一种晶体管制造技术

本实用新型专利技术涉及一种晶体管，属于半导体领域。一种晶体管，包括晶体管主体和应力施加部，所述的晶体管主体包括形成基板、层叠于形成基板上的第一半导体层和比第一半导体层带隙大的第二半导体层，所述的晶体管主体设置于应力施加部上；所述的应力施加部为由双金属构成的保持基板；在所述第二半导体层和应力施加部之间形成有绝缘层。本实用新型专利技术与现有技术相比，具有如下优点：能实现温度变化引起的薄层电阻的变动小。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术涉及一种晶体管，属于半导体领域。一种晶体管，包括晶体管主体和应力施加部，所述的晶体管主体包括形成基板、层叠于形成基板上的第一半导体层和比第一半导体层带隙大的第二半导体层，所述的晶体管主体设置于应力施加部上；所述的应力施加部为由双金属构成的保持基板；在所述第二半导体层和应力施加部之间形成有绝缘层。本技术与现有技术相比，具有如下优点：能实现温度变化引起的薄层电阻的变动小。【专利说明】—种晶体管
本技术涉及一种晶体管，属于半导体领域。
技术介绍
现有的HEMT存在薄层电阻随温度上升而显著增大的问题。若大电流流过HEMT，则HEMT发热，从而温度会上升。这样，薄层电阻会增大。若薄层电阻增大，则HEMT进一步发热，从而薄层电阻进一步增大。因此，薄层电阻随温度上升而增大的特性对流过大电流的功率晶体管而言是致命的。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种能实现温度变化引起的薄层电阻的变动小的晶体管。为实现上述目的，本技术采用如下技术方案:一种晶体管，包括晶体管主体和应力施加部，所述的晶体管主体包括形成基板、层叠于形成基板上的第一半导体层和比第一半导体层带隙大的第二半导体层，所述的晶体管主体设置于应力施加部上；所述的应力施加部为由双金属构成的保持基板；在所述第二半导体层和应力施加部之间形成有绝缘层。所述双金属为铜和招。本技术与现有技术相比，具有如下优点:能实现温度变化引起的薄层电阻的变动小。【专利附图】【附图说明】图1是本技术的结构示意图。其中:1-晶体管主体；10-形成基板；11-低温缓冲层；12_第一半导体层；13_第二半导体层；14-漏极电极；15-栅极电极；16-源极电极；2_应力施加部；20_低膨胀率层；21高膨胀率层。【具体实施方式】下面结合附图1对本技术做进一步的详述:一种晶体管，包括晶体管主体I和应力施加部2，所述的晶体管主体包括形成基板10、层叠于形成基板上的未掺杂的GaN构成的第一半导体层12和比第一半导体层带隙大的未掺杂的AlGaN构成的第二半导体层13，所述的晶体管主体设置于应力施加部上；所述的应力施加部为由双金属构成的保持基板，所述双金属为铜和铝；在第二导体层上设置有漏极电极14、栅极电极15和源极电极16，源极电极16以及漏极电极14是例如层叠了钛(Ti)和铝(Al)的欧姆电极。栅极电极15是例如层叠了钼(Pt)和金(Au)的肖特基电极。在所述第二半导体层和应力施加部之间形成有绝缘层17 ;在第一半导体层12和形成基板10之间设置有低温缓冲层11。保持基板由对以厚度为1200μπι的铜构成的低膨胀率层20、和以厚度为IOOOym的Al构成的高膨胀率层21进行层叠的双金属构成。【权利要求】1.一种晶体管，包括晶体管主体和应力施加部，其特征在于:所述的晶体管主体包括形成基板、层叠于形成基板上的第一半导体层和比第一半导体层带隙大的第二半导体层，所述的晶体管主体设置于应力施加部上；所述的应力施加部为由双金属构成的保持基板；在所述第二半导体层和应力施加部之间形成有绝缘层。2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于:所述双金属为铜和铝。【文档编号】H01L29/06GK203589040SQ201320554966【公开日】2014年5月7日 申请日期:2013年9月9日 优先权日:2013年9月9日 【专利技术者】洪元本, 彭成炫 申请人:江西省一元数码科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体管，包括晶体管主体和应力施加部，其特征在于：所述的晶体管主体包括形成基板、层叠于形成基板上的第一半导体层和比第一半导体层带隙大的第二半导体层，所述的晶体管主体设置于应力施加部上；所述的应力施加部为由双金属构成的保持基板；在所述第二半导体层和应力施加部之间形成有绝缘层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：洪元本，彭成炫，
申请(专利权)人：江西省一元数码科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：