一种电平移位电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种电平移位电路，其包括：N型的第一场效应管MN1、N型的第二场效应管MN2、第一电流源及第二电流源，第一场效应管MN1的栅极接被测电路的一端，其漏极接电源，其源极接第一电流源的正极，第一电流源的负极接地；第二场效应管MN2的栅极接被测电路的另一端，其漏极接电源，其源极接第二电流源的正极，第二电流源的负极接地；电平移位电路也可包括：P型的第一场效应管MP1、P型的第二场效应管MP2、第一电流源及第二电流源。本实用新型专利技术提供的电平移位电路的结构简单且精度较高。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王飞，傅璟军，冯卫，
申请(专利权)人：比亚迪股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：