾，因其设备昂贵，工艺复杂，要求硅片内氧沉淀分布均匀，不易控制，重复性差，因此在国内外应用较少。外吸杂主要是利用外部手段在硅片背面形成损伤或应力，具体方式有在硅片背面用金钢砂带损伤、激光损伤或LPCVD生长多晶硅层等，或者采用辐照、加热预处理、硅片背面软损伤等方法对硅片的氧化雾进行消除。对硅片的背面采用干法喷砂制造吸杂源消除硅抛光表面的氧化雾是近年来新兴的一种可有效消除硅抛光片表面的氧化雾，同时又工艺简单合理，投资小，可操作性强，易于实施的外吸杂方法。其是根据背损吸杂原理，在硅片背面干法喷砂，产生晶格损伤或畸变，制造吸杂源，通过对喷砂粒度、喷砂压力、作业片距、时间过程的控制和调制，在硅片背面制造均匀的层错密度，即在硅片背面产生6-38X 104个/ cm2的损伤层错，诱生堆杂层错，使硅片具有非本征的吸杂能力。在高温下，硅片的杂质会移位，并且转移到硅片里面和背面的非要害部位，在抛光片表面的制作集成电路区域，形成厚度几个um的洁净区，从而获得无“氧化雾”的高品质硅抛光片，确保IC产品电路特性不受影响。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种新型结构的硅片背面喷砂制造吸杂源消除硅抛光表面氧化雾的装置，所要解决的技术问题是使其通过使金刚砂喷嘴左右移动，可以减小金刚砂喷嘴的口径，使金刚砂在硅片背面的喷洒均匀，硅片背面喷砂形成的损伤均匀可控；并且通过在金刚砂喷嘴外设置除尘风橱、将除尘风橱与粉尘收集罐连通，可以防止喷砂时产生的粉尘扩散，对金刚砂进行收集再利用，非常适于实用。本技术的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本技术提出的一种硅片背面喷砂制造吸杂源消除硅抛光表面氧化雾的装置，其包括:金刚砂喷嘴、喷嘴移动装置、除尘风橱、硅片传送带、金刚砂料罐以及第一粉尘收集罐；其中，所述金刚砂喷嘴设置于所述喷嘴移动装置上，并且设置于所述硅片传送带的上方，能够在所述喷嘴移动装置的作用下在所述硅片传送带的上方左右移动；所述除尘风橱设置于所述硅片传送带的上方，并且由所述硅片传送带的上方向下延伸至所述硅片传送带的上表面，所述金刚砂喷嘴设置于所述除尘风橱内；在所述除尘风橱的顶部设有通孔，所述除尘风橱通过所述通孔与所述第一粉尘收集罐通过管道连通；所述金刚砂喷嘴通过管道与所述金刚砂料罐连通。本技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的硅片背面喷砂制造吸杂源消除硅抛光表面氧化雾的装置，其中所述金刚砂喷嘴为石英管。前述的硅片背面喷砂制造吸杂源消除硅抛光表面氧化雾的装置，其中所述喷嘴移动装置为汽缸，所述金刚砂喷嘴设置于所述汽缸的活塞上。前述的硅片背面喷砂制造吸杂源消除硅抛光表面氧化雾的装置，其中所述金刚砂喷嘴在所述喷嘴移动装置的作用下在所述硅片传送带上方左右移动的距离为0-200mm。前述的硅片背面喷砂制造吸杂源消除硅抛光表面氧化雾的装置，其中所述除尘风橱为密闭式风橱，并且在正对所述金刚砂喷嘴的一面上设有可观察硅片背面金刚砂喷射打毛情况的有机玻璃门。前述的硅片背面喷砂制造吸杂源消除硅抛光表面氧化雾的装置，其中在所述硅片传送带的承载构件上设有网格，所述网格贯穿所述承载构件的承载面和与其相对的另一面，在所述硅片传送带的下方设有第二粉尘收集罐，所述硅片传送带的网格能够允许散落于所述硅片传送带上的金刚砂通过进入所述第二粉尘收集罐。前述的硅片背面喷砂制造吸杂源消除硅抛光表面氧化雾的装置，其中所述硅片传送带为网状尼龙布传送带。前述的硅片背面喷砂制造吸杂源消除硅抛光表面氧化雾的装置，其中所述金刚砂料罐设有震动器。前述的硅片背面喷砂制造吸杂源消除硅抛光表面氧化雾的装置，其中所述震动器为电动振动器。前述的硅片背面喷砂制造吸杂源消除硅抛光表面氧化雾的装置，其中在所述除尘风橱与所述第一粉尘收集罐连通的管道上还设有排风机，所述除尘风橱的所述通孔是通过管道与所述排风机的入口连接，所述排风机的出口是通过管道与所述第一粉尘收集罐连接。本技术与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。借由上述技术方案，本技术硅片背面喷砂制造吸杂源消除硅抛光表面氧化雾的装置至少具有下列优点及有益效果:1、本技术通过使金刚砂喷嘴左右移动，可以减小金刚砂喷嘴的口径，使金刚砂在硅片背面的喷洒均匀，硅片背面喷砂形成的损伤均匀可控；并且通过在金刚砂喷嘴外设置除尘风橱、将除尘风橱与粉尘收集罐连通，可以防止喷砂时产生的粉尘扩散，对金刚砂进行收集再利用。2、本技术通过采用石英管作为喷嘴可以防止在喷砂时引入新的沾污。3、本技术通过采用网状传送带运送硅片及在传送带的下方配置粉尘收集罐，可以随时对散落于传送带上硅片四周的金刚砂进行收集，再利用。4、本技术通过在金刚砂料罐加设震动器，可以使储存于料罐中的金刚砂一直保持疏松状态，从而使由管道至金刚砂喷嘴的金刚砂运输通畅，金刚砂输送的流速均匀。上述说明仅是本技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本技术的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。【专利附图】【附图说明】图1是本技术硅片背面喷砂制造吸杂源消除硅抛光表面氧化雾的装置的较佳实施例的结构示意图。【具体实施方式】为更进一步阐述本技术为达成预定专利技术目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本技术提出的硅片背面喷砂制造吸杂源消除硅抛光表面氧化雾的装置其【具体实施方式】、结构、特征及其功效，详细说明如后。有关本技术的前述及其他
技术实现思路
、特点及功效，在以下配合参考图式的较佳实施例的详细说明中将可清楚呈现。通过【具体实施方式】的说明，应当可对本技术为达成预定目的所采取的技术手段及功效获得一更加深入且具体的了解，然而所附图式仅是提供参考与说明之用，并非用来对本技术加以限制。请参阅图1所示，是本实本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅片背面喷砂制造吸杂源消除硅抛光表面氧化雾的装置，其特征在于其包括：金刚砂喷嘴、喷嘴移动装置、除尘风橱、硅片传送带、金刚砂料罐以及第一粉尘收集罐；其中，所述金刚砂喷嘴设置于所述喷嘴移动装置上，并且设置于所述硅片传送带的上方，能够在所述喷嘴移动装置的作用下在所述硅片传送带的上方左右移动；所述除尘风橱设置于所述硅片传送带的上方，并且由所述硅片传送带的上方向下延伸至所述硅片传送带的上表面，所述金刚砂喷嘴设置于所述除尘风橱内；在所述除尘风橱的顶部设有通孔，所述除尘风橱通过所述通孔与所述第一粉尘收集罐通过管道连通；所述金刚砂喷嘴通过管道与所述金刚砂料罐连通。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭金娥，徐信富，徐力，陈兴邦，
申请(专利权)人：洛阳市鼎晶电子材料有限公司，
类型：实用新型
国别省市：