【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种放大器的自动增益控制电子电路,在自动增益控制回路中调节电子电路的输入放大器的增益,特别采用双斜率调节以增加增益调节速度并且保持电子电路的稳定性。
技术介绍
以常规的方式,特别是对于数据或控制信号的接收,这种类型的电子电路1可包括在图1中所示的用于输入放大器2的自动增益控制的电子器件。该输入放大器2直接或经由整形阶段连接到接收数据或控制信号的天线(未示出)。输入放大器2在自动增益控制回路中采用基于由天线拾取的信号或多个信号的调节增益放大输入信号VIN。取决于进入信号载波频率的交流信号的输出信号VOUT被提供给常规峰值检测器3。峰值检测器3输出整流信号VP,该整流信号可以是连续的并且代表由输入放大器2放大的输入信号VIN的幅值。该整流信号VP可存储在峰值检测器3的电容器CP中。电子电路1还包括放大器-比较器4,其确定在代表由输入放大器2放大的信号VOUT幅值的整流信号VP与参考信号VR之间的误差。整流信号与参考信号通常是提供给放大器-比较器4的输入的整流电压VP与参考电压VR。整流电压VP提供到放大器-比较器4的反相输入,而参考电压VR提供到放大器-比较器4的正相输入。根据在两个被比较的电压之间所确定的误差,调节信号以调节电流或电压VAGC的形式被放大器-比较器4传送到输入放大器以调节所述输入放大器2的增益。如果放大器-比较器的输出信号以电流的形式,则积分电容器CINT还布置在放大器 ...
【技术保护点】
电子电路(1),用于输入放大器(2)自动增益控制,所述电子电路包括自动增益控制回路中的非线性放大器‑比较器(4),用于将第一参考信号(VR)和与所述输入放大器的输出信号的幅度电平相关的第二信号(VP)相比较,所述非线性放大器‑比较器(4)容许所述输入放大器增益的动态模拟双斜率调节,该电子电路的特征在于,所述非线性放大器‑比较器(4)包括具有含有第一类型导电性的第一输入晶体管(M1)的第一支路,该第一输入晶体管在具有第一类型导电性的第一极化晶体管(M5)与电流镜的具有第二类型导电性的第一二极管连接晶体管(M3)之间串联布置,该第一支路在电压源的负相端子(VSS)与正相端子(VDD)之间;所述第一输入晶体管(M1)的栅极或基极可以接收所述第一信号(VR)或所述第二信号(VP);所述非线性放大器‑比较器(4)包括具有含有第一类型导电性的第二输入晶体管(M2)的第二支路,该第二输入晶体管在具有第一类型导电性的第二极化晶体管(M6)与所述电流镜的具有第二类型导电性的第二晶体管(M4)之间串联布置,该第二支路在所述电压源的负相端子(VSS)与正相端子(VDD)之间,所述第二极化晶体管(M6)的栅极 ...
【技术特征摘要】
2012.10.26 EP 12190219.11.电子电路(1),用于输入放大器(2)自动增益控制,所述电子
电路包括自动增益控制回路中的非线性放大器-比较器(4),用于将第一
参考信号(VR)和与所述输入放大器的输出信号的幅度电平相关的第二信
号(VP)相比较,所述非线性放大器-比较器(4)容许所述输入放大器增
益的动态模拟双斜率调节,
该电子电路的特征在于,所述非线性放大器-比较器(4)包括具有含
有第一类型导电性的第一输入晶体管(M1)的第一支路,该第一输入晶体
管在具有第一类型导电性的第一极化晶体管(M5)与电流镜的具有第二类
型导电性的第一二极管连接晶体管(M3)之间串联布置,该第一支路在电
压源的负相端子(VSS)与正相端子(VDD)之间;所述第一输入晶体管(M1)
的栅极或基极可以接收所述第一信号(VR)或所述第二信号(VP);
所述非线性放大器-比较器(4)包括具有含有第一类型导电性的第二
输入晶体管(M2)的第二支路,该第二输入晶体管在具有第一类型导电性
的第二极化晶体管(M6)与所述电流镜的具有第二类型导电性的第二晶体
管(M4)之间串联布置,该第二支路在所述电压源的负相端子(VSS)与
正相端子(VDD)之间,所述第二极化晶体管(M6)的栅极或基极连接到
由极化电压(VB)供电的所述第一极化晶体管(M5)的栅极或基极,所
述电流镜的所述第二晶体管(M4)的栅极或基极连接到所述第一二极管连
接晶体管(M3)的栅极或基极,而所述第二输入晶体管(M2)的栅极或
基极能够接收所述第二参考信号(VP)或对所述第一输入晶体管(M1)反
向的所述第一信号(VR);以及
所述非线性放大器-比较器(4)包括至少一个非线性跨导元件(RNL),
该非线性跨导元件将所述第一输入晶体管(M1)的源极或发射极连接到所
述第二输入晶体管(M2)的源极或发射极,并且如果在所述第一输入信号
(VR)和所述第二输入信号(VP)之间的偏差比限定的阈值更大或更小,
\t则能够容许所述放大器-比较器经由所述第二输入晶体管(M2)的漏极或
集电极输出双斜率增益调节信号(IOUT)。
2.根据权利要求1所述的电子电路(1),其特征在于,所述第一和第
二输入晶体管(M1,M2)是NMOS晶体管,所述第一和第二极化晶体管
(M5,M6)是NMOS晶体管,并且所述第一和第二电流镜晶体管(M3,
M4)是PMOS晶体管。
3.根据权利要求2所述的电子电路(1),其特征在于,所述第一和第
二极化晶体管的源极直接连接到所述电压源的负相端子(VSS),并且所述
电流镜的所述第一和第二晶体管(M3,M4)的源极直接连接到所述电压
源的正相端子(VDD)。
4.根据权利要求1所述的电子电路(1),其特征在于,所述第一和第
二输入晶体管(M1,M2)是PMOS晶体管,所述第一和第二极化晶体管
(M5,M6)是PMOS晶体管,并且所述第一和第二电流镜晶体管(M3,
M4)是NMOS晶体管。
5.根据权利要求4所述的电子电路(1),其特征在于,所述第一和第
二极化晶体管的源极直接连接到所述电压源的正相端子(VDD),并且所
述电流镜的所述第一和第二晶体管(M3,M4)的源极直接连接到所述电
压源的负相端子(VSS)。
6.根据权利要求1所述的电子电路(1),其特征在于,所述非线性跨
导元件由两对具有相同类型导电性并且在所述第一输入晶体管(M1)的源
极或发射极和所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员:A·塔贾里,
申请(专利权)人:EM微电子马林有限公司,
类型:发明
国别省市:瑞士;CH
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