电连接器制造技术

技术编号:10038387 阅读:96 留言:0更新日期:2014-05-11 05:32
本实用新型专利技术公开了一种电连接器,包括一绝缘本体,所述绝缘本体开设有多个收容孔,一导电层设于所述收容孔内壁面,多个导电体,设于所述收容孔,所述导电体具有弹性,所述导电体设有至少两个导接部与所述导电层接触,所述导电体具有良好的弹性,通过所述导电体与所述导电层接触,从而使得信号通过所述第一接触部直接传输至所述导电层,再由所述导电层传输至所述第二接触部,由于所述导电层的导电路径比所述第一接触部传输至所述第二接触部的导电路径短,故使所述导电体的阻抗减小,从而使导电率提高,保证了正常电流的传输,从而提高了所述电连接器的导电性能。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种电连接器,尤指一种阻抗小的电连接器。 
技术介绍
目前业界普遍使用的一种电连接器,用于电性连接一芯片模块至一电路板上,所述电连接器包括一绝缘本体,所述绝缘本体开设多个收容槽,多个导电体收容于所述收容槽,所述导电体具有一接触部与所述芯片模块接触,所述端子还具有一焊接部用以焊接至一电路板上,由于所述导电体必须具有足够的弹性,保证与所述芯片模块以及所述电路板紧密接触,故所述导电体必须经过多次弯折以提供足够的弹性,但所述导电体经过多次弯折后导电路径增长,故所述导电体的阻抗增大,从而使导电率低,造成正常电流的传输受到影响,导致所述电连接器的导电性能差。      因此,有必要设计一种改良的电连接器,以克服上述问题。 
技术实现思路
针对
技术介绍
所面临的问题,本技术的目的在于提供一种阻抗小的电连接器。    为实现上述目的,本技术采用以下技术手段:     一种电连接器,用以电性连接一第一电子元件至一第二电子元件,包括一绝缘本体,所述绝缘本体开设有多个收容孔,一导电层设于所述收容孔内壁面,多个导电体,设于所述收容孔,所述导电体具有弹性,所述导电体具有一第一接触部用以与所述第一电子元件接触,所述导电体具有一第二接触部用以与所述第二电子元件接触,所述导电体还设有至少两个导接部与所述导电层接触。    进一步, 所述导电体由金属板材冲压形成,所述导电体具有一板面和一裁切面,所述裁切面垂直于所述板面。     进一步,所述导接部均位于所述裁切面上。    进一步,至少一个所述导接部位于所述板面上。     进一步,所述导电体经多次弯折形成多个S型弯折部位于所述第一接触部与所述第二接触部之间,所述S型弯折部为倾斜状,至少两个所述导接部位于所述裁切面上,至少一个所述导接部位于所述板面上。     进一步,所述导接部上设有低熔点金属层,当所述导接部与所述导电层接触时,所述导接部通过所述低熔点金属层与所述导电层形成较大面积的接触,降低接触阻抗。     进一步,所述低熔点金属层选自镓 ,铟-镓, 镓-锡, 铟-镓-锡,铟-镓-锡-锌其中任意一种,所述低熔点金属层为液态。     进一步,所述收容孔内壁面镀设低熔点金属层,所述低熔点金属层位于所述导电层上,当所述导接部与所述低熔点金属层接触时,所述导接部通过所述低熔点金属层与所述导电层形成较大面积的接触,降低接触阻抗。     进一步,所述导接部上镀设有铟-锡合金,所述收容孔内壁面镀设有镓元素,所述镓元素位于所述导电层上,当所述导电体回焊时,所述导接部上的铟-锡合金与所述收容孔内壁面上的镓元素熔合形成铟-镓-锡合金的低熔点金属层,所述低熔点金属层位于所述导电层上,当所述导接部与所述低熔点金属层接触时,所述导接部通过所述低熔点金属层与所述导电层形成较大面积的接触,降低接触阻抗。     进一步,所述导电体倾斜弯折设置,所述收容孔具有一上开口和一下开口,所述导接部位于所述上开口的下方且位于所述下开口的上方。     与现有技术相比,本技术具有以下有益效果:所述绝缘本体开设有多个所述收容孔,所述导电层设于所述收容孔内壁面;多个所述导电体设于所述收容孔,所述导电体还设有至少两个所述导接部与所述导电层接触,所述导电体具有良好的弹性,所以所述导电体与所述第一电子元件接触以及所述第二电子元件形成紧密接触,通过所述导电体与所述导电层接触,从而使得信号通过所述第一接触部直接传输至所述导电层,再由所述导电层传输至所述第二接触部,由于所述导电层的导电路径比所述第一接触部传输至所述第二接触部的导电路径短,故使所述导电体的阻抗减小,从而使导电率提高,保证了正常电流的传输, 从而提高了所述电连接器的导电性能。 【附图说明】图1为本技术电连接器的立体分解图;图2为本技术电连接器局部剖视图;图3为图2的局部放大图;图4为本技术电连接器另一视角的局部剖视图;图5为图4的局部放大图。具体实施方式的附图标号说明: 电连接器100绝缘本体1收容孔11上开口111下开口112第一侧壁113第二侧壁114导电体2第一接触部21 第二接触部22S型弯折部23导接部24板面25裁切面26低熔点金属层A镍镀层B导电层C铜镀层C1镍底层C2液态导电液D第一电子元件200锡球201第二电子元件300接触垫301【具体实施方式】    为便于更好的理解本专利技术的目的、结构、特征以及功效等,现结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步说明。    如图1和图2所示,本技术的电连接器100用以电性连接一第一电子元件200至一第二电子元件300,包括一绝缘本体1,位于所述第一电子元件200下方, 所述绝缘本体1开设有多个收容孔11,一导电层C设于所述收容孔11内壁面,多个导电体2,设于所述收容孔11,所述导电体2具有弹性,所述导电体2设有至少两个导接部24与所述导电层C接触。     如图2、图3和图4所示,所述绝缘本体1上表面向所述绝缘本体1下表面开设有多个所述收容孔11,每一所述收容孔11具有一上开口111和一下开口112 ,所述上开口111以及所述下开口112连通形成所述收容孔11,所述下开口112的孔径小于所述上开口111的孔径。每一所述收容孔11的内壁具有相对的两个第一侧壁113和连接两个所述第一侧壁113的两个第二侧壁114,每一所述第一侧壁113的长度大于每一所述第二侧壁114的长度,每一所述第一侧壁113以及每一所述第二侧壁114均设有所述导电层C,所述导接部24可以与所述第一侧壁113相抵接,也可以与所述第二侧壁114相抵接,也可以均与所述第一侧壁113以及所述第二侧壁114相抵接。所述导电层C包括一铜镀层C1和一镍底层C2,所述铜镀层C1位于所述收容孔11的内壁面,即所述铜镀层C1位于所述第一侧壁113以及所述第二侧壁114上,所述镍底层C2位于所述铜镀层C1上 ,使所述镍底层C2容易附着于所述铜镀层C1上,且所述镍底层C2保护了所述铜镀层C1,避免所述铜镀层C1被氧化。所述导电体2收容于所述收容孔11,一液态导电液D,位于所述收容孔11内,所述导电体2浸入所述液态导电液D中与所述导电体2接触。所述液态导电液D为液态金属, 所述液态导电液D为镓或镓合金,所述液态导电液D与所述导电体2接触,可以缩短所述导电体2的导电路径,降低其导电阻抗,使所述电连接器100具有更好的导电性能。     如图1、图2和图3所示,多个导电体2,对应收容于多个所述收容孔11,所述导电体2具有弹性,所述导电体2倾斜设置,方便组装。所述导电体2一端具有一第一接触部21用以与所述第一电子元件200接触,在本实施例中,所述第一电子元件200为芯片模块,所述导电体2另一端具有一第二接触部22用以与所述第二电子元件300接触,在本实施例中,所述第二电子元件300为电路板。所述第一接触部21显露于所述上开口111用以与所述第一导电元件200接触,所述第二接触部22伸出所述下开口112与所述第二导电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电连接器,用以电性连接一第一电子元件至一第二电子元件,其特征在于,包括:???一绝缘本体,所述绝缘本体开设有多个收容孔,一导电层设于所述收容孔内壁面;???多个导电体,设于所述收容孔,所述导电体具有弹性,所述导电体具有一第一接触部用以与所述第一电子元件接触,所述导电体具有一第二接触部用以与所述第二电子元件接触,所述导电体还设有至少两个导接部与所述导电层接触。

【技术特征摘要】
1.一种电连接器,用以电性连接一第一电子元件至一第二电子元件,其特征在于,包括:
   一绝缘本体,所述绝缘本体开设有多个收容孔,一导电层设于所述收容孔内壁面;
   多个导电体,设于所述收容孔,所述导电体具有弹性,所述导电体具有一第一接触部用以与所述第一电子元件接触,所述导电体具有一第二接触部用以与所述第二电子元件接触,所述导电体还设有至少两个导接部与所述导电层接触。
2.如权利要求1所述的电连接器,其特征在于: 所述导电体由金属板材冲压形成,所述导电体具有一板面和一裁切面,所述裁切面垂直于所述板面。
3.如权利要求2所述的电连接器,其特征在于:所述导接部均位于所述裁切面上。
4.如权利要求2所述的电连接器,其特征在于:至少一个所述导接部位于所述板面上。
5.如权利要求2所述的电连接器,其特征在于:所述导电体经多次弯折形成多个S型弯折部位于所述第一接触部与所述第二接触部之间,所述S型弯折部为倾斜状,至少两个所述导接部位于所述裁切面上,至少一个所述导接部位于所述板面上。
6.如权利要求1所述的电连接器,其特征在于:所述导接部上设有低熔点金属层,当所述导接部与所述导电层接触时,所述导...

【专利技术属性】
技术研发人员:朱德祥
申请(专利权)人:番禺得意精密电子工业有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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