氧化铟锡粉末制造技术

本发明专利技术提供一种氧化铟锡粉末，其使用于太阳能电池或触控面板等的透明导电膜，使用于太阳能电池或触控面板中的任一透明导电膜时，均要求低折射率。本发明专利技术的目的在于通过将氧化铟锡粉末设为特定范围内的真密度且特定范围内的比表面积而成为低折射率。所述氧化铟锡粉末的特征在于，通过使用氦气的气体置换法用比重瓶测定的真密度为5.75～6.80g/cm3，由BET法测定的比表面积为2～100m2/g。该氧化铟锡粉末能够用作透明导电膜用组合物，并且，能够制造低折射率的透明导电膜。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种氧化铟锡粉末，其使用于太阳能电池或触控面板等的透明导电膜，使用于太阳能电池或触控面板中的任一透明导电膜时，均要求低折射率。本专利技术的目的在于通过将氧化铟锡粉末设为特定范围内的真密度且特定范围内的比表面积而成为低折射率。所述氧化铟锡粉末的特征在于，通过使用氦气的气体置换法用比重瓶测定的真密度为5.75～6.80g/cm3，由BET法测定的比表面积为2～100m2/g。该氧化铟锡粉末能够用作透明导电膜用组合物，并且，能够制造低折射率的透明导电膜。【专利说明】氧化铟锡粉末
本专利技术涉及一种氧化铟锡粉末。更具体而言，涉及一种低折射率的氧化铟锡粉末，该低折射率的氧化铟锡粉末适于太阳能电池或触控面板等的透明导电膜。
技术介绍
氧化铟锡粉末作为透明导电性材料而众所周知，其使用于太阳能电池或触控面板等的透明导电膜。氧化铟锡粉末在使用于太阳能电池或触控面板中的任一透明导电膜时，均要求低折射率。以下，依次对太阳能电池的透明导电膜、触控面板的透明导电膜进行说明。首先，图1中示出太阳能电池的截面的示意图的一例。另外，图1是覆板型薄膜太阳能电池的例子。在图1中，薄膜太阳能电池依次具备基板1、透明电极层2、光电转换层3、透明导电膜4及导电性反射膜5，太阳光从基板I侧入射。所入射的大部分太阳光被导电性反射膜5反射而返回到光电转换层3，从而提高转换效率。其中，在透明导电膜4与光电转换层3的界面也发生太阳光的反射，若透明导电膜4的折射率下降，则能够增加在透明导电膜4与光电转换层3的界面上的反射光而提高太阳能电池的发电效率。接着，在图2中示出触控面板的截面的示意图的一例。图2是电阻膜式触控面板的例子。对于下部电极使用带有透明导电膜12的基板11，对于上部电极使用带有透明导电膜16的薄膜17。在下部电极的透明导电膜12上设置用于保持平行电极13、上部电极等的绝缘的绝缘层14。绝缘层14与上部电极的透明导电膜16用粘结材料15接合。另外，为了防止由上下电极接触 而产生的错误操作，在下部电极上以一定的间隔设置点隔片18。其中，在透明导电膜12、16上通常使用氧化铟锡，但是氧化铟为高折射率(折射率为1.8~2.2)，因此透明导电膜12、16与低折射率的空气19 (折射率为I)之间会产生光的反射或牛顿环，而存在触控面板的可见性下降的问题。能够通过使透明导电膜的折射率下降来抑制光的反射或牛顿环的产生，提高触控面板的可见性。以往的氧化铟锡粉末通过混合氯化铟及氯化锡的混合水溶液和碳酸铵盐来使铟和锡的氢氧化物共沉淀，并通过对共沉淀物进行加热分解来制造(专利文献I)。专利文献1:日本专利公开平5-2017131号公报
技术实现思路
如上所述，氧化铟锡粉末使用于太阳能电池或触控面板等的透明导电膜，在使用于太阳能电池或触控面板中的任一透明导电膜时，均要求低折射率。然而，以往的氧化铟锡粉末由于以制作无空孔的均匀的粉末为目的，因此为高折射率。本专利技术的目的在于通过将氧化铟锡粉末设为特定范围内的真密度且特定范围内的比表面积而成为低折射率。本专利技术涉及一种通过以下所述的构成解决上述课题的氧化铟锡粉末、包含该氧化铟锡粉末的透明导电膜用组合物、透明导电膜及太阳能电池或触控面板。( I) 一种氧化铟锡粉末，其特征在于，通过使用氦气的气体置换法用比重瓶测定的真密度为5.75~6.80g/cm3,由BET法测定的比表面积为2~100m2/g。(2) —种氧化铟锡粉末的制造方法，其特征在于，其为制造上述(I)所述的氧化铟锡粉末的方法，以0~15°C混合铟盐及锡盐的混合溶液和碱来使铟和锡的氢氧化物共沉淀，并以300~950°C对共沉淀物进行加热分解。(3 ) —种透明导电膜用组合物，其包含上述(I)所述的氧化铟锡粉末和分散介质。(4) 一种透明导电膜，其包含上述(I)所述的氧化铟锡粉末。(5)—种太阳能电池或触控面板，其具备上述(4)所述的透明导电膜。根据本专利技术(1)，能够通过其为特定范围内的真密度且特定范围内的比表面积，提供一种低折射率的氧化铟锡粉末。并且，根据本专利技术(2)，能够轻松制造低折射率的氧化铟锡粉末。根据本专利技术(3)，能够轻松制造低折射率的透明导电膜。根据本专利技术(4)，能够提供一种适于太阳能电池或触控面板的低折射率的透明导电膜。根据本专利技术(5)，能够提供一种发电效率较高的太阳能电池或可见性良好的触控面板。【专利附图】【附图说明】图1是太阳能电池的剖视图的示意图的一例。图2是触控面板的剖视图的示意图的一例。图3是实施例1的氧化铟锡粉末的透射电子显微镜的照片。图4是比较例I的氧化铟锡粉末的透射电子显微镜的照片。符号说明1-基板，2-透明电极层，3-光电转换层，4-透明导电膜，5-导电性反射膜，11-基板，12-透明导电膜，13-平行电极，14-绝缘层，15-粘结材料，16-透明导电膜，17-薄膜，18-点隔片，19-空气。【具体实施方式】以下，根据实施方式对本专利技术进行具体说明。另外，只要没有特别表示，并且除了固有数值的情况以外，%为质量％。 本专利技术的氧化铟锡粉末的特征在于，通过使用氦气的气体置换法用比重瓶测定的真密度为5.75~6.80g/cm3,由BET法测定的比表面积为2~100m2/g。氧化铟锡粉末的真密度小于5.75g/cm3时，通过降低氧化铟锡粉末的强度来制作透明导电膜用组合物和透明导电膜本身时，导致中空的多孔质结构崩裂，氧化铟锡粉末不是低折射率，若氧化铟锡粉末的真密度超过6.80g/cm3时，则导致折射率增高。并且，由于氧化铟锡粉末的比表面积小于2m2/g时，氧化铟锡粉末的粒径增大，因此导致使用氧化铟锡粉末的导电膜因光的散射而变得不透明，若氧化铟锡粉末的比表面积超过100m2/g，则导致难以对氧化铟锡粉末形成空孔。在图3中示出本专利技术的氧化铟锡粉末的透射电子显微镜的照片的一例。图3在右上部表示高倍率的照片。从图3明显可知，氧化铟锡粉末为中空的多孔质。作为参考，在图4中示出以往的氧化铟锡粉末的一例。与(A)相比，图4的(B)为高倍率的图片。如图4，在以往的氧化铟锡粉末中，未观察到空孔而较均匀。氧化铟锡粉末的真密度为使用QURNTACHR0MEINSTRUMENTS公司制超级比重瓶(々 > 卜5^ J —夕)，并通过使用氦气的气体置换法来测定的真密度。氧化铟锡粉末的由BET法测定的比表面积是使用QUANTACHROME公司制氮吸附测定装置(型号:AUT0S0RB-1)，并通过氮吸附来测定。若本专利技术的氧化铟锡粉末的平均粒径为10~500nm，则在分散介质中保持稳定性，因此优选。并且，氧化铟锡粉末的平均空孔径优选为平均粒径的1/3以下，相对于氧化铟锡粉末100体积份，空孔量为3~20体积份时，从氧化铟锡粉末的折射率、导电率、粉末本身的强度的观点来看为优选。氧化铟锡粉末的形状优选为立方体。在此，对于氧化铟锡粉末的平均粒径、平均空孔径观察倍率为10万倍的透射电子显微镜照片，并由透射电子显微镜照片的水平方向上最长的直径的平均(n=50)计算。并且，若氧化铟锡粉末相对于In2O3和SnO2的总计100质量份，SnO2为I~18质量份时，从氧化铟锡粉末的导电性的观点来看为优选。其中，In和Sn的分析用ICP法进行，设为In均为In2O3本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：米泽岳洋，山崎和彦，林年治，
申请(专利权)人：三菱综合材料株式会社，
类型：发明
国别省市：