本发明专利技术的目的在于提供一种微芯片熔断器，能够实现迅速且可靠的短路，在短路时能够防止冲击飞散，并能够防止额定遮断容量降低。本发明专利技术的微芯片熔断器包括：板状的第一绝热片；基层，其形成于上述第一绝热片上；导电性元件，其形成于上述基层上；第二绝热片，其形成于上述元件上；一对导电性端电极，分别与上述元件的两端相接触；第一基片，其形成于上述第一绝热片的下部；以及板状的第二基片，其形成于上述第二绝热片上。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种微芯片熔断器（Micro chip fuse），更详细地涉及一种能够在过电流供给时遮断电流的微芯片熔断器及其制备方法。
技术介绍
用电设备可通过从内置电池或外部接收的电来工作。但是，在过电流供给的情况下，可能损坏部件，而引发设备工作不良的问题。熔断器作为用于防止这类现象的过电流保护装置，向设备供给额定电流以上的过电流的情况下，熔断器就会断开电供给。在电力供应源和设备的部件之间配置熔断器，在异常地供给过电流的情况下，因熔断器而断线，从而能够防止设备的部件和内部电路等的损坏现象。即，熔断器通过调节熔体的电阻，在有过电流流动的情况下，熔体熔断而遮断电路，从而起到保护电子部件和电路的作用。特别是，正在致力于开发出小型熔断器，以能够应用于小型电子设备，近来，随着设备逐渐小型化的趁势，多使用电子设备的基板等所使用的表面封装形态的超小型熔断器。作为如上所述的超小型熔断器的一种，可举例微芯片熔断器，虽然是超小型，也要求优秀的电源遮断特性等。一般，如图1及图2所示，微芯片熔断器具有在陶瓷片10、20之间配置银材质的导电性元件（Element）30的层叠结构。并且，微芯片熔断器包括分别包围层叠结构的两端的同时与元件30的两端接触的端电极（Termination electrode）40。端电极40执行向元件30施加电流的外部电极的作用，元件30执行内部电极的作用，使得电流通过微芯片熔断器流动。例如，如上所述的微芯片熔断器连接在供电部和整流电路部之间，在从供电部供给额定电流以内的电流的情况下，微芯片熔断器使电流供给到整流电路部。即，元件30因过电流引起的热而熔断。相反，在供给过电流的情况下，元件30熔断而将连接整流电路部的电流供应路径断开，由此，能够保护整流电路部和多个部件。此时，元件30只有在过电流供给时迅速且可靠地熔断才有效。但是，现有的微芯片熔断器都是在元件的上下分别配置陶瓷片10、20的层叠结构，因此，在过电流供给时，在元件30生成的热经过陶瓷片10、20传递到封装有微芯片熔断器的印刷电路基板等，由此，存在元件30在需要熔断的额定电流的条件下不能熔断而只有在过电流更多或过电流流动时间更长的条件下才产生熔断的问题。即，由于元件30的一部分冷却，不能迅速达到熔点，因此在供给过电流的情况下，也不能及时遮断电流，而发生时间延迟或无法遮断电流的现象。特别是，在微芯片熔断器受到如计算机的冷却扇等冷却部的影响的情况下，如上所述的问题会更加严重。并且，在因过电流而熔断时，因短路冲击而遭到破坏的元件30及陶瓷片10、20可能向外部飞散，存在周围部件等损坏及短路等的问题。另一方面，为了减少向陶瓷片10、20传递的热，可层叠多孔片。但是，在此情况下，在制备过程中，元件30的一部分流入多孔片的微细空洞而被吸附，且元件30层不能形成为扁平且均匀的形态。因此，存在电阻值发生偏差且额定遮断容量降低的缺点。并且，由于元件30层不均匀，即使以相同的工序制备，也会发生每个产品的容量偏差且增加不良率的问题。
技术实现思路
本专利技术的一个目的在于，提供一种能够实现迅速且可靠的短路的微芯片熔断器。并且，本专利技术的再一个目的在于，提供一种能够在短路时防止冲击飞散的微芯片熔断器。并且，本专利技术的另一个目的在于，提供一种能够使电阻值的偏差及额定遮断容量的降低最小化的微芯片熔断器。并且，本专利技术的还一个目的在于，提供一种能够减少不良率的微芯片熔断器。本专利技术的微芯片熔断器包括：板状的第一绝热片；基层，其形成于上述第一绝热片上；导电性元件，其形成于上述基层上；第二绝热片，其形成于上述元件上；一对导电性端电极，分别与上述元件的两端相接触；第一基片，其形成于上述第一绝热片的下部；以及板状的第二基片，其形成于上述第二绝热片上。优选的是，还包括在上述第二绝热片与上述元件之间形成的覆盖层。优选的是，上述元件包括一对电极元件和可熔元件，其中上述可熔元件将上述一对电极元件连接起来，使得上述一对电极元件之间通电，上述电极元件上不形成上述覆盖层。优选的是，上述第一基片、上述第二基片及上述基层由陶瓷材质形成，上述第一绝热片及上述第二绝热片由多孔性陶瓷材质形成，上述覆盖层由熔点高于上述陶瓷材质的材质形成。本专利技术的微芯片熔断器能够减少散热，因而能够实现迅速且可靠的短路，并在短路时能够防止冲击飞散，因此具有能够防止周围部件等的损坏及短路等的效果。并且，能够使电阻值的偏差最小化，因而能够防止额定遮断容量降低的现象，减少不良率，具有成品率优秀的效果。附图说明图1是现有技术的微芯片熔断器的分解立体图。图2是现有技术的微芯片熔断器的侧面剖视图。图3是表示本专利技术一实施例的微芯片熔断器的分解立体图。图4是微芯片熔断器的侧面剖视图。附图标记的说明100：元件 110：可熔元件120：电极元件 200：基层300：覆盖层 410：第一绝热片420：第二绝热片 510：第一基片520：第二基片 600：端电极具体实施方式下面，参照附图对本专利技术的优选实施例进行详细说明。但，本说明书及权利要求书中所使用的术语或词汇不能解释为一般或词典性意义，专利技术人为了以最佳方式说明其专利技术，立足于能够适当地定义术语的概念的原则，应解释为符合于本专利技术技术性思想的意义和概念。图3是表示本专利技术一实施例的微芯片熔断器的分解立体图，图4是微芯片熔断器的侧面剖视图。本专利技术一实施例的微芯片熔断器包括基片、绝热片、元件100及端电极600。元件100配置于基层200上，可由银膏（Ag paste）或银合金膏（Ag alloy paste）等导电性材质形成。元件100包括一对电极元件120及连接各个电极元件120之间的可熔元件110。电极元件120分别由输入端和输出端构成，可熔元件110由电流流动的电路构成。并且，可熔元件110在过电流流入时熔断而遮断电流。基层200呈板状，可由玻璃陶瓷（Glass Ceramics）材质形成。在元件100的与接触基层200的一面相反的一面，以仅覆盖可熔元件110的方式形成覆盖层300。即，元件100配置成在基层200与覆盖层300之间横贯该基层200与覆盖层3本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种微芯片熔断器，其特征在于，包括：板状的第一绝热片；基层，其形成于上述第一绝热片上；导电性的元件，其形成于上述基层上；第二绝热片，其形成于上述元件上；一对导电性端电极，分别与上述元件的两端相接触；第一基片，其形成于上述第一绝热片的下部；以及板状的第二基片，其形成于上述第二绝热片上。
【技术特征摘要】
2012.10.30 KR 10-2012-01209891.一种微芯片熔断器，其特征在于，包括：
板状的第一绝热片；
基层，其形成于上述第一绝热片上；
导电性的元件，其形成于上述基层上；
第二绝热片，其形成于上述元件上；
一对导电性端电极，分别与上述元件的两端相接触；
第一基片，其形成于上述第一绝热片的下部；以及
板状的第二基片，其形成于上述第二绝热片上。
2.根据权利要求1所述的微芯片熔断器，其特征在于，还包括在上述第二绝热片与上述元件之间形成的覆盖层。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：元世喜，文齐道，
申请(专利权)人：ORISEL株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。