【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及照明和显示用的光源
，特别是涉及一种波长转换器件、其制造方法以及相关波长转换装置。
技术介绍
现有技术中的照明系统或者投影系统的光源系统中，常采用激发光对波长转换材料进行激发以产生受激光。由于激发光功率往往会过高而导致波长转换层的温度上升，从而造成波长转换材料的光转换效率下降，缩短波长转换装置的使用寿命。 针对这个问题，现有技术中常采用的一种方法是，在波长转换材料层的表面形成由多个凸起微结构组成的凸起微结构阵列，该凸起微结构一般呈金字塔结构或者∧字形的条形等，以增大波长转换材料层的表面积。在激发光不改变的前提下，波长转换材料层的表面积增大，能使得位于单位面积内的波长转换材料的光斑的光功率密度下降，进而提高波长转换材料的光转换效率。 而在波长转换材料层的表面上形成凸起状的微结构阵列的原因在于其制作工艺容易。在该包括凸起微结构阵列的波长转换材料层的制作方法中，先加工微结构模具，然后利用该模具注塑成型。其中该模具只能制作呈凹坑状的微结构阵列，例如采用钻孔或者切削的方法来在该模具上形成凹坑阵列，而注塑成型的微结构阵列与模具呈反结构，因此波长转换材料层上的微结构阵列呈凸起状。 如图1A所示，图1A是现有技术中的波长转换材料层的结构示意图。在这个方案中，激发光L1入射于波长转换材料层101包括有凸起微结构阵列的一面上的其中至少一个凸起微结构上，对该凸起微结构上的波长转换材料进行激发。波长转换材料吸收激发光并出射受激光。由于波长转换材料是全角发光的，部分受激光L2直接出射，部分受激光L3会入射到其他...
【技术保护点】
一种波长转换器件的制作方法，其特征在于，该制作方法包括如下步骤：a)在第一表面为<100>晶面或者<110>晶面的单晶硅片的第一表面上形成掩膜层，该掩膜层的第一预定位置形成有无掩膜区阵列，该无掩膜区阵列包括多个无掩膜区；或者在该掩膜层的第一预定位置处形成无掩膜区，其中该无掩膜区填充有掩膜区阵列中的多个有掩膜区；b)将该单晶硅片放置于预定的湿法腐蚀液中进行腐蚀，以使得经腐蚀后的单晶硅片的第一表面上对应无掩膜区阵列或者有掩膜区阵列的位置形成微结构阵列，该微结构阵列包括多个微结构；c)在单晶硅片带有微结构阵列的表面上均镀上反射膜，使得该反射膜的表面的起伏与所述微结构阵列的起伏一致；d)在所述反射膜上覆盖波长转换层，使得该波长转换层的表面的起伏与所述微结构阵列的起伏一致。
【技术特征摘要】
1.一种波长转换器件的制作方法，其特征在于，该制作方法包括
如下步骤：
a)在第一表面为<100>晶面或者<110>晶面的单晶硅片的第一表面
上形成掩膜层，该掩膜层的第一预定位置形成有无掩膜区阵列，该无掩
膜区阵列包括多个无掩膜区；或者在该掩膜层的第一预定位置处形成无
掩膜区，其中该无掩膜区填充有掩膜区阵列中的多个有掩膜区；
b)将该单晶硅片放置于预定的湿法腐蚀液中进行腐蚀，以使得经腐
蚀后的单晶硅片的第一表面上对应无掩膜区阵列或者有掩膜区阵列的
位置形成微结构阵列，该微结构阵列包括多个微结构；
c)在单晶硅片带有微结构阵列的表面上均镀上反射膜，使得该反射
膜的表面的起伏与所述微结构阵列的起伏一致；
d)在所述反射膜上覆盖波长转换层，使得该波长转换层的表面的起
伏与所述微结构阵列的起伏一致。
2.根据权利要求1所述的波长转换器件的制作方法，其特征在于，
所述步骤a)包括：
1）在所述单晶硅片的第一表面上沉积掩膜层，该掩膜层为金属化
合物；
2）将光敏胶涂覆于所述掩膜层的完整表面上；
3）将涂覆有光敏胶的掩膜层上的光敏胶的部分位置曝光，使得该
光敏胶上的曝光位置或者未曝光位置为第一预定位置；
4）将曝光的单晶硅片放入显影液中，使得位于所述掩膜层上的第
一预定位置上的光敏胶被显影液处理掉；
5）将经显影液处理后的单晶硅片上未被光敏胶覆盖的掩膜层去除，
形成无掩膜区阵列或者无掩膜区。
3.根据权利要求1所述的波长转换器件的制作方法，其特征在于，
所述掩膜层为一种光敏胶，该光敏胶对碱有耐受能力；
所述步骤a包括：
I）在所述单晶硅片的第一表面上涂覆光敏胶作为掩膜层；
II)将所述光敏胶的部分位置曝光，使得该光敏胶上的曝光位置或
者未曝光位置为第一预定位置；
III)将曝光的光敏胶放入显影液中，使得位于该光敏胶上的第一预
定位置上的掩膜层被显影液处理掉，形成无掩膜区阵列或者无掩膜区。
4.根据权利要求2或3所述的波长转换器件的制作方法，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨毅，
申请(专利权)人：深圳市绎立锐光科技开发有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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