本发明专利技术提供一种多层配线基板和使用该多层配线基板的探针卡,本发明专利技术的目的在于提高薄膜电阻器的针对安装有上述薄膜电阻器的多层配线基板的热变化的耐久性。多层配线基板包括:绝缘板,其由多个具有绝缘性的合成树脂层构成;配线电路,其设于该绝缘板;薄膜电阻器,其以沿着上述多个合成树脂层中的至少1个合成树脂层埋设于该合成树脂层内的方式形成,且被插入到上述配线电路中;以及热伸缩抑制层,其以被埋设于与埋设、形成有该薄膜电阻器的上述合成树脂层相邻的上述合成树脂层的方式形成并以在向该多层配线基板的厚度方向投影时与上述薄膜电阻器重叠的方式配置,该热伸缩抑制层具有比上述相邻的两合成树脂层的线膨胀系数小的线膨胀系数。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及安装有薄膜电阻器的多层配线基板和使用该多层配线基板的探针卡。
技术介绍
对于半导体芯片这样的半导体IC,在其聚集地形成于半导体晶圆上之后,在分开成各芯片之前,该半导体IC要接受电检查。为了进行该电检查,通常,使用与作为被检查体的各半导体IC的电极焊盘相连接的探针卡(日文:プローブカード)。探针卡的各探针与被检查体的与之对应的电极焊盘相接触,由此,使被检查体与用于电检查的测试器相连接(例如,参照专利文献1)。在这样的探针卡中,将多层配线基板作为探针基板,在该探针基板的一个面配置有多个探针。另外,在安装于该探针基板即多层配线基板的配线电路上,例如以阻抗匹配这样的电匹配为目的或者以对向各探针供给的电力进行控制为目的而安装有电阻器(例如,参照专利文献2)。为了将电阻器安装于这样的多层配线基板,薄膜电阻器以被埋设于由成为配线基板的母材的电绝缘材料构成的合成树脂层的方式形成。该薄膜电阻器由具有比成为配线基板的母材的上述合成树脂层的线膨胀系数小的线膨胀系数的金属材料构成。因此,当在热循环试验下进行上述被检查体的电检查时,会导致这样的结果:与上述探针卡的薄膜电阻器同粘着有该薄膜电阻器的合成树脂层之间的线膨胀系数的差相应地在该薄膜电阻器与上述合成树脂层之间的交界反复受到较大的应力。由这样的温度冲击产生的反复应力加速上述薄膜电阻器的劣化,从而导致其破损。专利文献1:日本特开2010-151497号公报专利文献2:日本特开2008-283131号公报
技术实现思路
因此,本专利技术的目的在于提高薄膜电阻器的针对安装有该薄膜电阻器的多层配线基板的热变化的耐久性和提高应用有该多层配线基板的探针卡的针对热变化的耐久性。本专利技术提供一种多层配线基板,其中,该多层配线基板包括:绝缘板,其由多个具有绝缘性的合成树脂层构成;配线电路,其设于该绝缘板;薄膜电阻器,其以沿着上述多个合成树脂层中的至少1个合成树脂层埋设于该合成树脂层内的方式形成,且被插入到上述配线电路中;以及热伸缩抑制层,其以被埋设于与埋设、形成有该薄膜电阻器的上述合成树脂层相邻的上述合成树脂层的方式形成并以在向该多层配线基板的厚度方向投影时与上述薄膜电阻器重叠的方式配置,该热伸缩抑制层具有比上述相邻的两合成树脂层的线膨胀系数小的线膨胀系数。另外,本专利技术提供一种探针卡,其包括多层配线基板和自该多层配线基板的表面突出的多个探针,其中,上述多层配线基板包括:绝缘板,其由多个具有绝缘性的合成树脂层构成;配线电路,其设于该绝缘板;薄膜电阻器,其以沿着上述多个合成树脂层中的至少1个合成树脂层埋设于该合成树脂层内的方式形成,且被插入到上述配线电路中;以及热伸缩抑制层,其以被埋设于与埋设、形成有该薄膜电阻器的上述合成树脂层相邻的上述合成树脂层的方式形成并以在向该多层配线基板的厚度方向投影时与上述薄膜电阻器重叠的方式配置,该热伸缩抑制层具有比上述相邻的两合成树脂层的线膨胀系数小的线膨胀系数。上述探针分别与上述配线电路中的与之对应的配线线路相连接。在本专利技术的上述多层配线基板中,由于配置在上述合成树脂层内的上述热伸缩抑制层具有比相邻的上述两合成树脂层的线膨胀系数小的线膨胀系数,因此能够有效地抑制埋设有上述薄膜电阻器的上述合成树脂层沿着该薄膜电阻器进行热伸缩。因此能够抑制因上述薄膜电阻器与包围该薄膜电阻器的上述合成树脂层之间的热膨胀系数差而导致的上述薄膜电阻器与上述合成树脂层之间的热伸缩差。因而,即使在上述多层配线基板在例如热循环试验下使用而因此使环境温度如以往那样较大地变化,如上所述,也能够抑制因随着该温度变化而产生的上述合成树脂层与上述薄膜电阻器之间的热膨胀系数差所导致的两者的热伸缩差,因此能够降低因该热伸缩差而作用于上述薄膜电阻器的应力。其结果,能够提高上述多层配线基板的上述薄膜电阻器的耐久性,从而提高上述多层配线基板和使用该多层配线基板的探针卡的耐久性。为了更可靠地保护上述薄膜电阻器而不使其受到上述热伸缩差的影响,优选的是,上述热伸缩抑制层与上述薄膜电阻器大致平行地配置,且上述热伸缩抑制层超出该薄膜电阻器的配置区域而向该薄膜电阻器的配置区域外侧伸出。由此,能够使在上述薄膜电阻器与包围该薄膜电阻器的上述合成树脂层之间的界面处作用于上述薄膜电阻器的应力更可靠地降低和分散,因此能够提高基于上述热收缩抑制层的对上述薄膜电阻器保护的保护效果。上述热伸缩抑制层能够由金属材料构成。从抑制噪声和抑制阻抗变化等方面考虑,由该金属材料构成的上述热伸缩抑制层优选与上述配线电路电绝缘。上述热伸缩抑制层能够由与用于构成上述配线电路的金属材料相同的金属材料形成。由此,能够在不追加上述热收缩抑制层的专用工艺的情况下利用上述配线电路的形成工艺来形成上述伸缩抑制层。能够与上述薄膜电阻器的两端相关联地设置与上述配线电路相连接的成对的连接电极。上述成对的连接电极分别与上述薄膜电阻器的与之对应的端部电连接和机械连接。在热循环试验这样的温度冲击下,由于上述薄膜电阻器与包围该薄膜电阻器的上述合成树脂层之间的热收缩差,较强的应力会集中于上述薄膜电阻器与上述成对的连接电极之间的连接部位。然而,利用上述成对的连接电极来覆盖上述薄膜电阻器的相应的各端部,能够谋求增大上述成对的连接电极与上述薄膜电阻之间的电连接部的接触面积,因此能够利用上述接触面来使作用于上述薄膜电阻器的端部的应力有效地分散。由此,能够可靠地保护该薄膜电阻器而不使其受到因上述热伸缩差而作用于上述薄膜电阻器的应力的影响。为了利用上述成对的连接电极来覆盖上述薄膜电阻器的与之对应的各端部,能够在各个上述连接电极的彼此相对的面形成用于分别接收上述薄膜电阻的与之对应的端部的台阶部。通过利用该相对的台阶部将上述成对的连接电极与上述薄膜电阻器的相应的两端电结合和机械结合,能够较容易地谋求增大上述薄膜电阻器与上述成对的连接电极之间的连接部的接触面积。因而,能够利用比较简单的结构来更可靠地保护该薄膜电阻器而不使其受到因上述热伸缩差而作用于上述薄膜抗体的应力的影响。上述成对的连接电极能够由不会如上述合成树脂层那样进行较大热伸缩的配线电路支承。在该情况下,能够用构成上述配线电路的一部分的、沿上述合成树脂层的厚度方向在上述合成树脂层内延伸的导电线路支承上述成对的连接电极。由此,与将上述成对的连接电极本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种多层配线基板,其中,该多层配线基板包括:绝缘板,其由多个具有绝缘性的合成树脂层构成;配线电路,其设于该绝缘板;薄膜电阻器,其以沿着上述多个合成树脂层中的至少1个合成树脂层埋设于该合成树脂层内的方式形成,且被插入到上述配线电路中;以及热伸缩抑制层,其以被埋设于与埋设、形成有该薄膜电阻器的上述合成树脂层相邻的上述合成树脂层的方式形成并以在向该多层配线基板的厚度方向投影时与上述薄膜电阻器重叠的方式配置,该热伸缩抑制层具有比上述相邻的两合成树脂层的线膨胀系数小的线膨胀系数。
【技术特征摘要】
2012.10.30 JP 2012-2385041.一种多层配线基板,其中,
该多层配线基板包括:
绝缘板,其由多个具有绝缘性的合成树脂层构成;
配线电路,其设于该绝缘板;
薄膜电阻器,其以沿着上述多个合成树脂层中的至少1个合成树脂层埋
设于该合成树脂层内的方式形成,且被插入到上述配线电路中;以及
热伸缩抑制层,其以被埋设于与埋设、形成有该薄膜电阻器的上述合成
树脂层相邻的上述合成树脂层的方式形成并以在向该多层配线基板的厚度
方向投影时与上述薄膜电阻器重叠的方式配置,该热伸缩抑制层具有比上述
相邻的两合成树脂层的线膨胀系数小的线膨胀系数。
2.根据权利要求1所述的多层配线基板,其中,
上述热伸缩抑制层与上述薄膜电阻器大致平行地配置,且上述热伸缩抑
制层超出该薄膜电阻器的配置区域而向该薄膜电阻器的配置区域外侧伸出。
3.根据权利要求2所述的多层配线基板,其中,
上述热伸缩抑制层由金属材料构成,且...
【专利技术属性】
技术研发人员:小田部昇,大森利则,菅井孝安,
申请(专利权)人:日本麦可罗尼克斯股份有限公司,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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