成膜装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能抑制基板的温度升高得成膜装置。成膜装置具备：成膜部（20），其将包含膜的形成材料的粒子朝向基板S喷出；冷却部，其对冷却部件（33）进行冷却；以及配置部（10），其在从冷却部件（33）离开且与冷却部件（33）相对的位置上配置基板（S）。

【技术实现步骤摘要】
成膜装置
本公开的技术涉及成膜装置，所述成膜装置将包含膜的形成材料的粒子朝向基板喷出而在基板上形成膜。
技术介绍
在作为平板显示器之一的有机EL显示器中形成有多个像素，所述像素具备有机发光元件和薄膜晶体管，各像素与从驱动电路延伸的配线连接。构成各像素的各种膜和配线由作为成膜装置的蒸镀装置、溅射装置形成（例如专利文献1和专利文献2）。专利文献1：日本特开2008－274366号公报专利文献2：日本特开2012－174609号公报其中，在利用溅射装置形成膜的情况下，具有高能量的溅射粒子到达基板，由此在基板上沉积膜。因此，通过碰撞的溅射粒子的能量传导到基板，从而基板的温度升高。另外，在利用蒸镀装置形成膜的情况下，由于加热而蒸发的材料到达基板，由此在基板上沉积膜。因此，与溅射装置同样，蒸发的材料的能量传递到基板，而且，通过蒸镀源本身的能量传递到基板，从而基板的温度升高。这样的基板的温度上升强制使基板的耐热性提高、成膜条件的变更等，因此在上述的成膜装置中被要求对基板进行冷却的技术。
技术实现思路
本公开的技术的目的在于提供能抑制基板的温度升高的成膜装置。本公开的技术中的成膜装置的一方式具备：成膜部，其将包含膜的形成材料的粒子朝向基板喷出；冷却部，其对冷却部件进行冷却；以及配置部，其在从所述冷却部件离开并与所述冷却部件相对的位置上配置所述基板。在本公开的技术中的成膜装置的一方式中，被冷却部冷却的冷却部件和基板相互相对，因此可抑制基板的温度升高。此时，基板和冷却部件相互不接触，因此在基板被冷却时，也可以抑制由于基板和冷却部件的接触而在基板上产生龟裂、裂纹。本公开的技术中的成膜装置的其他方式进一步具备真空槽，所述真空槽收纳有所述冷却部件。并且，所述冷却部将所述冷却部件冷却到所述真空槽内所包含的气体在所述冷却部件的温度下的蒸气压高于所述真空槽内的压力的温度。在本公开的技术中的成膜装置的其他方式中，冷却部件的温度设定为使该冷却部件的温度下的气体的蒸气压高于真空槽内的压力的值。因此，真空槽内的气体难以附着于冷却部件。结果是，可抑制真空槽内的气体向冷却部件的附着，因此真空槽内的气体的状态、进而冷却部件的冷却程度难以改变。本公开的技术中的成膜装置的其他方式中，所述冷却部将所述冷却部件的温度设定为100K以上且不足273K。在本公开的技术中的成膜装置的其他方式中，与冷却部件的温度设定为273K以上的构成相比，成膜对象容易被冷却。本公开的技术中的成膜装置的其他方式中，所述气体包含氩气，所述冷却部将所述冷却部件的温度设定为100K以上250K以下。在本公开的技术中的成膜装置的其他方式中，冷却部件的温度设定为100K以上250K以下，因此可更可靠地抑制氩气向冷却部件的吸附。本公开的技术中的成膜装置的其他方式中，使用气体的绝热膨胀对所述冷却部件进行冷却。在本公开的技术中的成膜装置的其他方式中，与例如通过冷却水等液状的制冷剂对冷却部件进行冷却的构成相比，可避免由于这样的制冷剂泄漏到成膜装置内从而成膜装置被污染。本公开的技术中的成膜装置的其他方式中，所述冷却部件中与所述基板相对的表面包含黑色部分。在本公开的技术中的成膜装置的其他方式中，冷却部件的表面是黑色，因此与冷却部件的表面是例如白色等、辐射率比黑色低的颜色的构成相比，可抑制从冷却部件朝向基板的热反射。因此，可更加抑制基板的温度升高。本公开的技术中的成膜装置的其他方式中，所述冷却部件是所述被冷却部冷却的多个冷却部件中的1个，所述多个冷却部件以与配置于所述配置部的所述基板的不同部分相对的方式配置。根据本公开的技术中的成膜装置的其他方式，多个冷却部件与基板中的相互不同的部分相对，因此与1个冷却部件与基板中的一部分相对的构成相比，可抑制在基板的面内基板被冷却的程度波动。结果是，可抑制基板的面内的温度波动。本公开的技术中的成膜装置的其他方式中，进一步具备气体供给部，进一步具备移位部，所述移位部改变所述冷却部件相对于所述基板的位置。在本公开的技术中的成膜装置的其他方式中，与冷却部件相对于基板被固定的构成相比，能在基板中扩大被冷却的范围。在本公开的技术中的成膜装置的其他方式中，所述移位部使所述基板与所述冷却部件之间的距离改变。根据本公开的技术中的成膜装置的其他方式，通过冷却部件与基板之间的距离的变更，能对基板被冷却部件的冷却的程度进行调节。在本公开的技术中的成膜装置的其他方式中，所述移位部能使所述冷却部件移动到不同的多个位置，在所述冷却部件的位置变更之前和之后，所述基板与所述冷却部件之间的距离相同。根据本公开的技术中的成膜装置的其他方式，即使冷却部件相对于基板的位置改变，基板与冷却部件之间的距离也不改变，因此冷却部件对基板的冷却程度也不改变。因此，与基板与冷却部件之间的距离改变的构成相比，可抑制在基板中冷却部件的冷却程度波动。本公开的技术中的成膜装置的其他方式中，所述成膜部使用等离子体将所述膜的形成材料喷出到所述基板，所述基板暴露于所述等离子体。在本公开的技术中的成膜装置的其他方式中，即使是基板暴露于等离子体的情况，也可抑制基板的温度升高。本公开的技术中的成膜装置的其他方式中，所述成膜部通过使所述膜的形成材料蒸发从而将所述形成材料喷出到所述基板。根据本公开的技术中的成膜装置的其他方式，即使通过加热而蒸发的形成材料朝向基板喷出，也可抑制基板的温度升高。本公开的技术中的成膜装置的其他方式进一步具备气体供给部，所述气体供给部相对于所述冷却部件向配置有所述基板的一侧供给气体。在本公开的技术中的成膜装置的其他方式中，除了冷却部的冷却之外，也进行气体与基板之间的热交换，因此在冷却部的驱动状态相同的前提下，基板的温度更难以升高气体的热交换的量。本公开的技术中的成膜装置的其他方式进一步具备真空槽，所述真空槽收纳有所述成膜部和所述冷却部件，所述成膜部和所述冷却部件配置于相互面对的位置，所述配置部在所述成膜部与所述冷却部件之间配置所述基板。根据本公开的技术中的成膜装置的其他方式，可抑制成膜部在基板上形成膜时基板的温度升高。本公开的技术中的成膜装置的其他方式中，所述配置部为配置所述基板的2个配置部中的1个，所述成膜装置进一步具备冷却部件移位部，所述冷却部件移位部沿移位方向改变所述冷却部件的位置，所述成膜部和所述2个配置部沿所述移位方向按照此顺序排列，所述2个配置部中离所述成膜部近的配置部为第1配置部，离所述成膜部远的配置部为第2配置部。所述冷却部件移位部在第1位置和第2位置之间改变所述冷却部件的位置，所述第1位置为所述第1配置部和所述第2配置部之间的位置，所述第2位置为在所述移位方向上比所述第2配置部更远离所述成膜部的位置，所述第1配置部在配置了所述基板的状态下使所述冷却部件位于所述第1位置，所述第2配置部在配置了所述基板的状态下使所述冷却部件位于所述第2位置。根据本公开的技术中的成膜装置的其他方式，冷却部件可以冷却配置在第1配置部的基板和配置在第2配置部的基板的双方。本公开的技术中的成膜装置的其他方式具备：第1真空槽，其收纳有所述成膜部；以及第2真空槽，其收纳有所述冷却部件。在本公开的技术中的成膜装置的其他方式中，能在成膜部在基板上形成膜前、在成膜部在基板上形成膜后降低基板的温度。附图说明图1是示出本公开的技本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2012.10.18 JP 2012-230625;2013.06.24 JP 2013-131581.一种成膜装置，具备：成膜部，其将包含膜的形成材料的粒子朝向基板喷出；冷却部件，用于所述基板的冷却；冷却部，其对所述冷却部件进行冷却；配置部，其在从所述冷却部件离开并与所述冷却部件相对的位置上配置所述基板；以及连接部件，将所述冷却部和所述冷却部件连接，所述冷却部使用气体的绝热膨胀将所述冷却部件的温度设定为100K以上且不足273K，所述冷却部件形成为由与所述连接部件连接的冷却层、缓冲层以及与所述基板相对的构成所述冷却部件的表面的层依次层叠的多层结构，所述缓冲层的热膨胀系数为所述冷却层的热膨胀系数与构成所述冷却部件的表面的所述层的热膨胀系数之间的值，构成所述冷却部件的表面的所述层的辐射率比所述冷却层以及所述缓冲层高。2.根据权利要求1所述的成膜装置，进一步具备真空槽，所述真空槽收纳有所述冷却部件，所述冷却部将所述冷却部件冷却到所述真空槽内所包含的气体在所述冷却部件的温度下的蒸气压高于所述真空槽内的压力的温度。3.根据权利要求2所述的成膜装置，所述气体包含氩气，所述冷却部将所述冷却部件的温度设定为100K以上250K以下。4.根据权利要求1所述的成膜装置，所述冷却部件的所述表面包含黑色部分。5.根据权利要求1所述的成膜装置，所述冷却部件是被所述冷却部冷却的多个冷却部件中的1个，所述多个冷却部件以与配置于所述配置部的所述基板的不同部分相对的方式配置。6.根据权利要求1所述的成膜装置，进一步具备移位部，所述移位部改变所述冷却部件相对于所述基板的位置。7.根据权利要求6所述的成膜装置，所述移位部...

【专利技术属性】
技术研发人员：大野哲宏，佐藤优，中岛铁兵，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：